[發明專利]數據存儲裝置以及操作該數據存儲裝置的方法無效

申請號：	200710109190.0	申請日：	2007-06-14
公開（公告）號：	CN101154436A	公開（公告）日：	2008-04-02
發明（設計）人：	金庸洙	申請（專利權）人：	三星電子株式會社
主分類號：	G11C11/16	分類號：	G11C11/16
代理公司：	北京銘碩知識產權代理有限公司	代理人：	郭鴻禧;韓素云
地址：	韓國京畿道***	國省代碼：	韓國;KR
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摘要：
搜索關鍵詞：	數據存儲裝置以及操作方法
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【說明書】：

技術領域

與本發明一致的設備和方法涉及一種數據存儲裝置以及操作該數據存儲裝置的方法，更具體地說，涉及一種使用磁性材料的磁疇壁運動的數據存儲裝置以及操作該數據存儲裝置的方法。

背景技術

包括在鐵磁體中的磁微小區(magnetic?minute?area)被稱為磁疇。磁運動的方向與磁疇中的相同。可通過磁性材料的屬性、形狀和大小以及應用于磁性材料的外部能量來適當控制磁疇的大小和磁化方向。

磁疇壁是具有不同磁化方向的磁疇之間的邊界區，并且具有預定容量。可通過應用于磁性材料的磁場或電流來移動磁疇壁。也就是說，可在具有預定寬度和厚度的磁層中形成具有特定磁化方向的多個磁疇，并且可使用具有適當強度的磁場或電流來移動磁疇。

可將磁疇壁運動原理應用于數據存儲裝置。當將磁疇壁運動原理應用于數據存儲裝置時，由于磁疇壁運動允許磁疇經過讀/寫頭，因此可在沒有記錄介質的旋轉或任何物理運動的情況下進行讀/寫操作。已經通過第6,834,005B1號美國專利介紹了應用磁疇壁運動原理的數據存儲裝置的示例。

圖1是使用在第6,834,005B1號美國專利中介紹的磁疇壁運動原理的傳統數據存儲裝置的透視圖。參照圖1，使用磁疇壁運動原理的傳統數據存儲裝置(以下，稱為“傳統存儲裝置”)包括U型磁層100。磁層100包括存儲區S和緩沖區B，由逐個排列的多個磁疇形成所述存儲區S，所述緩沖區B具有與存儲區S的長度相似的長度。在圖1中，緩沖區B是磁層100的右側柱狀部分，但是其位置可變。在磁層100的中間部分提供讀頭RH和寫頭WH。

盡管沒有示出，磁層100連接到用作驅動裝置的晶體管。由晶體管控制應用于磁層100的電流的方向。根據電流的方向確定磁疇壁運動的方向。通過控制電流方向通過推和拉磁疇壁來執行讀/寫操作。

然而，上述傳統存儲裝置具有下面的缺點。

第一，由于通過推和拉磁疇壁執行讀/寫操作的傳統存儲裝置需要與存儲區S一樣大的緩沖區B，因此有效存儲容量僅是物理存儲容量的1/2。

第二，當通過向著緩沖區B推磁疇壁來執行讀操作時，為了下一讀操作，向著存儲區S拉回緩沖區B的磁疇，以將磁疇的位置返回到它們的原始狀態。因此，功耗增加，并且數據的讀和寫速度減小。

第三，由于重復磁疇的推和拉的操作，因此磁疇壁的特性被破壞，并且存儲裝置的壽命縮短。

第四，由于很難使用現有蝕刻技術制造U形磁層100，因此很難生產傳統存儲裝置，此外，需要在磁層100的表面上以規則的間隔形成多個凹口以保證磁疇壁運動的穩定性。然而，很難在U形磁層100上一致地形成好的凹口。

因此，傳統存儲裝置的問題源于磁疇壁的推和拉以及磁層100的U形狀。

發明內容

本發明的示例性實施例克服了上述缺點和其它上面沒有描述的缺點。另外本發明不需要克服上述缺點，本發明的示例性實施例可以不克服上述任何問題。因此，本發明提供一種使用具有可改善其有效存儲容量、功耗、操作速度、壽命和實現的結構和操作模式的磁疇壁運動的數據存儲裝置。

本發明還提供一種操作上面的數據存儲裝置的方法。

根據本發明的一方面，一種使用磁疇壁運動的數據存儲裝置包括：磁層，具有多個磁疇；寫頭，設置磁層的一端部；讀頭，讀取寫入磁層的數據；以及電流控制器，連接到寫頭和讀頭。

可以在磁層的另一端部設置讀頭。