[發(fā)明專利]進(jìn)氣裝置及反應(yīng)腔室

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710119581.0
• 申請(qǐng)日: 2007-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN101355010A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 南建輝;宋巧麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/67;C23C16/455;C23F4/00
• 代理公司: 北京凱特來(lái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 趙鎮(zhèn)勇;姚巍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，尤其涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備的進(jìn)氣裝置及反應(yīng)腔室。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體加工設(shè)備中，尤其在深亞微米半導(dǎo)體加工設(shè)備中，如；各種刻蝕設(shè)備或者CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備，反應(yīng)腔室進(jìn)氣的方式對(duì)設(shè)備本身的工藝性能及工藝刻蝕結(jié)果的影響很大。目前，反應(yīng)腔室的進(jìn)氣方式主要有：腔室底部進(jìn)氣方式和腔室上部進(jìn)氣方式。

現(xiàn)有技術(shù)一，如圖1所示，為在腔室底部部進(jìn)氣方式，反應(yīng)腔室2的上部設(shè)有上蓋1，反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)有下電極4，下電極4上可放置晶片3，在下電極4的周圍設(shè)有多個(gè)下進(jìn)氣口5，通過(guò)下進(jìn)氣口5向反應(yīng)腔室2內(nèi)供氣，進(jìn)行加工工藝，反應(yīng)后的氣體通過(guò)反應(yīng)腔室2側(cè)下方的抽氣腔室6抽走。

上述現(xiàn)有技術(shù)一至少存在以下缺點(diǎn)：氣流在反應(yīng)腔室2內(nèi)分布不均，工藝上對(duì)刻蝕結(jié)果會(huì)帶來(lái)不良影響，影響刻蝕的均勻性。另外，由于在下方進(jìn)氣，因此有的氣體沒(méi)有反應(yīng)就直接被抽走，增加了成本。

現(xiàn)有技術(shù)二，如圖2所示，為腔室上部進(jìn)氣方式，在上蓋1上增加一個(gè)進(jìn)氣嘴7，通過(guò)進(jìn)氣嘴7向反應(yīng)腔室2內(nèi)供氣。

上述現(xiàn)有技術(shù)二至少存在以下缺點(diǎn)：氣流在反應(yīng)腔室2內(nèi)分布不勻，工藝上會(huì)產(chǎn)生表現(xiàn)在刻蝕結(jié)果上的中間效應(yīng)(晶片中間部分和周邊部分刻蝕結(jié)果有差異)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種既能使氣流在反應(yīng)腔室內(nèi)分布均勻，又不增加成本的進(jìn)氣裝置及反應(yīng)腔室。

本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明的進(jìn)氣裝置為環(huán)狀，內(nèi)部設(shè)有環(huán)形空腔，所述進(jìn)氣裝置的外側(cè)壁上設(shè)有至少一個(gè)與所述環(huán)形空腔相通的進(jìn)氣口；所述進(jìn)氣裝置的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有多組出氣口，所述多組出氣口在所述內(nèi)側(cè)壁上沿環(huán)狀方向均勻分布，每組出氣口包括至少一個(gè)與所述環(huán)形空腔相通的出氣口。

本發(fā)明的反應(yīng)腔室，包括側(cè)壁、上蓋，所述的側(cè)壁與上蓋之間設(shè)有權(quán)利要求1至8所述的進(jìn)氣裝置，所述進(jìn)氣裝置內(nèi)側(cè)壁上的出氣口與反應(yīng)腔室相通；外側(cè)壁上的進(jìn)氣口與外部進(jìn)氣管路連接。

由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的進(jìn)氣裝置及反應(yīng)腔室，由于反應(yīng)腔室的側(cè)壁與上蓋之間裝有環(huán)狀進(jìn)氣裝置，工藝氣體可通過(guò)進(jìn)氣裝置從側(cè)面進(jìn)入反應(yīng)腔室，既能使氣流在反應(yīng)腔室內(nèi)分布均勻，減少由于氣流分布不勻?qū)に嚱Y(jié)果的影響，又能使工藝氣體充分反應(yīng)，降低成本。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)一的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)二的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的進(jìn)氣裝置的剖視圖；

圖5為本發(fā)明的進(jìn)氣裝置的截面形狀示意圖一；

圖6為本發(fā)明的進(jìn)氣裝置的截面形狀示意圖二；

圖7為本發(fā)明的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的進(jìn)氣裝置，其較佳的具體實(shí)施方式如圖3、圖4所示，所述的進(jìn)氣裝置8為環(huán)狀，可以是標(biāo)準(zhǔn)的圓環(huán)狀，也可以是其它非標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)狀，如橢圓、扁圓、方形、多邊形等，內(nèi)部設(shè)有環(huán)形空腔。

所述進(jìn)氣裝置8的外側(cè)壁上設(shè)有至少一個(gè)進(jìn)氣口9。也可以是2個(gè)、4個(gè)、6個(gè)、8個(gè)等，多個(gè)進(jìn)氣口9在所述外側(cè)壁上沿環(huán)狀方向均勻分布。

所述進(jìn)氣裝置8的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有多組出氣口10，可以是2組、4組、6組、8組等，所述多組出氣口10在所述內(nèi)側(cè)壁上沿環(huán)狀方向均勻分布。

每組出氣口10包括至少一個(gè)出氣口10，可以是1個(gè)、2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)等，出氣口10的方向與水平面之間的夾角為+85度～-85度。每個(gè)出氣口10的方向不一定一致，可以根據(jù)工藝需要進(jìn)行設(shè)置，可以是水平方向，也可以是與水平方向向上或向下傾斜15度、25度、45度、65度、85度等。

進(jìn)氣裝置8的截面形狀可以為矩形、梯形、多邊形等各種需要的形狀。

具體實(shí)施例一，如圖5所示，所述的進(jìn)氣裝置8的截面形狀為矩形。每組出氣口10包括3個(gè)出氣口10，3個(gè)出氣口10上下排列布置，其中中間一個(gè)出氣口10的方向?yàn)樗椒较颍幌逻呉粋€(gè)出氣口10的方向?yàn)樾毕蛳路较颍簧线呉粋€(gè)出氣口10的方向?yàn)樾毕蛏戏较颉?/p>

具體實(shí)施例二，如圖6所示，所述的進(jìn)氣裝置8的截面形狀為梯形。

所述梯形的上邊寬于下邊，所述的每組出氣口10包括3個(gè)出氣口10，3個(gè)出氣口10上下排列布置，其中上邊一個(gè)出氣口10的方向?yàn)樗椒较颍虚g和下邊的出氣口10的方向?yàn)樾毕蛳路较颉Ｆ渲校逻呉粋€(gè)出氣口10的方向向下傾斜的角度大于中間一個(gè)出氣口10向下傾斜的角度。所述梯形的上邊也可以窄于下邊。

具體應(yīng)用中，出氣口10的方向可以根據(jù)工藝的需要超任意方向，多個(gè)出氣口10的方向可以是任意方向的組合。