[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)存儲裝置以及操作該數(shù)據(jù)存儲裝置的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710109190.0
• 申請日: 2007-06-14
• 公開（公告）號: CN101154436A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 金庸洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;韓素云

1.一種使用磁疇壁運動的數(shù)據(jù)存儲裝置，所述數(shù)據(jù)存儲裝置包括：

磁層，具有多個磁疇；

寫頭，設置在磁層的一端部；

讀頭，讀取寫入磁層的數(shù)據(jù)；以及

電流控制器，連接到寫頭和讀頭。

2.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，在磁層的另一端部設置讀頭。

3.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，在與寫頭鄰近的磁層的部分設置讀頭。

4.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，寫頭是這樣的結構，其中，依次布置第一電極、反鐵磁層、鐵磁層、分離層、磁層的所述端部和第二電極。

5.如權利要求4所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，還包括：在磁層和寫頭之間的分離層。

6.如權利要求5所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，分離層是導電層。

7.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，讀頭是這樣的結構，其中，依次布置第一電極、反鐵磁層、第一鐵磁層、分離層、第二鐵磁層和第二電極。

8.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，還包括：在磁層和寫頭之間的分離層。

9.如權利要求7所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，分離層是絕緣層或?qū)щ妼印?/p>

10.如權利要求8所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，分離層是絕緣層或?qū)щ妼樱⑶覍щ妼拥碾娮璐笥诖艑拥碾娮璧?0-100倍。

11.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，還包括：驅(qū)動裝置，連接到磁層，并且提供能量，所述能量用于移動在所述多個磁疇的鄰近磁疇之間的壁。

12.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，磁層是線性磁層。

13.如權利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，在磁層的表面上形成多個凹口。

14.如權利要求2所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，還包括：二極管，作為連接到磁層并且提供能量的驅(qū)動裝置，所述能量用于移動在所述多個磁疇的鄰近磁疇之間的壁。

15.如權利要求3所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，寫頭和讀頭每個都被設置以分別相應于彼此相鄰的比特區(qū)。

16.如權利要求3所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，還包括：堆棧存儲器，連接到讀頭和電流控制器。

17.一種操作數(shù)據(jù)存儲裝置的方法，所述方法包括：

使用在磁層的一端部設置的讀頭讀取磁層的所述端部的數(shù)據(jù)，在所述磁層的另一端部設置寫頭；

將磁層的磁疇壁向一端部移動與一個磁疇的長度相應的距離；以及

使用寫頭和連接到寫頭和讀頭的電流控制器將讀取的數(shù)據(jù)寫入到磁層的所述另一端部。

18.如權利要求17所述的方法，其中，依次重復：讀取磁層的所述端部的數(shù)據(jù)，將磁層的磁疇壁向所述端部移動與一個磁疇的長度相應的距離，并且將讀取的數(shù)據(jù)寫入磁層的所述另一端部。

19.一種操作數(shù)據(jù)存儲裝置的方法，所述方法包括：

通過將磁層的磁疇壁向磁層的一端部移動與一個磁疇的長度相應的距離，使用在磁層設置的讀頭讀取寫入到磁層的數(shù)據(jù)，并且將從磁層讀取的數(shù)據(jù)存儲在連接到讀頭的堆棧存儲器中；以及

通過將磁層的磁疇壁向磁層的另一端部移動與一個磁疇的長度相應的距離，使用在磁層的所述端部設置的寫頭和連接到寫頭和堆棧存儲器的電流控制器將存儲在堆棧存儲器中的數(shù)據(jù)寫入磁層。

20.如權利要求19所述的方法，其中，在與寫頭鄰近的磁層的部分提供讀頭。