[發明專利]一種二階段背式刻蝕的方法

無效

• 申請號: 200710109413.3
• 申請日: 2007-06-18
• 公開（公告）號: CN101329991A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 王彥鵬
• 申請（專利權）人: 茂德科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/308
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 梁揮;祁建國

1、一種二階段背式刻蝕的方法，其特征在于，該方法至少包含：

提供一基板，該基板具有多個硬掩模層；

第一次背刻蝕該基板的背面與側邊，以移除位于該基板背面與側邊的該硬掩模層；

依序圖案化該硬掩模層與該基板，以在該基板內形成多個溝渠；

在進行一濕槽清洗步驟之前，第二次背刻蝕該基板側邊，以移除位于該基板側邊的多個針狀結構。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于，該硬掩模層的材質選自由氧化硅、多晶硅、氮化硅以及上述任意組合所組成的一族群。

3、如權利要求1所述的方法，其特征在于，第一次背刻蝕該基板側邊的步驟與第二次背刻蝕該基板側邊的步驟分別用濕刻蝕或干刻蝕進行。

4、如權利要求3所述的方法，其特征在于，在該干刻蝕步驟中，用一等離子體進行刻蝕。

5、如權利要求1所述的方法，其特征在于，當部分該硬掩模層的材質為多晶硅時，第一次背刻蝕該基板側邊的步驟為一濕刻蝕步驟。

6、如權利要求1所述的方法，其特征在于，當部分該硬掩模層的材質為氧化硅或氮化硅時，該第一次背刻蝕該基板側邊的步驟為一干刻蝕步驟。

7、如權利要求1所述的方法，其特征在于，第一次背刻蝕該基板側邊的步驟，與第二次背刻蝕該基板側邊的步驟，均在該基板側邊的一無效芯片區中進行，以分別形成一第一作用區以及一第二作用區，且該第二作用區的范圍大于或等于該第一作用區的范圍。