[發(fā)明專利]晶片薄化裝置以及晶片處理系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710108704.0
• 申請(qǐng)日: 2007-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101083205A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廣江敏朗;新居健一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐恕

1.一種晶片薄化裝置，其使至少電路形成面被保護(hù)著的晶片浸漬到處理液中而進(jìn)行處理，其特征在于，所述晶片薄化裝置包括：

承載臺(tái)，其用于承載容置器，該容置器按照給定范圍的厚度對(duì)多張晶片進(jìn)行分組，并容置同組的多張晶片；

處理槽，其貯存處理液，并容置所述容置器，并且使晶片薄化；

搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在所述承載臺(tái)與所述處理槽之間搬運(yùn)容置器；

控制部，其操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，將容置器按順序搬運(yùn)到所述處理槽中，并且根據(jù)組別來(lái)改變?nèi)葜闷髟谒鎏幚聿壑械慕n時(shí)間；

運(yùn)算部，其根據(jù)晶片的目標(biāo)厚度、組內(nèi)的平均厚度、處理液的處理速率而求出所述浸漬時(shí)間。

2.如權(quán)利要求1所述的晶片薄化裝置，其特征在于，還具有清洗槽，該清洗槽貯存清洗液并容置所述容置器，

所述控制部操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，以將從所述處理槽搬出的容置器搬運(yùn)到所述清洗槽中。

3.如權(quán)利要求2所述的晶片薄化裝置，其特征在于，還具有干燥處理部，該干燥處理部容置所述容置器并使晶片干燥，

所述控制部操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，以將從所述清洗槽搬出的容置器搬運(yùn)到所述干燥處理部中。

4.如權(quán)利要求1所述的晶片薄化裝置，其特征在于，在晶片上安裝有端緣保護(hù)夾具，該端緣保護(hù)夾具覆蓋電路形成面整個(gè)面、晶片的外周面以及與電路形成面相反一側(cè)的處理面中的給定寬度，而在處理液中保護(hù)晶片的一部分，其中，所述給定寬度是從晶片的外周面開(kāi)始到中心側(cè)的，除了位于處理面中央部的俯視呈圓形的處理圓以外的寬度。

5.一種晶片薄化裝置，其使至少電路形成面被保護(hù)著的晶片浸漬到處理液中而進(jìn)行處理，其特征在于，所述晶片薄化裝置包括：

承載臺(tái)，其用于承載容置器，該容置器將按厚度順序改變排列的多張晶片以該厚度順序容置；

處理槽，其貯存處理液，并能夠容置多張晶片；

搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在所述承載臺(tái)的容置器與所述處理槽之間搬運(yùn)晶片；

控制部，其操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，以將所述容置器內(nèi)的晶片按照從厚度最厚的開(kāi)始到厚度最薄的為止的順序搬運(yùn)到所述處理槽中，并在所述處理槽中利用處理液進(jìn)行處理，在處理結(jié)束的同時(shí)，由所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)從所述處理槽中搬出所有的晶片。

6.如權(quán)利要求5所述的晶片薄化裝置，其特征在于，所述控制部根據(jù)相鄰晶片的厚度差量改變搬運(yùn)的時(shí)間間隔。

7.如權(quán)利要求5所述的晶片薄化裝置，其特征在于，還具有清洗槽，該清洗槽貯存清洗液，并能夠容置多張晶片，

所述控制部操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，以將從所述處理槽搬出的多張晶片搬運(yùn)到所述清洗槽中。

8.如權(quán)利要求6所述的晶片薄化裝置，其特征在于，還具有清洗槽，該清洗槽貯存清洗液，并能夠容置多張晶片，

所述控制部操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，以將從所述處理槽搬出的多張晶片搬運(yùn)到所述清洗槽中。

9.如權(quán)利要求7所述的晶片薄化裝置，其特征在于，還具有干燥處理部，該干燥處理部容置多張晶片并使其干燥，

所述控制部操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，以將從所述清洗槽搬出的多張晶片搬運(yùn)到所述干燥處理部中。

10.如權(quán)利要求8所述的晶片薄化裝置，其特征在于，還具有干燥處理部，該干燥處理部容置多張晶片并使其干燥，

所述控制部操作所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，以將從所述清洗槽搬出的多張晶片搬運(yùn)到所述干燥處理部中。

11.如權(quán)利要求5所述的晶片薄化裝置，其特征在于，在晶片上安裝有端緣保護(hù)夾具，該端緣保護(hù)夾具覆蓋電路形成面整個(gè)面、晶片的外周面以及與電路形成面相反一側(cè)的處理面中的給定寬度，而在處理液中保護(hù)晶片的一部分，其中，所述給定寬度是從晶片的外周面開(kāi)始到中心側(cè)的，除了位于處理面中央部的俯視呈圓形的處理圓以外的寬度。

12.如權(quán)利要求6所述的晶片薄化裝置，其特征在于，在晶片上安裝有端緣保護(hù)夾具，該端緣保護(hù)夾具覆蓋電路形成面整個(gè)面、晶片的外周面以及與電路形成面相反一側(cè)的處理面中的給定寬度，而在處理液中保護(hù)晶片的一部分，其中，所述給定寬度是從晶片的外周面開(kāi)始到中心側(cè)的，除了位于處理面中央部的俯視呈圓形的處理圓以外的寬度。