[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 200710111901.8
• 申請日: 2007-06-20
• 公開（公告）號: CN101271882A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 陳憲偉;陳學忠;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

技術領域

本發明涉及一種半導體元件，且特別是包括一種用以最小化或消減芯片上(on-chip)內連線的電感的半導體元件結構。

背景技術

圖1揭示一公知可傳送電信號的電纜10，電纜10包括一核心12，其可以是例如銅的固態金屬。一同心的絕緣層14(例如塑膠的非導電材料)位于核心12上。一同心的接地層16位于絕緣層14上，用作一接地路徑和電磁干擾護罩(electromagnetic?interference?shield)。

圖2揭示部分的半導體元件，包括一第一平板信號線18、一第二平板信號線20和一介于第一平板信號線18和第二平板信號線20間的第一平板接地線22。一第二平板接地線24設置于第一平板信號線18的外側。一第三平板接地線26設置于第二平板信號線20的外側。可于信號線18、20與接地線22、24和26間設置一絕緣層(未示出)。

圖3揭示部分的公知半導體元件，包括一第一平板信號線28和一位于第一平板信號線下的平板接地層30。可于信號線28和平板接地層30間設置一絕緣層(未示出)。

圖4揭示部分的公知半導體元件，包括一第一平板信號線32、一第一平板接地線34和一第二平板接地線36，其中第一平板接地線34設置于第一平板信號線32的一側，第二平板接地線36設置于第一平板信號線32的另一側。一第一平板接地層38位于第一平板信號線32、第一平板接地線34和第二平板接地線36下方。可于信號線32、接地線34、36和平板接地層38間設置一絕緣層(未示出)。

圖5揭示部分的公知半導體元件，包括一第一平板接地層38、一第一平板接地線34和一第二平板接地線36，其中第一平板接地層38設置于一第一平板信號線32下方，第一平板接地線34鄰近平板信號線32一側，第二平板接地線36鄰近平板信號線32另一側。一第二平板接地層40位于平板信號線32、第一平板接地線34和第二平板接地線36上方。

發明內容

根據上述，本發明提供一種半導體元件，包括一第一信號線和一接地線，其中第一信號線包括一開口，且至少部分的接地線位于開口中。

在上述半導體元件中，該第一信號線和該接地線位于相同的水平面上。

在上述半導體元件中，還包括一介電材料，填入該開口中，將該第一信號線和該接地線隔絕。

在上述半導體元件中，還包括一插塞，電性連接該接地線和一第一接合墊。

在上述半導體元件中，該部分接地線包括一上表面、一下表面、一第一側邊、一相對該第一側邊的第二側邊、一第一尾端和一第二尾端，其中該第一信號線至少包圍該部分接地線的上表面、下表面、第一側邊、第二側邊、第一尾端和第二尾端四個部位。

在上述半導體元件中，該開口鄰接該第一信號線的一側。

在上述半導體元件中，還包括一位于該開口中的一第二信號線，其中該第二信號線和該接地線經由一介電材料隔絕。

在上述半導體元件中，還包括一重分配連接線，連接該第一接合墊和該插塞。

本發明的另一實施例中，提供一種半導體元件，包括：一內連線介電層；一第一信號線，位于一內連線介電層上，其中第一信號線包括一開口；一部分的接地線，位于開口中和內連線介電層上，其中第一信號線和接地線彼此隔絕。

本發明另一實施例中，提供一種半導體元件，包括：一內連線介電層；一第一信號線，位于一內連線介電層上，其中第一信號線包括一開口，且開口填入一第一介電層；一接地線，位于第一信號線上方且位于開口中，其中第一信號線和接地線經由第一介電層隔絕；和一第二信號線，位于接地線上方，其中第二信號線和接地線經由一第二介電層隔絕。

通過本發明的上述技術方案能夠最小化或消減芯片上內連線的電感。

附圖說明

圖1揭示一公知電纜。

圖2揭示部分的半導體元件。

圖3揭示部分的公知半導體元件。

圖4揭示部分的公知半導體元件。

圖5揭示部分的公知半導體元件。

圖6A顯示本發明一實施例部分的半導體元件的上視圖。

圖6B顯示沿圖6A的6B-6B’剖面線的剖面圖。

圖7A揭示本發明另一實施例半導體元件的上視圖。

圖7B顯示沿圖7A的7B-7B’剖面線的剖面圖。

圖8A揭示本發明又另一實施例半導體元件的上視圖。

圖8B顯示沿圖8A的8B-8B’剖面線的剖面圖。

圖9A揭示本發明又另一實施例半導體元件的上視圖。

圖9B顯示沿圖9A的9B-9B’剖面線的剖面圖。