[發明專利]用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法

無效

• 申請號: 200710117617.1
• 申請日: 2007-06-20
• 公開（公告）號: CN101330002A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 閆發旺;高海永;張揚;李晉閩;曾一平;王國宏;張會肖
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1、一種用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：在用于氮化物外延生長的藍寶石襯底上淀積一層二氧化硅膜；

步驟2：利用常規光刻技術制備出光刻圖形的掩膜；

步驟3：利用氫氟酸+氟化氨+H₂O混合液，將光刻圖形刻蝕到二氧化硅膜上；

步驟4：以圖形二氧化硅膜作為掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液濕法刻蝕藍寶石襯底，將圖形刻蝕到藍寶石襯底上；

步驟5：利用稀氫氟酸溶液濕法腐蝕去掉殘余的二氧化硅膜，并將藍寶石襯底清洗干凈，完成圖形藍寶石襯底的制備。

2、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中所述的藍寶石襯底為(0001)或c面、(1102)或r面、(1010)或m面、(1120)或a面藍寶石襯底中的任何一種。

3、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中二氧化硅膜的厚度為20納米-2微米。

4、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中光刻圖形為周期性圖形陣列，且其光刻圖形的單元由圓形、方形、正六邊形、菱形、三角形或不規則圖形中的任何一種或幾種組合而成。

5、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中光刻圖形中每個單元的尺寸及間距為1微米-10微米。

6、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中光刻圖形的結構為臺面狀或凹槽狀中的任何一種或兩種組合。

7、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中硫酸和磷酸的混合液濕法刻蝕的溫度為320℃-520℃之間，刻蝕的時間為30秒-30分鐘。

8、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中用于氮化物外延生長的氮化物是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鎵銦、氮化鋁銦或氮化鋁鎵銦中的任何一種或幾種的組合。

9、根據權利要求1所述的用于氮化物外延生長的圖形藍寶石襯底的制作方法，其特征在于，其中用于氮化物外延生長的方法為金屬有機物化學氣相淀積方法、氫化物氣相外延方法或分子束外延的方法中的任何一種或幾種組合。