[發明專利]存儲介質中數據校驗方法

有效

• 申請號: 200710124977.4
• 申請日: 2007-12-12
• 公開（公告）號: CN101183565A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 羅挺;譚四方;成曉華
• 申請（專利權）人: 深圳市硅格半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及靜態存儲器領域，特別涉及存儲介質中數據校驗方法。

背景技術

現有閃存介質(Flash)的生產及使用過程會產生壞位(Bit)或壞塊(Block)。為確保閃存介質存儲數據的可靠性，一般需要在應用閃存介質的系統或芯片中檢測出壞位或壞塊的位置，然后把壞位或壞塊中的數據糾正過來，這一做法簡稱為校驗(ECC，Error?Checking?and?Correcting)。對閃存介質中數據的校驗常用比較專用和較復雜的校驗技術，例如RS(Reed-Solomon)校驗或BCH校驗等技術，能糾正多比特的錯誤，而且用硬件實現時，尋找錯誤的位置和糾正錯誤的速度很快。

以NAND閃存介質為例，對每一頁(page)進行校驗碼編碼常用兩種做法：

1、將數據存放在頁的前面部分，頁后面部分的冗余區則存放校驗碼；

2、每一段數據后面跟著存放一段校驗碼，一個頁里通常有至少兩組這樣排列的數據和校驗碼，而且大部分情況是512byte的數據+16byte的校驗碼的重復模式。

上述做法具有冗余區的限制，目前閃存介質的設計是每一個扇區即512個字節后跟有16個字節的冗余。根據目前的RS?ECC算法，16個字節的冗余區只能適合在512字節里校驗4個位的錯誤。而根據目前的BCH?ECC算法，16個字節的冗余區只能適合在512字節里校驗9個位的錯誤。并且ECC的算法相當復雜，想校驗更多的錯誤位(Bit)，一般需要更多的冗余區或增加算法的復雜度，從而增加芯片/系統的成本，也可能降低編碼、檢測和糾錯的速度。

一般情況下，如果操作時序和電路穩定性不存在問題，NAND閃存介質不會產生整個塊或頁全部出錯的情況，通常包含512Bytes的一個頁中只有一個或幾個位(Bit)出錯。

發明內容

本發明目的在于提供一種存儲介質中數據校驗方法，以提高數據校驗效率。

本發明提供存儲介質中數據校驗方法，包括：組織ECC數據矩陣；對數據編碼，產生行校驗碼和列校驗碼；在對ECC數據矩陣進行數據操作時，使用行校驗碼和列校驗碼對數據進行校驗。

優選地，上述組織ECC數據矩陣是將存儲介質的一個扇區分別作為一行，多個扇區分別取一個字節組成一列，多行與多列組成ECC數據矩陣。

優選地，上述ECC數據矩陣的每行分為多字節的行數據區和多字節的行校驗區，各行校驗區用于存放該行的行校驗碼；根據各行數據區中的數據分別編碼得到各行的行校驗碼，行校驗區的每一列分別存放行校驗碼的一個字節。

優選地，ECC數據矩陣的每列分為多字節的列數據區和多字節的列校驗區，各列校驗區用于存放該列的列校驗碼；根據各列數據區中的數據分別編碼得到各列的列校驗碼，列校驗區的每一行分別存放列校驗碼的一個字節。

優選地，上述將數據寫入存儲介質的過程包括：對數據編碼產生行校驗碼和列校驗碼的步驟；將數據與行校驗碼和列校驗碼組成ECC數據矩陣的步驟；將ECC數據矩陣寫入存儲介質的步驟。

上述將數據寫入所述存儲介質的過程還包括：判斷需要寫入的數據是否夠填滿一個數據矩陣，若不夠填滿一個數據矩陣則等待下次需要寫入的數據或用隨機數填充，使數據足夠填滿一個數據矩陣。

優選地，上述從存儲介質讀取數據的過程包括：從存儲介質中讀取ECC數據矩陣的步驟；對ECC數據矩陣中的數據，進行行校驗和/或列校驗的步驟；返回數據或校驗結果的步驟。

優選地，上述修改存儲介質中的數據的過程包括：從存儲介質中讀取ECC數據矩陣的步驟；對ECC數據矩陣中的數據進行行校驗和/或列校驗的步驟；修改數據，產生新的ECC數據矩陣的步驟；將新的ECC數據矩陣寫入存儲介質的步驟。

本發明比單獨的行校驗具有更強的糾錯能力，能糾正更多字節的錯誤，可提高校驗數據的位數，容許存儲介質出現較多的錯誤位數，并能很好地糾正這些錯誤。本發明能更好的支持MLC和4LC類的存儲介質，達到延長存儲介質的壽命，提高存儲介質利用率，降低系統成本的目的。

附圖說明

圖1是本發明存儲介質的扇區結構示意圖；

圖2是本發明第一實施例的ECC數據矩陣示意圖；

圖3是本發明第一實施例的寫數據流程示意圖；

圖4是本發明第一實施例的讀數據流程示意圖；

圖5是本發明第一實施例的修改數據流程示意圖；

圖6是本發明第一實施例對ECC數據矩陣校驗過程示意圖；

圖7是本發明第三實施例對ECC數據矩陣校驗過程示意圖。

本發明目的的實現、功能特點及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。