[發明專利]閃存裝置及用以控制其擦除操作的方法

有效

• 申請號: 200710110175.8
• 申請日: 2007-06-18
• 公開（公告）號: CN101178937A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 李熙烈
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16;G11C16/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 郭定輝;黃小臨

1.一種非易失性存儲器裝置，包括：

第一及第二存儲器單元塊，每一存儲器單元塊包括多個存儲器單元并包括局部漏極選擇線、局部源極選擇線及多條局部字符線；

塊選擇單元，分別連接給定局部字符線至全局字符線以響應塊選擇信號；

第一偏壓產生器，配置成用以在擦除操作期間施加至少第一及第二擦除電壓至全局字符線，第一擦除電壓在擦除操作的第一擦除嘗試期間被施加至全局字符線，第二擦除電壓在第二擦除嘗試期間被施加至全局字符線，其中如果第一擦除嘗試未成功地實施擦除操作，則實施第二擦除嘗試，第一及第二擦除電壓是正電壓；以及

本體電壓產生器，在擦除操作期間施加本體電壓至存儲器單元的本體。

2.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中每次實施新擦除嘗試時，藉由給定電壓減少被施加至全局字符線的擦除電壓，其中在預定次數的失敗擦除嘗試后，停止給定擦除操作。

3.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中第一偏壓產生器產生擦除電壓，以便局部字符線與本體間的電壓差在第一擦除嘗試時變成15V，本體是井區，在井區中形成有第一存儲器單元塊。

4.如權利要求3所述的存儲器裝置，其中每次實施新擦除嘗試時，藉由給定電壓減少被施加至全局字符線的擦除電壓，其中給定電壓不大于0.5V。

5.如權利要求1所述的存儲器裝置，進一步包括：

頁緩沖器，用以讀取在存儲器單元中所儲存的數據；以及

Y-譯碼器，用以輸出在頁緩沖器中所儲存的數據至數據I/O緩沖器及第一偏壓產生器。

6.如權利要求5所述的存儲器裝置，其中第一偏壓產生器根據Y-譯碼器所輸出的數據減少第一擦除電壓至第二擦除電壓，

其中存儲器裝置是NAND閃存裝置。

7.一種閃存裝置，包括：

多個存儲器單元塊，每一存儲器單元塊分別包括局部漏極選擇線、局部源極選擇線及多條局部字符線，而多個存儲器單元連接至局部漏極選擇線、局部源極選擇線及多條局部字符線；

塊選擇單元，分別連接局部字符線至全局字符線以響應塊選擇信號；

第一偏壓產生器，在擦除操作時施加正擦除電壓至全局字符線；以及

本體電壓產生器，配置成用以在擦除操作的第一擦除嘗試期間施加第一本體電壓至存儲器單元的本體，以及如果尚未適當地實施第一擦除嘗試，則在第二擦除嘗試期間施加第二本體電壓至本體。

8.如權利要求7所述的閃存裝置，其中如果第一擦除嘗試尚未擦除針對擦除操作所選擇的所有存儲器單元，則認為尚未適當地實施第一擦除嘗試。

9.如權利要求7所述的閃存裝置，其中本體電壓產生器產生第一本體電壓，以便局部字符線與本體間的電壓差在初始擦除操作時為至少15V。

10.如權利要求9所述的閃存裝置，其中本體電壓產生器增加第一本體電壓不超過1V以產生第二本體電壓。

11.如權利要求7所述的閃存裝置，進一步包括：

頁緩沖器，用以讀取在存儲器單元中所儲存的數據；以及

Y-譯碼器，用以輸出在頁緩沖器中所儲存的數據至數據I/O緩沖器及本體電壓產生器。

12.如權利要求11所述的閃存裝置，其中本體電壓產生器根據Y-譯碼器所輸出的數據產生第二本體電壓，以便實施擦除操作的第二擦除嘗試。

13.一種閃存裝置，包括：

多個存儲器單元塊，每一存儲器單元塊分別包括局部漏極選擇線、局部源極選擇線及多條局部字符線，而多個存儲器單元連接至局部漏極選擇線、局部源極選擇線及多條局部字符線；

塊選擇單元，用以分別連接局部字符線至全局字符線以響應塊選擇信號；

第一偏壓產生器，用以在擦除操作時施加正擦除電壓至全局字符線，以及如果存在尚未被擦除的存儲器單元，則減少擦除電壓及施加經降低的擦除電壓至全局字符線，以便再次實施擦除操作；以及

本體電壓產生器，用以在擦除操作時施加本體電壓至存儲器單元的本體，以及如果存在尚未被擦除的存儲器單元，則增加本體電壓及施加經增加的本體電壓至本體，以便再執行擦除操作。