[發(fā)明專利]存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710124977.4
• 申請日: 2007-12-12
• 公開（公告）號: CN101183565A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅挺;譚四方;成曉華
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市硅格半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，包括：

組織ECC數(shù)據(jù)矩陣；

對數(shù)據(jù)編碼，產(chǎn)生行校驗碼和列校驗碼；

在對所述ECC數(shù)據(jù)矩陣進行數(shù)據(jù)操作時，使用所述行校驗碼和列校驗碼對數(shù)據(jù)進行校驗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，所述組織ECC數(shù)據(jù)矩陣是將所述存儲介質(zhì)的一個扇區(qū)分別作為一行，多個扇區(qū)分別取一個字節(jié)組成一列，多行與多列組成所述ECC數(shù)據(jù)矩陣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，所述ECC數(shù)據(jù)矩陣的每行分為多字節(jié)的行數(shù)據(jù)區(qū)和多字節(jié)的行校驗區(qū)，各行校驗區(qū)用于存放該行的行校驗碼；根據(jù)各行數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)分別編碼得到各行的行校驗碼，行校驗區(qū)的每一列分別存放行校驗碼的一個字節(jié)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于：

ECC數(shù)據(jù)矩陣的每列分為多字節(jié)的列數(shù)據(jù)區(qū)和多字節(jié)的列校驗區(qū)，各列校驗區(qū)用于存放該列的列校驗碼；根據(jù)各列數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)分別編碼得到各列的列校驗碼，列校驗區(qū)的每一行分別存放列校驗碼的一個字節(jié)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，將數(shù)據(jù)寫入所述存儲介質(zhì)的過程包括：

對數(shù)據(jù)編碼產(chǎn)生行校驗碼和列校驗碼的步驟；

將數(shù)據(jù)與行校驗碼和列校驗碼組成ECC數(shù)據(jù)矩陣的步驟；

將所述ECC數(shù)據(jù)矩陣寫入存儲介質(zhì)的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，將數(shù)據(jù)寫入所述存儲介質(zhì)的過程還包括：

判斷需要寫入的數(shù)據(jù)是否夠填滿一個數(shù)據(jù)矩陣，若不夠填滿一個數(shù)據(jù)矩陣則等待下次需要寫入的數(shù)據(jù)或用隨機數(shù)填充，使數(shù)據(jù)足夠填滿一個數(shù)據(jù)矩陣。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，從存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的過程包括：

從存儲介質(zhì)中讀取ECC數(shù)據(jù)矩陣的步驟；

對ECC數(shù)據(jù)矩陣中的數(shù)據(jù)，進行行校驗和/或列校驗的步驟；

返回數(shù)據(jù)或校驗結(jié)果的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，所述修改存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)的過程包括：

從存儲介質(zhì)中讀取ECC數(shù)據(jù)矩陣的步驟；

對ECC數(shù)據(jù)矩陣中的數(shù)據(jù)進行行校驗和/或列校驗的步驟；

修改數(shù)據(jù)，產(chǎn)生新的ECC數(shù)據(jù)矩陣的步驟；

將新的ECC數(shù)據(jù)矩陣寫入存儲介質(zhì)的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，所述對ECC數(shù)據(jù)矩陣中的數(shù)據(jù)進行行校驗和/或列校驗的步驟包括：

對所述ECC數(shù)據(jù)矩陣中的至少一行數(shù)據(jù)，使用行校驗碼分別校驗，再對所述ECC數(shù)據(jù)矩陣中的至少一列數(shù)據(jù)，使用列校驗碼分別校驗；

或?qū)λ鯡CC數(shù)據(jù)矩陣中的至少一列數(shù)據(jù)，使用列校驗碼分別校驗，再對所述ECC數(shù)據(jù)矩陣中的至少一行數(shù)據(jù)，使用行校驗碼分別校驗。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，所述對ECC數(shù)據(jù)矩陣中的數(shù)據(jù)進行行校驗和/或列校驗的步驟包括：

對所述ECC數(shù)據(jù)矩陣中的至少一列數(shù)據(jù)，使用列校驗碼分別校驗；

對所述ECC數(shù)據(jù)矩陣中的至少一行數(shù)據(jù)，使用行校驗碼分別校驗；

判斷上述校驗步驟是否糾正了錯誤，若糾正至少一錯誤則循環(huán)進行上述列校驗和行校驗過程，直到無法糾正任何錯誤。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)校驗方法，其特征在于，所述存儲介質(zhì)為Nand?Flash閃存介質(zhì)，所述ECC數(shù)據(jù)矩陣的一行對應(yīng)閃存介質(zhì)的一頁、一頁的部分或多個頁的組合。