[發明專利]有機半導體裝置及制造法、有機電致發光裝置及制造法

有效

• 申請號: 200710109512.1
• 申請日: 2007-06-27
• 公開（公告）號: CN101097990A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 深瀨章夫;富岡俊二;柳原弘和
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/56;H05B33/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

技術領域

本發明涉及一種有機半導體裝置的制造方法、有機半導體裝置、有機電致發光裝置的制造方法及有機電致發光裝置。?

背景技術

顯示器等顯示裝置中使用的有機電致發光裝置(以下稱為“有機EL裝置”。)通常構成為在基板上設置有：含有具有發光性的發光層和具有空穴輸送性的空穴輸送層的有機層，和夾持該有機層的陰極及陽極。成為層疊有機EL裝置的發光層與空穴輸送層而成的構成。通過來自陰極的電子與來自陽極的空穴在發光層結合來發光。?

作為形成發光層、空穴輸送層2個有機層的手法，包括利用蒸鍍法使構成該發光層及空穴輸送層的材料依次在基板上成膜、層疊的手法(干法工藝(dry?process))，或制作使構成發光層及空穴輸送層的材料溶解或分散于有機溶劑而成的液態組合物，使該液態組合物在基板上成膜之后，使有機溶劑蒸發的手法(濕法工藝(wet?process))等。作為濕法工藝，可以舉出例如噴墨法。利用噴墨法，即使在大面積的基板上也可以容易地形成有機層，所以在近年來正在大型化的顯示器用有機EL裝置等的制造中，尤其被期待(例如參照專利文獻1～專利文獻3)。?

專利文獻1：特開2000-77185號公報?

專利文獻2：特開2000-208254號公報?

專利文獻3：特開2000-243300號公報?

但是，在利用噴墨法形成有機層的情況下，涂布液態組合物的對象面的表面的疏液性或親液性大多變得不均一，涂布膜的膜厚大多變得不均一。不僅是有機EL裝置如此，而且在層疊有機膜的顯示器例如有機晶體管等其他有機半導體裝置中也存在同樣的問題。?

發明內容

鑒于上述情況，本發明的目的在于，提供一種可以使有機半導體層的層厚均一的有機半導體裝置的制造方法、有機半導體裝置、有機電致發光裝置的制造方法以及有機電致發光裝置。?

為了實現上述目的，本發明中的有機半導體裝置的制造方法是在基板上層疊多個有機半導體層而成的有機半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備第1有機半導體層形成工序和在所述第1有機半導體層形成工序中形成的所述第1有機半導體層上形成所述第2有機半導體層的第2有機半導體層形成工序，其中的第1有機層形成工序具有：涂布膜形成工序，其是在包括所述基板的表面及所述多個有機半導體層中的其他有機半導體層的表面的對象面上，形成使構成所述多個有機半導體層中的一個有機半導體層的材料溶解或分散于第1溶劑而成的液態組合物的涂布膜；變質工序，其是使所述涂布膜中所述對象面側的規定的厚度部分按照不溶解于含有所述第1溶劑的規定溶劑的方式發生變質；和除去工序，其利用所述規定的溶劑除去所述涂布膜中在所述變質工序中沒有發生變質的非變質部分。?

利用本發明，在包括基板的表面及多個有機半導體層中的其他有機半導體層的表面的對象面上，形成使構成多個有機半導體層中的一個有機半導體層的材料溶解或分散于第1溶劑而成的液態組合物的涂布膜，使該涂布膜中對象面側的規定的厚度部分按照不溶解于含有第1溶劑的規定溶劑的方式發生變質，利用規定的溶劑除去涂布膜中沒有發生變質的非變質部分，所以已發生變質的規定的厚度部分的涂布膜殘留，該涂布膜的殘留部分成為有機半導體層。這樣，可以形成具有均一膜厚的有機半導體層。?

另外，優選在所述基板的表面設置與所述多個有機半導體層電連接的電極，所述對象面為所述電極的表面。?

利用本發明，在基板的表面設置與多個有機半導體層電連接的電極，對象面為電極的表面，所以成為在電極的表面上直接形成有機半導體層。通過在電極的表面上直接形成有機半導體層，可以使有機半導體層與電極面接觸，所以可以將有機半導體層與電極之間的電阻抑制成很小，從而可?以提高導電性。?

另外，所述電極優選以具有導電性的金屬氧化物為主要成分。?

本發明人等發現，在具有導電性的金屬氧化物上形成有機半導體層的情況下，通過使有機化合物交聯化，金屬氧化物中含有的氧原子與有機半導體層中含有的有機化合物的分子的交聯部分發生化學結合，發現該部分變得特別難以溶解于規定的溶劑。在本發明中，由于電極以具有導電性的金屬氧化物為主要成分，所以可以更有效地抑制所述一個有機半導體層溶解于規定的溶劑。?

本發明中的有機半導體裝置優選利用上述有機半導體裝置的制造方法制造。?

利用本發明，可以得到有機半導體層的層厚均一、流過有機半導體層的電流的電流密度沒有不均、高質量的有機半導體裝置。?