[發明專利]晶片薄化裝置以及晶片處理系統

有效

• 申請號: 200710108704.0
• 申請日: 2007-05-28
• 公開（公告）號: CN101083205A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 廣江敏朗;新居健一郎
• 申請（專利權）人: 大日本網目版制造株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐恕

技術領域

本發明涉及利用處理液對硅半導體或者化合物半導體等晶片的厚度進行化學薄化(thinning)處理的晶片薄化裝置以及晶片處理系統。

背景技術

一直以來，在使晶片的厚度變薄的薄化處理中，當前的主流是機械研磨，即，使用磨石對晶片的背面進行機械性研磨。此時，在形成有器件的電路形成面上貼有臨時固定膠帶作為保護膜，在利用機械研磨對晶片背面進行研磨之后，將臨時固定膠帶剝離。但是，由于在薄化處理后需要將臨時固定膠帶從晶片剝離，所以存在如下問題：由于被薄化而強度降低的晶片發生破損而造成成品率下降；由于機械研磨的壓力而導致晶片翹曲。

于是，提出有將以下兩種方法組合使用的方案，即，方法一：使晶片浸漬在氫氧化鉀(KOH)溶液等處理液中，對晶片背面進行化學性蝕刻而使其薄化(例如，參見日本國特開2002—319578號公報)；方法二：使多張晶片浸漬在處理槽內的處理液中而對多張晶片進行批處理(例如，參見日本國特開2001—135710號公報)。利用該方案的方法，由于是對晶片背面進行化學性蝕刻，所以能夠防止晶片產生上述問題且能夠進行程度非常高的薄化處理，并且，由于是進行批處理，所以能夠對多張晶片高效地進行薄化處理，并能夠對多張晶片以非常高的精度(例如，蝕刻量的1％以下)且均勻地進行薄化處理。

但是，在具有這種結構的現有例中，存在以下問題。

即，在薄化處理中所要求的并不是蝕刻量，而是薄化處理后的晶片成品的厚度的準確性以及多張晶片的厚度均勻性(偏差小)。但是，提案方法存在這樣的問題：由于對多張晶片進行批處理，所以在薄化處理后也無法消除在多張晶片內存在晶片厚度的偏差，成品厚度均勻性差。

而且，通常即使是同一批晶片，多張晶片的厚度也存在很大偏差(例如大的有十多微米)。因此，即使正確地控制了蝕刻量，在同時進行處理的多張晶片內也會存在著成品厚度的偏差。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種晶片薄化裝置以及晶片處理系統，能夠利用處理液對多張晶片進行化學蝕刻而進行薄化處理，同時還能夠縮小多張晶片內的成品厚度的偏差。

為了達到這種目的，采用下述結構。

本發明是一種晶片薄化裝置，使至少電路形成面被保護著的晶片浸漬到處理液中而進行處理，所述晶片薄化裝置包括：承載臺，用于承載容置器，該容置器按照給定范圍內的厚度對多張晶片進行分組，并容置同組的多張晶片；處理槽，其貯存處理液，并容置所述容置器，并且使晶片薄化；搬運機構，其在所述承載臺和所述處理槽之間搬運容置器；控制部，其操作所述搬運機構，將容置器按順序搬運到所述處理槽中，并且，根據組別來改變容置器在所述處理槽中的浸漬時間。

根據本發明，控制部操作搬運機構，從承載臺將容置器按順序搬運到處理槽中，并利用處理液對各容置器進行處理，但是，控制部根據組別來改變浸漬時間。由于在一個容置器中預先僅容置多張晶片中的厚度在給定范圍內的晶片，所以容置器內的多張晶片的厚度偏差被控制在給定范圍內。因此，在對多張晶片進行化學蝕刻而進行薄化處理的同時，能夠縮小多張晶片內的成品厚度的偏差。

此外，在本發明，優選還具有運算部，該運算部根據晶片的目標厚度、組內的平均厚度、處理液的處理速率而求出所述浸漬時間。

運算部可以根據將晶片薄化而最終殘留的晶片的目標厚度與組內的平均厚度的差量、處理液的薄化速度即處理速率，來求出預先對各盒進行浸漬的浸漬時間。

本發明是一種晶片薄化裝置，使至少電路形成面被保護著的晶片浸漬到處理液中而進行處理，所述晶片薄化裝置包括：承載臺，其用于承載容置器，該容置器將按厚度順序改變排列的多張晶片以該厚度順序容置；處理槽，其貯存處理液，并能夠容置多張晶片；搬運機構，其在所述承載臺的容置器和所述處理槽之間搬運晶片；控制部，其操作所述搬運機構，以將所述容置器內的晶片按照從厚度最厚的開始到厚度最薄的為止的順序搬運到所述處理槽中，并在所述處理槽中利用處理液進行處理，在處理結束的同時，由所述搬運機構從所述處理槽中搬出所有的晶片。