[發(fā)明專利]覆晶封裝體及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710127600.4
• 申請日: 2007-07-05
• 公開（公告）號: CN101339930A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薩文志
• 申請（專利權(quán)）人: 啟萌科技有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/498;H01L23/34;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種封裝體，特別是涉及一種覆晶封裝體。

背景技術(shù)

由于晶片技術(shù)不斷地向高頻操作及多功能發(fā)展，接腳(pin)數(shù)相對增加，傳統(tǒng)的打線接合(wire?bonding)封裝已無法滿足電性的要求。覆晶接合(flip-chip?bonding)已廣泛應(yīng)用于晶片封裝，將晶片的主動(dòng)面(activesurface)朝向基板，藉由錫鉛焊球(solder?ball)作為晶片與基板連接的封裝技術(shù)。覆晶接合除了大幅度提高晶片接腳的密度之外，更可降低雜訊的干擾、強(qiáng)化電性效能、提高散熱能力及縮減封裝體積。

圖1為一種現(xiàn)有現(xiàn)有習(xí)知的覆晶封裝體1的示意圖。請參閱圖1所示，覆晶封裝體1包含一球格陣列(Ball?Grid?Array，BGA)基板11、一晶片12、一封膠(underfill)13以及多數(shù)個(gè)焊球14。其中，晶片12是以覆晶接合方式，藉由上述焊球14而與球格陣列基板11電性連接。在晶片12與球格陣列基板11之間形成一空隙，為了保護(hù)電性連接的結(jié)構(gòu)，因此空隙內(nèi)填充封膠13，完成覆晶封裝體1的制作。

對于覆晶封裝體1而言，由于封膠13包覆晶片12的主動(dòng)面、上述焊球14及球格陣列基板11的表面，導(dǎo)致運(yùn)作過程產(chǎn)生的廢熱不易消散。另外，為了滿足覆晶接合制程中的壓合步驟需求，晶片12本身厚度不能太薄，亦使得主動(dòng)面所產(chǎn)生的廢熱，不易經(jīng)由晶片12本身向外輻射；同時(shí)球格陣列基板11的厚度與材料特性更不易讓晶片12產(chǎn)生的廢熱，經(jīng)由球格陣列基板11本身向外傳遞。因此覆晶封裝體1的架構(gòu)潛藏散熱效能不佳的問題，會影響晶片12的可靠度及使用壽命，更降低覆晶封裝體1的品質(zhì)。

由此可見，上述現(xiàn)有的覆晶封裝體在制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般制造方法又沒有適切的加工方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種散熱性佳的覆晶封裝體及其制造方法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

有鑒于上述現(xiàn)有的覆晶封裝體及其制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的覆晶封裝體及其制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的覆晶封裝體及其制造方法存在的缺陷，而提供一種新的覆晶封裝體及其制造方法，所要解決的技術(shù)問題是使其提高散熱效能，非常適于實(shí)用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種覆晶封裝體，該覆晶封裝體包含：一玻璃電路板，其表面是具有一電路層；以及至少一晶片，是以覆晶接合方式電性連接于該電路層，且該晶片及/或玻璃電路板的厚度小于200微米。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的覆晶封裝體，其更包含：至少一第一散熱元件及/或至少一第一導(dǎo)熱元件，是設(shè)置于該晶片相對于該玻璃電路板的一側(cè)。

前述的覆晶封裝體，其更包含：至少一第二散熱元件及/或至少一第二導(dǎo)熱元件，是設(shè)置于該玻璃電路板相對于該晶片的一側(cè)。

前述的覆晶封裝體，其中所述的第一散熱元件及該第二散熱元件是選自散熱片、導(dǎo)熱膜、風(fēng)扇及冷卻裝置所構(gòu)成的群組。

前述的覆晶封裝體，其中所述的第一導(dǎo)熱元件及該第二導(dǎo)熱元件為熱管。

前述的覆晶封裝體，其更包含：至少一第二散熱元件及/或至少一第二導(dǎo)熱元件，是設(shè)置于該玻璃電路板相對于該晶片的一側(cè)。

前述的覆晶封裝體，其中所述的晶片是以異方性導(dǎo)電膜及多數(shù)個(gè)焊球的方式與該玻璃電路板電性連接。

前述的覆晶封裝體，其中所述的晶片是以非導(dǎo)電顆粒膏配合激光熔接的方式與該玻璃電路板電性連接。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種覆晶封裝體的制造方法，該制造方法包含下列步驟：提供一玻璃電路板，該玻璃電路板的表面具有一電路層；以覆晶接合方式將至少一晶片電性連接于該電路層；以及減薄該晶片及/或玻璃電路板，使該晶片及/或玻璃電路板的厚度小于200微米。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的制造方法，其中所述的減薄步驟是以該玻璃電路板為載臺。

前述的制造方法，其中所述的減薄方式為研磨或蝕刻。