[發(fā)明專利]一種二階段背式刻蝕的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710109413.3 | 申請日： | 2007-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN101329991A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王彥鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 梁揮;祁建國 |
| 地址： | 臺灣省新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 階段 刻蝕 方法 | ||
1、一種二階段背式刻蝕的方法，其特征在于，該方法至少包含：
提供一基板，該基板具有多個硬掩模層；
第一次背刻蝕該基板的背面與側(cè)邊，以移除位于該基板背面與側(cè)邊的該硬掩模層；
依序圖案化該硬掩模層與該基板，以在該基板內(nèi)形成多個溝渠；
在進行一濕槽清洗步驟之前，第二次背刻蝕該基板側(cè)邊，以移除位于該基板側(cè)邊的多個針狀結(jié)構(gòu)。
2、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該硬掩模層的材質(zhì)選自由氧化硅、多晶硅、氮化硅以及上述任意組合所組成的一族群。
3、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一次背刻蝕該基板側(cè)邊的步驟與第二次背刻蝕該基板側(cè)邊的步驟分別用濕刻蝕或干刻蝕進行。
4、如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在該干刻蝕步驟中，用一等離子體進行刻蝕。
5、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)部分該硬掩模層的材質(zhì)為多晶硅時，第一次背刻蝕該基板側(cè)邊的步驟為一濕刻蝕步驟。
6、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)部分該硬掩模層的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅時，該第一次背刻蝕該基板側(cè)邊的步驟為一干刻蝕步驟。
7、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一次背刻蝕該基板側(cè)邊的步驟，與第二次背刻蝕該基板側(cè)邊的步驟，均在該基板側(cè)邊的一無效芯片區(qū)中進行，以分別形成一第一作用區(qū)以及一第二作用區(qū)，且該第二作用區(qū)的范圍大于或等于該第一作用區(qū)的范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
