[發明專利]光電轉換器件和具有光電轉換器件的攝像系統有效
| 申請號: | 200710128400.0 | 申請日: | 2007-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN101106149A | 公開(公告)日: | 2008-01-16 |
| 發明(設計)人: | 浦賢一郎;福元嘉彥;片岡有三 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換 器件 具有 攝像 系統 | ||
1.一種光電轉換器件,包括:
第一導電類型的第一半導體區;
第二導電類型的第二半導體區,與第一半導體區的一部分一起用作光電轉換元件;
柵電極,將在光電轉換元件中產生的電載流子轉移到第二導電類型的第三半導體區;
隔離區,用于將第二半導體區與同第二半導體區相鄰的第二導電類型的第四半導體區電隔離;以及
布置在隔離區上用于將電壓施加到柵電極的布線,
其中雜質濃度低于第四半導體區的第二導電類型的第五半導體區位于第四半導體區和隔離區之間。
2.根據權利要求1的光電轉換器件,其中第一導電類型是p型,并且負電壓施加到布線。
3.根據權利要求1或2的光電轉換器件,其中第二導電類型是n型,并且來自電源的正電壓施加到第四半導體區。
4.根據權利要求1或2的光電轉換器件,其中雜質濃度高于第一半導體區的第一導電類型的第六半導體區位于隔離區的下面。
5.一種攝像系統,包括:
根據權利要求1的光電轉換器件;
用于在光電轉換器件中形成圖像的光學系統;以及
處理來自光電轉換器件的信號的信號處理單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





