[發明專利]處理基材的設備和方法

有效

• 申請號: 200710108455.5
• 申請日: 2007-06-14
• 公開（公告）號: CN100547725C
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 具教旭;趙重根;成保藍璨
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/67
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 梁興龍;武玉琴

相關申請的交叉參考

本美國非臨時專利申請根據35U.S.C§119要求2006年7月12日提交的韓國專利申請2006-65374的優先權，在此引入該韓國專利申請的全部內容作為參考。

技術領域

本發明涉及基材處理設備。更具體地說，本發明涉及基材處理設備和使用這種基材處理設備的基材處理方法，在該設備中，向基材的上表面供應化學品或氣體以清潔和干燥基材。

背景技術

在制造半導體器件過程中，通過反復沉積、蝕刻絕緣層和金屬材料，涂布光致抗蝕劑并使其顯影，然后去除粉塵，來形成精細圖案結構。借助于使用去離子水(DI水)或化學品的濕法清潔過程去除在這些過程中產生的顆粒。

一般來說，清潔和干燥設備包括用于固定晶片的晶片卡盤。當通過發動機旋轉由晶片卡盤固定的晶片時，DI水或化學品被供應至晶片表面。由于晶片的旋轉力，供應的DI水或化學品擴散到晶片的整個表面以進行清潔和干燥過程。

在這種單晶片清潔和干燥設備中，使用DI水沖洗晶片，然后使用氮氣干燥沖洗過的晶片。

然而，隨著近來晶片直徑更大、晶片圖案更精細的趨勢，DI水不能完全被去除(未干燥)。因為暴露在空氣中使晶片清潔和干燥，所以外部環境對晶片影響極大，從而使晶片的干燥較差。

發明內容

本發明的示例性實施例涉及一種基材處理設備。在示例性實施例中，這種基材處理設備可以包括：帶有卡盤的基材支撐單元，基材裝載在所述卡盤上；底部室，所述底部室具有打開的頂部并用于圍住所述卡盤的周邊；頂部室，所述頂部室用于打開或關閉所述底部室的頂部，使得在所述基材與外部隔離時對所述基材進行干燥處理，在所述頂部室的內部形成上部空間，所述上部空間具有環形的邊緣部分和從所述邊緣部分延伸的中心部分；以及間接噴嘴，所述間接噴嘴安裝在所述頂部室的邊緣部分中并用于向所述中心部分噴射干燥流體，使得干燥流體間接地噴射到所述基材的中心，然后擴散到所述基材的邊緣。

優選的是，所述中心部分高于所述邊緣部分。此外，在所述頂部室的內部、所述上部空間的下面可以形成下部空間，以及在所述下部空間與所述邊緣部分之間可以設置凸壁，其中在所述中心部分與所述下部空間之間可以形成中心孔，從而所述中心部分中的干燥流體流向所述下部空間。

所述凸壁的上表面可以包括導向表面，所述導向表面朝著所述中心部分向上傾斜，所述凸壁的下表面具有導向表面，所述導向表面朝著所述基材的邊緣向下傾斜。

在另一個示例性實施例中，這種基材處理設備可以包括：帶有卡盤的基材支撐單元，基材裝載在所述卡盤上；腔室，所述基材支撐單元的卡盤設置在所述腔室中并且所述腔室用于限定密封空間，使得在所述基材與外部隔離時對所述基材進行干燥處理；以及間接噴嘴，所述間接噴嘴用于朝著所述腔室的中心向上噴射干燥流體，使得干燥流體沒有直接地噴射到所述基材表面上。

在另一個示例性實施例中，這種基材處理設備可以包括：帶有卡盤的基材支撐單元，基材裝載在所述卡盤上；底部室，所述底部室具有打開的頂部并用于圍住所述卡盤的周邊；以及頂部室，所述頂部室用于密封所述底部室的頂部，使得在與外部空氣隔離的空間中對所述基材進行干燥處理。

本發明的示例性實施例涉及一種使用上述基材處理設備的基材處理方法。在示例性實施例中，這種基材處理方法可以包括：將基材裝載到設置在底部室內部的卡盤上；向裝載的基材供應化學品以對所述基材進行化學處理；以及當頂部室密封所述底部室的打開頂部時，利用安裝在所述頂部室的間接噴嘴從所述頂部室的邊緣向中心噴射干燥流體；經在所述頂部室中心形成的中心孔排放在所述頂部室中心聚集的干燥流體；以及當排放的干燥流體從所述基材中心向其邊緣逐漸擴散時使化學處理的基材干燥。

附圖說明

圖1顯示了本發明的基材處理設備。

圖2顯示了圖1的基材處理設備的部分打開的底部室。

圖3顯示了圖1的基材處理設備的完全打開的底部室。

圖4顯示了頂部室。

圖5顯示了從圖4的頂部室的第一噴嘴噴射的干燥流體的流動。

圖6是本發明基材處理方法的流程圖。

具體實施方式

下面參考顯示本發明優選實施例的附圖，將更完整地描述本發明。然而，可以以許多不同的形式體現本發明，并且不應當認為本發明限制于在此描述的實施例。相反，提供這些實施例將使本發明內容清楚、完整，并向本領域技術人員充分表達本發明的范圍。相同的附圖標記始終表示相同的元件。