[發明專利]二段式電壓位移模塊

有效

• 申請號: 200710108228.2
• 申請日: 2007-06-04
• 公開（公告）號: CN101320969A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 楊財銘
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛寶成

1.一種可用于使用不同偏壓的多種輸出入裝置的二段式電壓位移模塊，包含：

一第一級電壓位移電路，用于提高電壓范圍的上限；

一第一電壓源，耦接于該第一級電壓位移電路的一第一電源輸入端；

一第二電壓源，其電位高于該第一電壓源的電位，并耦接于該第一級電壓位移電路的一第二電源輸入端；

一第三電壓源，其電位高于該第一電壓源與該第二電壓源的電位；

一第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其源極耦接于該第三電壓源；

一第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其源極耦接于該第三電壓源，其漏極耦接于該第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，且其柵極耦接于該第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極；及

一第二級電壓位移電路，包含：

一第三P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其源極耦接于該第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極；

一第四P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其源極耦接于該第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極；

一第五P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極耦接于該第三P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，其源極耦接于該第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，且其漏極耦接于該第一電壓源；

一第六P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極耦接于該第四P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，其源極耦接于該第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，且其漏極耦接于該第一電壓源；

一第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其源極耦接于該第五P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，其柵極耦接于該第一級電壓位移電路的一第一信號輸出端，且其漏極耦接于該第三P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極；

一第二N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其源極耦接于該第六P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，其柵極耦接于該第一級電壓位移電路的一第二信號輸出端，且其漏極耦接于該第四P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極；

一第七P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極耦接于該第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，其漏極耦接于該第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，且其源極耦接于該第二電壓源；及

一第八P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極耦接于該第二N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，其漏極耦接于該第二N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，且其源極耦接于該第二電壓源。

2.如權利要求1所述的二段式電壓位移模塊，另包含：

一第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其漏極耦接于該第三P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，且其柵極耦接于該第二電壓源；及

一第四N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其漏極耦接于該第四P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，且其柵極耦接于該第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極。

3.如權利要求1所述的二段式電壓位移模塊，另包含：

一第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極耦接于該第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，其源極耦接于該第五P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，且其漏極耦接于該第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極；及

一第四N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極耦接于該第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，其源極耦接于該第六P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極，且其漏極耦接于該第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極。

4.如權利要求1所述的二段式電壓位移模塊，另包含：

一第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極耦接于該第二電壓源，且其漏極耦接于該第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極；

一第四N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其漏極耦接于該第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極，其柵極耦接于該第一級電壓位移電路的第二信號輸出端，且其源極耦接于該第五P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極；

一第五N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其漏極耦接于該第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極，且其柵極耦接于該第二電壓源；及

一第六N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其漏極耦接于該第五N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極，其柵極耦接于該第一級電壓位移電路的第一信號輸出端，且其源極耦接于該第六P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極。