[發明專利]處理基材的設備和方法有效
| 申請號: | 200710108455.5 | 申請日: | 2007-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN100547725C | 公開(公告)日: | 2008-01-16 |
| 發明(設計)人: | 具教旭;趙重根;成保藍璨 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 梁興龍;武玉琴 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 基材 設備 方法 | ||
1.一種基材處理設備,包括:
帶有卡盤的基材支撐單元,基材裝載在所述卡盤上;
底部室,所述底部室具有打開的頂部并用于圍住所述卡盤的周邊;
頂部室,所述頂部室用于打開或關閉所述底部室的頂部,使得在所述基材與外部隔離時對所述基材進行干燥處理,在所述頂部室的內部形成上部空間,所述上部空間具有環形的邊緣部分和從所述邊緣部分延伸的中心部分;以及
間接噴嘴,所述間接噴嘴安裝在所述頂部室的邊緣部分中并用于向所述中心部分噴射干燥流體,使得干燥流體間接地噴射到所述基材的中心,然后擴散到所述基材的邊緣。
2.如權利要求1所述的基材處理設備,其中所述中心部分高于所述邊緣部分。
3.如權利要求1所述的基材處理設備,其中在所述頂部室的內部、所述上部空間的下面形成下部空間,以及其中在所述下部空間與所述邊緣部分之間設置凸壁,其中在所述中心部分與所述下部空間之間形成中心孔,從而所述中心部分中的干燥流體流向所述下部空間。
4.如權利要求3所述的基材處理設備,其中所述凸壁的上表面具有導向表面,所述導向表面朝著所述中心部分向上傾斜。
5.如權利要求3所述的基材處理設備,其中所述頂部室的下表面具有導向表面,所述導向表面朝著所述基材的邊緣向下傾斜。
6.如權利要求1所述的基材處理設備,其中所述上部空間呈傘狀。
7.如權利要求1所述的基材處理設備,其中所述頂部室與所述基材邊緣間隔0.5-2cm,以防止從所述基材散射的干燥流體和水珠回彈撞擊所述底部室的壁。
8.如權利要求1所述的基材處理設備,其中所述底部室包括多級排列的多個環形吸管,用于吸入在所述基材上散射的空氣和化學品。
9.如權利要求8所述的基材處理設備,其中所述卡盤根據所述吸管的高度上升或下降。
10.如權利要求1所述的基材處理設備,其中所述卡盤包括用于支撐向上間隔的基材的支撐單元。
11.如權利要求10所述的基材處理設備,還包括:
背面噴嘴部件,所述背面噴嘴部件安裝在所述卡盤上,用于向所述基材背面噴射清潔流體和干燥流體。
12.如權利要求1所述的基材處理設備,其中干燥流體包括有機溶劑或氮氣。
13.一種使用如權利要求1所述的基材處理設備的基材處理方法,包括:
將基材裝載到設置在底部室內部的卡盤上;
向裝載的基材供應化學品以對所述基材進行化學處理;
當頂部室密封所述底部室的打開頂部時,利用間接噴嘴從所述頂部室的邊緣向中心噴射干燥流體;
經在所述頂部室中心形成的中心孔排放在所述頂部室中心聚集的干燥流體;以及
當排放的干燥流體從所述基材中心向其邊緣逐漸擴散時使化學處理的基材干燥。
14.如權利要求13所述的基材處理方法,其中在所述頂部室密封所述底部室之前,所述頂部室內部保持在干燥流體氛圍中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





