[發(fā)明專利]掩模和采用該掩模的沉積裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710126812.0
• 申請日: 2007-06-27
• 公開（公告）號: CN101168834A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金兌承
• 申請（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會(huì)社
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 韓明星;李云霞

1.一種用于在半成品顯示裝置上沉積薄膜的掩模，所述掩模包括：

第一區(qū)域，包括第一開口的陣列，每個(gè)所述第一開口具有沿著第一軸測量的第一長度，第一區(qū)域具有沿著與所述第一軸基本垂直的第二軸延伸的邊緣；

第二區(qū)域，與所述第一區(qū)域的邊緣相鄰，所述第二區(qū)域包括第二開口的陣列，每個(gè)所述第二開口具有沿著所述第一軸測量的第二長度，所述第二長度是所述第一長度的長度的至少兩倍，其中，所述第二開口沿著所述第一軸與所述第一開口基本對齊。

2.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，每個(gè)所述第一開口具有基本上方形的形狀。

3.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，每個(gè)所述第二開口具有沿著所述第一軸延伸的條形形狀。

4.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，所述第一開口布置為矩陣形式。

5.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，每個(gè)所述第一開口具有沿著所述第二軸測量的第一寬度，其中，每個(gè)所述第二開口具有沿著所述第二軸測量的第二寬度，其中，所述第一寬度與所述第二寬度基本相同。

6.如權(quán)利要求5所述的掩模，其中，所述第二開口沿著所述第二軸彼此基本對齊。

7.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，每個(gè)所述第一開口具有第一尺寸，其中，每個(gè)所述第二開口具有第二尺寸，其中，所述第二尺寸是所述第一尺寸的至少兩倍大。

8.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的面積比是大約4∶3。

9.如權(quán)利要求1所述的掩模，還包括在與所述第二區(qū)域相對的一側(cè)與所述第一區(qū)域相鄰的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域包括第三開口的陣列，每個(gè)所述第三開口具有沿著所述第一軸測量的第三長度，所述第三長度是所述第一長度的長度的至少兩倍，其中，所述第三開口沿著所述第一軸與所述第一開口基本對齊。

10.如權(quán)利要求9所述的掩模，其中，每個(gè)所述第三開口具有條形形狀。

11.一種用于在半成品顯示裝置上形成薄膜的沉積裝置，所述沉積裝置包括：

室；

基底支撐件，位于所述室內(nèi)；

至少兩個(gè)沉積源，面向所述基底支撐件，所述沉積源彼此分隔開，構(gòu)造所述沉積源來向所述基底支撐件蒸發(fā)沉積材料；

如權(quán)利要求1所述的掩模，所述掩模位于所述基底支撐件和所述沉積源之間，

其中，所述沉積源沿著所述第一軸基本上彼此對齊。

12.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

將半成品顯示裝置放置在如權(quán)利要求11所述的沉積裝置中，使得在所述顯示裝置置于所述基底支撐件和所述掩模之間的同時(shí)，用所述基底支撐件支撐所述顯示裝置，所述顯示裝置具有面向所述掩模的表面；

從所述沉積源蒸發(fā)沉積材料，使得所述沉積材料穿過所述掩模，從而選擇性地到達(dá)所述顯示裝置的所述表面的部分。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述顯示裝置是有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述沉積材料是有機(jī)發(fā)光材料。

15.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：

具有像素區(qū)的基底，所述像素區(qū)具有第一區(qū)域和在第一方向上與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域；

第一有機(jī)層的陣列，形成在所述基底的所述第一區(qū)域的上方，每個(gè)所述第一有機(jī)層具有沿著在所述第一方向上延伸的第一軸測量的第一長度；

第二有機(jī)層的陣列，形成在所述基底的所述第二區(qū)域的上方，每個(gè)所述第二有機(jī)層具有沿著所述第一軸測量的第二長度，所述第二長度是所述第一長度的長度的至少兩倍，其中，所述第二有機(jī)層沿著所述第一軸與所述第一有機(jī)層基本對齊。

16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述第一有機(jī)層和所述第二有機(jī)層由有機(jī)發(fā)光材料形成。

17.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述基底還包括在與所述第二區(qū)域相對的一側(cè)與所述第一區(qū)域相鄰的第三區(qū)域，其中，所述裝置還包括第三有機(jī)層的陣列，每個(gè)所述第三有機(jī)層具有沿著所述第一軸測量的第三長度，所述第三長度是所述第一長度的至少兩倍長，其中，所述第三有機(jī)層沿著所述第一軸與所述第一有機(jī)層基本對齊。