[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200710112263.1
• 申請日: 2007-06-29
• 公開（公告）號: CN101097963A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 鹽野入豐;王丸拓郎
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.一種半導體裝置，包括：

在襯底上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括具有溝道形成區域、源區及漏區的島狀半導體膜，其中柵絕緣膜形成為與所述島狀半導體膜相鄰，并且柵電極形成為與所述島狀半導體膜相鄰；

在所述薄膜晶體管上的層間絕緣膜；

形成在所述層間絕緣膜中并與所述源區及所述漏區之一方接觸的多個第一接觸孔；以及

形成在所述層間絕緣膜中并與所述源區及所述漏區之另一方接觸的第二接觸孔，

其中，所述第二接觸孔的直徑大于所述多個第一接觸孔的每一個的直徑，且

所述多個第一接觸孔的底面積的合計與所述第二接觸孔的底面積相等。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述薄膜晶體管用于非易失性存儲電路。

3.一種半導體裝置，包括：

在襯底上的第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括具有第一溝道形成區域、第一源區及第一漏區的第一島狀半導體膜，其中柵絕緣膜形成為與所述第一島狀半導體膜相鄰，并且第一柵電極形成為與所述第一島狀半導體膜相鄰；

在所述襯底上的第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管包括具有第二溝道形成區域、第二源區及第二漏區的第二島狀半導體膜，其中所述柵絕緣膜形成為與所述第二島狀半導體膜相鄰，并且第二柵電極形成為與所述第二島狀半導體膜相鄰；

在所述第一薄膜晶體管及所述第二薄膜晶體管上的層間絕緣膜；

形成在所述層間絕緣膜中并與所述第一源區及所述第一漏區之一方接觸的多個第一接觸孔；

形成在所述層間絕緣膜中并與所述第二源區及所述第二漏區之一方接觸的多個第二接觸孔；以及

形成在所述層間絕緣膜中并與所述第一源區及所述第一漏區之另一方、以及所述第二源區及所述第二漏區之另一方中的任一個接觸的第三接觸孔；

其中，所述第三接觸孔的直徑大于所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的每一個的直徑，且

所述多個第一接觸孔的底面積的合計、所述多個第二接觸孔的底面積的合計、以及所述第三接觸孔的底面積相等。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第一薄膜晶體管及所述第二薄膜晶體管用于非易失性存儲電路。

5.一種半導體裝置，包括：

在襯底上的第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括具有第一溝道形成區域、第一源區及第一漏區的第一島狀半導體膜，其中第一柵絕緣膜形成為與所述第一島狀半導體膜相鄰，并且第一柵電極形成為與所述第一島狀半導體膜相鄰；

在所述襯底上的第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管包括具有第二溝道形成區域、第二源區及第二漏區的第二島狀半導體膜，其中第二柵絕緣膜形成為與所述第二島狀半導體膜相鄰，并且第二柵電極形成為與所述第二島狀半導體膜相鄰；

在所述第一薄膜晶體管及所述第二薄膜晶體管上的層間絕緣膜；

形成在所述層間絕緣膜中并與所述第一源區及所述第一漏區之一方接觸的第一接觸孔；

形成在所述層間絕緣膜中并與所述第一源區及所述第一漏區之另一方接觸的第二接觸孔；

形成在所述層間絕緣膜中并與所述第二源區及所述第二漏區之一方接觸的多個第三接觸孔；以及

形成在所述層間絕緣膜中并與所述第二源區及所述第二漏區之另一方接觸的第四接觸孔，

其中，所述第一接觸孔的底面積與所述第二接觸孔的底面積相等，

所述第四接觸孔的直徑大于所述多個第三接觸孔的每一個的直徑，且

所述多個第三接觸孔的底面積的合計、以及所述第四接觸孔的底面積大于所述第一接觸孔的底面積、以及所述第二接觸孔的底面積。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述第二薄膜晶體管用于非易失性存儲電路，而所述第一薄膜晶體管用于控制所述非易失性存儲電路的邏輯電路。