[發明專利]半導體晶片的結晶方位指示標記檢測機構

有效

• 申請號: 200710109910.3
• 申請日: 2007-06-11
• 公開（公告）號: CN101086975A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 關家一馬
• 申請（專利權）人: 株式會社迪斯科
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 溫大鵬

技術領域

本發明涉及對在半導體晶片的側面所設置的表示結晶方位的指示標記進行檢測的機構，尤其涉及用來對下述指示標記進行檢測的機構，所述指示標記落入在半導體晶片的外周邊緣部上形成的曲面狀面加工部的區域內，平坦并表示結晶方位。

背景技術

作為使在硅等單晶半導體晶片(以下簡單稱為“晶片”)的正面上形成有半導體器件的半導體晶片變薄的方法，公知的方法是僅將相當于器件形成區域的背面加工到必要的厚度，而外周剩余區域與該器件形成區域相比被較厚地保留(例如，參照特開2004-281551號公報、特開2005-123425號公報)。記載在特開2004-281551號公報以及特開2005-123425號公報中的現有方法是：使用具有表示半導體晶片的結晶方位的三角形狀的凹口或定向平面等結晶方位指示標記的半導體晶片，配合該結晶方位而在半導體晶片正面上形成半導體器件，僅對相當于該器件形成區域的背面進行薄化加工。在該情況下，由于凹口或定向平面形成為向半導體晶片的徑向中心方向切入的形狀，所以，為了在晶片整周充分確保外周剩余區域的寬度，則外周剩余區域的寬度自然需要加大。為此，在具有凹口或定向平面的晶片的情況下，外周剩余區域的寬度相應需更寬些，因而器件區域的面積減少，可由一張半導體晶片生產的器件片的數量也減少，導致成本增加。

為此，本發明人提出了一種半導體晶片，其在半導體晶片的外周剩余區域的外周邊緣部具有平坦面作為表示半導體晶片的結晶方位的標記，該平坦面不但與半導體晶片的面方向正交而且落入在外周邊緣部上所形成的凸面狀面加工部的區域內。

在半導體晶片的正面上形成器件時，通過傳感器來檢測定向平面等結晶方位指示標記，配合結晶方位來描繪器件電路，但是，現有的具有凹口或定向平面的半導體晶片，是將半導體晶片同軸地吸附在可轉動的吸附臺上，并通過以夾持半導體晶片的緣部的方式配置的光學傳感器來檢測結晶方位指示標記。該光學傳感器具備投光部和受光部，從投光部投射的光，透過結晶方位指示標記的空隙而被受光部接受，由此檢測結晶方位指示標記。

但是，在本發明人此前提出的具有結晶方位指示標記的半導體晶片中，結晶方位指示標記相對于半導體晶片的外周圓凹進的量較小，所以從半導體晶片的正面和背面進行投光、受光的情況下，光量的變化較小，因此，存在結晶方位指示標記檢測較難這樣的問題。

發明內容

因而，本發明的目的是，提供一種即使是從外周圓到結晶方位指示標記的凹進量較小的半導體晶片，也能可靠檢測結晶方位識別標記的半導體晶片的結晶方位指示標記檢測機構。

本發明是一種半導體晶片的結晶方位指示標記檢測機構，所述半導體晶片在器件區域的周圍具有圓形的外周剩余區域，所述器件區域將多個器件形成在或者預定形成在正面上，在外周剩余區域的外周邊緣部的面加工部的區域內，作為表示該半導體晶片的結晶方位的標記而形成有與該半導體晶片的面方向正交的平坦面，該半導體晶片的結晶方位指示標記檢測機構檢測該半導體晶片的該平坦面，其特征在于，包括：具有與該半導體晶片的面方向平行的光軸的光學式傳感器、和保持該半導體晶片的能夠旋轉的保持臺。

在本發明中，當邊以保持臺保持半導體晶片(以下簡稱為“晶片”)并使其旋轉，邊使光從光學式傳感器投射到晶片的側面時，在光學式傳感器的光軸變得與平坦面垂直時，光學式傳感器接受到被平坦面反射的反射光，從而檢測到平坦面。因而，即使是從晶片的外周圓到結晶方位指示標記的凹進量較小的晶片，也能可靠檢測結晶方位識別標記(以下簡稱為“標記”)。

可以設計成，由本發明的結晶方位指示標記檢測機構檢測到標記時，使保持臺立即停止。或者可以使保持臺旋轉既定角度之后再停止。為了進行這樣的動作，例如可以設計成，在保持臺的旋轉軸上具備編碼器，并且包括：存儲機構，對光學式傳感器對反射光有反應的位置上的旋轉軸的編碼器值進行存儲；和旋轉機構，使該保持臺旋轉，并與根據該有反應的位置預先指定的位置相吻合地停止。

在檢測出標記并對晶片進行定位后，晶片保持著該方位而被從保持臺搬送到例如器件形成機構上，以對應于半導體的結晶方位的配置來形成器件。用于形成器件的工序涉及數十個步驟，因而在各工序中均配置本發明的晶片的結晶方位指示標記檢測機構，進行標記的檢測和晶片的定位。或者是，在形成器件后進行晶片的薄化，并在之后將晶片粘貼在切塊帶(dicingtape)上時，在對粘貼在切塊帶周圍的切塊框和晶片的方位進行定位時，也進行標記的檢測。另外，在將晶片粘貼在切割帶上之后，利用切塊框上形成的定位用的缺口進行晶片的定位，以該位置為基準進行切塊。