[發明專利]金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 200710108879.1
• 申請日: 2007-06-05
• 公開（公告）號: CN101320711A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 陳能國;黃建中
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，包含有：

提供半導體基底，該半導體基底上定義有第一有源區域與第二有源區域，該第一與該第二有源區域上分別包含有柵極結構，各該柵極結構相對兩側的該半導體基底中各具有源極區域與漏極區域；

進行自對準金屬硅化物工藝；

在該半導體基底上形成應力緩沖層，并覆蓋該柵極結構、該源極區域與該漏極區域上；以及

在該應力緩沖層上形成應力覆蓋層，且該應力覆蓋層的伸張應力值大于該應力緩沖層的伸張應力值。

2.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中在形成該應力覆蓋層的步驟后另包含有：

移除該第二有源區域中的該應力緩沖層與該第二有源區域中的該應力覆蓋層；以及

對該應力覆蓋層進行活化工藝。

3.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該第一與該第二有源區域分別形成N型金屬氧化物半導體晶體管與P型金屬氧化物半導體晶體管。

4.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層的厚度介于10至300埃之間。

5.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層的伸張應力值小于1.52GPa。

6.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力覆蓋層包含有氮化硅層。

7.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力覆蓋層具有復合層結構。

8.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力覆蓋層的伸張應力值由上至下漸減。

9.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層與該應力覆蓋層的厚度比小于1:2。

10.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層包含有氧化硅層。

11.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層包含有氮化硅層。

12.如權利要求11所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中在形成該應力緩沖層的步驟前另包含有：

在該半導體基底上形成氧化硅層，并覆蓋該柵極結構、該源極區域與該漏極區域上。

13.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力覆蓋層為接觸洞蝕刻停止層。

14.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中各該柵極結構包含有柵極與位于該柵極的側壁上的間隙壁。

15.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中各該柵極結構包含有不具間隙壁的柵極。

16.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力覆蓋層與該應力緩沖層是在同一機臺中所形成。

17.如權利要求1所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力覆蓋層與該應力緩沖層是在不同機臺中所形成。

18.一種制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，包含有：

提供半導體基底，且該半導體基底上具有柵極結構；

在該半導體基底上形成應力緩沖層，并覆蓋該柵極結構；

在該應力緩沖層上形成應力覆蓋層，且該應力覆蓋層的伸張應力值大于該應力緩沖層的伸張應力值；

對該應力覆蓋層進行活化工藝；

移除該應力緩沖層與該應力覆蓋層；以及

進行自對準金屬硅化物工藝。

19.如權利要求18所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層的厚度介于10至300埃之間。

20.如權利要求18所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層的伸張應力值小于1.52GPa。

21.如權利要求18所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力覆蓋層包含有氮化硅層。

22.如權利要求18所述的制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該應力緩沖層與該應力覆蓋層的厚度比小于1：2。