[發(fā)明專利]進(jìn)氣裝置及反應(yīng)腔室有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710119581.0 | 申請(qǐng)日: | 2007-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101355010A | 公開(公告)日: | 2009-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 南建輝;宋巧麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/67;C23C16/455;C23F4/00 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 趙鎮(zhèn)勇;姚巍 |
| 地址: | 100016北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 反應(yīng) | ||
1.一種進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述的進(jìn)氣裝置為環(huán)狀,內(nèi)部設(shè)有環(huán)形空腔,所述進(jìn)氣裝置的外側(cè)壁上設(shè)有至少一個(gè)與所述環(huán)形空腔相通的進(jìn)氣口;所述進(jìn)氣裝置的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有多組出氣口,所述多組出氣口在所述內(nèi)側(cè)壁上沿環(huán)狀方向均勻分布,每組出氣口包括至少一個(gè)與所述環(huán)形空腔相通的出氣口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述的進(jìn)氣裝置的截面形狀為矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述的每組出氣口包括3個(gè)出氣口,3個(gè)出氣口上下排列布置,其中中間一個(gè)出氣口的方向?yàn)樗椒较颍幌逻呉粋€(gè)出氣口的方向?yàn)樾毕蛳路较颍簧线呉粋€(gè)出氣口的方向?yàn)樾毕蛏戏较颉?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述的進(jìn)氣裝置的截面形狀為梯形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述梯形的上邊寬于下邊,所述的每組出氣口包括3個(gè)出氣口,3個(gè)出氣口上下排列布置,其中上邊一個(gè)出氣口的方向?yàn)樗椒较颍虚g和下邊的出氣口的方向?yàn)樾毕蛳路较颉?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述下邊一個(gè)出氣口的方向向下傾斜的角度大于中間一個(gè)出氣口向下傾斜的角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述的每組出氣口中,每個(gè)出氣口的方向與水平面之間的夾角為+85度~-85度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的進(jìn)氣裝置,其特征在于,所述進(jìn)氣裝置由以下至少一種材料制成:金屬、石英、陶瓷、樹脂。
9.一種反應(yīng)腔室,包括側(cè)壁、上蓋,其特征在于,所述的側(cè)壁與上蓋之間設(shè)有權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的進(jìn)氣裝置,所述進(jìn)氣裝置內(nèi)側(cè)壁上的出氣口與反應(yīng)腔室相通;外側(cè)壁上的進(jìn)氣口與外部進(jìn)氣管路連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述的進(jìn)氣裝置的截面形狀為梯形,所述梯形的上邊寬于下邊,所述進(jìn)氣裝置的上面與所述上蓋接觸;下面與所述側(cè)壁接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





