[發明專利]最佳化一集成電路臨界尺寸的方法與光罩

無效

• 申請號: 200710111439.1
• 申請日: 2007-06-20
• 公開（公告）號: CN101174581A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 柯志明;高蔡勝;游信勝;謝弘璋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;G03F1/14
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種最佳化一集成電路的臨界尺寸的方法，其特征在于其包括：

提供一使用于該集成電路中的第一光罩，其中該集成電路至少包括一元件區域；

提供一第二光罩，該光罩由該第一光罩復制而成，該光罩至少包括該第一光罩的圖案；以及

使用該第一光罩及該第二光罩對該集成電路執行至少一次微影制程，其中使用該第二光罩最佳化該集成電路的臨界尺寸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第二光罩包括多個犧牲圖案或多個平面圖案。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的犧牲圖案是多個光柵圖案。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的平面圖案為不規則圖案，提供平面區域，其不規則圖案位于該至少一個元件區域。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中在該些犧牲圖案中的一犧牲圖案尺寸為3微米到70微米，并平均分布于該第二光罩之上。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于其中該些犧牲圖案包括多個平面圖案以及多個光柵圖案。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于其中使用該第二光罩最佳化該集成電路臨界尺寸包括：

使用該些光柵圖案決定一第一層的臨界尺寸；

使用該些平面圖案決定該第一層之下的一第二層的臨界尺寸，其中該些平面圖案用以為該第二層的不規則圖案提供一平面區域；以及

藉由該第一層的臨界尺寸以及該第二層的臨界尺寸以達到該集成電路臨界尺寸最佳化。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于其中所述的第一層是一氧化物范圍層，且該第二層是一多晶層。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于其中一間距存在于該些犧牲圖案之間。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于其中所述的間距的尺寸比該些犧牲圖案中的一犧牲圖案尺寸大。

11.根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中該些犧牲圖案中的每一個犧牲圖案皆具有9微米平方到490微米平方的面積。

12.根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中使用該第二光罩最佳化集成電路臨界尺寸包括：

由該些犧牲圖案中選擇出多個局部犧牲圖案；

決定該些局部犧牲圖案的臨界尺寸；以及

利用該些局部犧牲圖案的臨界尺寸以達到該集成電路臨界尺寸最佳化。

13.一用以最佳化一集成電路臨界尺寸的光罩，其特征在于其包括：

多個光柵圖案；以及

多個平面圖案，其中該光罩是一集成電路生產光罩的復本，其中該生產光罩包括至少一個元件區域。

14.根據權利要求13所述的光罩，其特征在于其中該些平面圖案為該集成電路第二層的不規則圖案提供平面區域。

15.根據權利要求14所述的光罩，其特征在于其中該些平面圖案重疊于該至少一個元件區域。