[發(fā)明專利]防護(hù)薄膜組件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710110347.1
• 申請日: 2007-06-13
• 公開（公告）號: CN101089729A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 濱田裕一
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;B29C41/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張平元;趙仁臨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光蝕刻用防護(hù)薄膜組件，其在制造LSI、超LSI等半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板時(shí)，作為光蝕刻用掩模的防塵器使用。

背景技術(shù)

在LSI、超LSI等半導(dǎo)體或是液晶顯示板等產(chǎn)品的制造中，是用光照射半導(dǎo)體晶圓或液晶用原板以制作形成圖案，惟若此時(shí)所使用的曝光原板(光蝕刻用掩模)有灰塵附著的話，由于該灰塵會吸收光，使光彎曲，故除了會使轉(zhuǎn)印的圖案變形、使邊緣變粗糙以外，還會使基底污黑，并損壞尺寸、品質(zhì)、外觀等。

因此，該等作業(yè)通常在無塵室中進(jìn)行，惟即使在該無塵室內(nèi)亦難以經(jīng)常保持曝光原板清潔，遂采取在曝光原板表面上貼附對曝光用光線透光性良好的防護(hù)薄膜組件作為防塵器之用的方法。此時(shí)，因灰塵未直接附著于曝光原板表面上而是附著于防護(hù)薄膜上，故只要在光蝕刻時(shí)將焦點(diǎn)對準(zhǔn)曝光原板的圖案上，防護(hù)薄膜上的灰塵就不會影響轉(zhuǎn)印。

防護(hù)薄膜組件的基本構(gòu)造如下：使用對曝光用光線具備良好透光性的硝化纖維素、醋酸纖維素、氟系聚合物等物質(zhì)構(gòu)成透明防護(hù)薄膜，使用實(shí)施過黑色氧皮鋁處理的JIS?A7075、A6061、A5052等規(guī)格的鋁合金、不銹鋼、聚乙烯等材質(zhì)構(gòu)成防護(hù)薄膜組件框(框架)，在框架上部涂布防護(hù)薄膜的良溶劑，將防護(hù)薄膜風(fēng)干粘接于框架上部(參照專利文獻(xiàn)1)，或是用丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或氟樹脂等粘接劑粘接(參照專利文獻(xiàn)2以及3)，接著，為了在防護(hù)薄膜組件框下部裝設(shè)曝光原板，而使用聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂以及硅樹脂等物質(zhì)構(gòu)成粘接層，以及以保護(hù)粘接層為目的的初縮屏蔽粘接劑保護(hù)用墊片。

防護(hù)薄膜組件以包圍掩模基板表面上所形成之圖案范圍的方式設(shè)置。由于防護(hù)薄膜組件是用來防止掩模基板上附著灰塵而設(shè)置的對象，故能將該圖案范圍與防護(hù)薄膜組件外部隔離，使防護(hù)薄膜組件外部的塵埃不會附著于圖案面上。

近年，LSI的布局規(guī)則向0.25微米以下微細(xì)化進(jìn)展，隨之曝光光源也向短波長化進(jìn)展，亦即，逐漸從原為主流的水銀燈的g線(436nm)、i線(365nm)，變成使用KeF準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(193nm)、F₂激光(157nm)等激光。曝光光線像這樣朝短波長化發(fā)展，當(dāng)然曝光光線所持能量也會變高。比起習(xí)知波長的光線而言，使用高能量光線更可能使曝光環(huán)境中所存在的氣體狀物質(zhì)反應(yīng)而在掩模基板上產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)生物。于是，遂采取盡量減少無塵室內(nèi)的氣體狀物質(zhì)，徹底洗凈初縮屏蔽，以及從防護(hù)薄膜組件構(gòu)成物質(zhì)中排除會發(fā)散氣體的物質(zhì)等的對策。特別是防護(hù)薄膜組件，由于其是直接貼附于掩模基板上使用的對象，故我們遂要求防護(hù)薄膜組件的構(gòu)成材料，亦即由有機(jī)材料所構(gòu)成的初縮屏蔽粘接劑、膜層粘接劑、內(nèi)壁涂布劑等物質(zhì)的發(fā)散氣體特性降低，因而情況有所改善。然而，掩模基板上所發(fā)生的所謂“霧靄(haze)”的霧狀異物，即使初縮屏蔽的洗凈程度或防護(hù)薄膜組件構(gòu)成材料的發(fā)散氣體特性降低程度再怎么進(jìn)展，也無法完全防止其發(fā)生，而成為半導(dǎo)體制造成品率降低的原因。

[專利文獻(xiàn)1]特開昭58-219023號公報(bào)

[專利文獻(xiàn)2]美國專利第4861402號說明書

[專利文獻(xiàn)3]特公昭63-27707號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所欲解決的問題

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種防護(hù)薄膜組件，其能減少水溶性離子、減少氣體釋放，且抑制硫酸銨等霧靄發(fā)生。

解決問題的方法

為解決相關(guān)問題，本發(fā)明人不斷致力檢討努力，結(jié)果發(fā)現(xiàn)作為防護(hù)薄膜框架使用的鋁合金，其表面的陽極氧化包覆膜中若含有硫酸、硝酸、有機(jī)酸等物質(zhì)，該等物質(zhì)在曝光環(huán)境下會從框架表面的陽極氧化包覆膜中脫離釋出，并滯留于防護(hù)薄膜組件與掩模的密閉空間內(nèi)，當(dāng)該等物質(zhì)照射到曝光時(shí)的短波長紫外線時(shí)，便會產(chǎn)生例如硫酸銨等的硫氧化合物。

于是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在鋁合金框架表面上形成聚合物包覆膜能有效解決問題。另發(fā)現(xiàn)該聚合物包覆膜宜以電沉積形成為佳，而以熱固化型樹脂的陰離子電沉積來形成更好。通過該等方法，便能制作出一種防護(hù)薄膜組件，其能減少習(xí)知陽極氧化包覆膜中所含有之硫酸、硝酸、有機(jī)酸等酸類的釋出，且即使在短波長紫外光的曝光環(huán)境下霧靄發(fā)生率也很低。

亦即，本發(fā)明的上述問題，可用以下的手段(1)解決之。較佳實(shí)施方式(2)～(10)一并列載。

(1)一種防護(hù)薄膜組件，其特征為包含：表面上有聚合物包覆膜的鋁合金制防護(hù)薄膜框架，以及張?jiān)O(shè)于該框架上的防護(hù)薄膜。