[發(fā)明專利]原子層沉積工藝的前驅物的清除方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710128376.0 | 申請日： | 2007-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN101343734A | 公開（公告）日： | 2009-01-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李名言;吳孝哲;蔡文立 | 申請（專利權）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 許向華;彭久云 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 原子 沉積 工藝 前驅 清除 方法 | ||
1.一種原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，包含：
于一原子層沉積工藝的一前驅物清除步驟的時段中，通入一惰性氣體至一反應室中，并伴隨抽氣將反應室中殘留的該前驅物及其副產(chǎn)物移除，且通入該惰性氣體的時間的總和少于該前驅物清除步驟的時段的時間；以及
于該前驅物清除步驟的時段中未通入惰性氣體的時間，反應室持續(xù)地進行抽氣，以清除該反應室中殘留的該前驅物及其副產(chǎn)物。
2.如權利要求1所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，其中所通入的該惰性氣體包含一氬氣。
3.如權利要求1所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，其中于該前驅物清除步驟的時段中，通入一次惰性氣體至該反應室中。
4.如權利要求3所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，其中于該前驅物清除步驟的時段開始時通入該惰性氣體，并伴隨抽氣將反應室中殘留的該前驅物及其副產(chǎn)物移除，并于該前驅物清除步驟的時段結束之前停止通入該惰性氣體，持續(xù)抽氣至該前驅物清除步驟的時段結束。
5.如權利要求3所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，其中于該前驅物清除步驟的時段開始時反應室先抽氣，再通入惰性氣體伴隨抽氣將反應室中殘留的該前驅物及其副產(chǎn)物移除直到該前驅物清除步驟的時段結束。
6.如權利要求3所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，其中于該前驅物清除步驟的時段開始時反應室先抽氣，再通入該惰性氣體并伴隨抽氣將反應室中殘留的該前驅物及其副產(chǎn)物移除，并于該前驅物清除步驟的時段結束之前停止通入該惰性氣體，持續(xù)抽氣至該前驅物清除步驟的時段結束。
7.如權利要求3所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，其中通入該惰性氣體的時間與未通入惰性氣體的時間相等或不相等。
8.如權利要求1所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，其中于該前驅物清除步驟的時段中，非連續(xù)地通入多次該惰性氣體至該反應室中。
9.如權利要求8所述原子層沉積工藝的前驅物清除方法，其中每次通入該惰性氣體的時間相等或不相等。
10.如權利要求8所述原子層沉積工藝的前驅物清除方法，其中每次通入該惰性氣體的間隔時間相等或不相等。
11.如權利要求1所述原子層沉積工藝的前驅物的清除方法，還包含于該前驅物清除步驟的時段結束后，即結束該原子層沉積工藝。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于茂德科技股份有限公司，未經(jīng)茂德科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710128376.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
