[發明專利]半導體存儲器件、局部預充電電路及其方法

無效

• 申請號: 200710108101.0
• 申請日: 2007-05-30
• 公開（公告）號: CN101083133A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 李舜燮;金大俊;玄東昊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種半導體存儲器件，包含：

通過列選擇晶體管與和存儲單元耦合的位線連接的局部輸入/輸出線，該局部輸入/輸出線提供了通過位線將數據信號發送到局部感測放大器的傳輸路徑；和

配置成根據活動模式的狀態和列選擇信號的狀態調整局部輸入/輸出線的預充電電壓電平的局部預充電電路。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，局部預充電電路在第一時間間隔期間將預充電電壓電平保持在第一電壓電平上，和在第二時間間隔期間將預充電電壓電平保持在第二電壓電平上，第一時間間隔從活動模式的開始點跨越到列選擇信號過渡到第一邏輯電平，和第二時間間隔從列選擇信號從第一邏輯電平過渡到第二邏輯電平的時刻跨越到活動模式的結束點。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，第一電壓電平低于第二電壓電平。

4.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，局部預充電電路在活動模式的結束點之后使預充電電壓電平過渡回到第一電壓電平。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，活動模式指與存儲單元連接的字線被啟用的時間間隔。

6.根據權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，第一電壓電平是第二電壓電平的一半。

7.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，第二電壓電平等于電源電壓電平和陣列工作電壓電平之一。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，陣列工作電壓電平低于電源電壓電平。

9.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，在活動模式期間，在列選擇信號被設置成第一邏輯電平的時候，局部預充電電路不進行預充電操作。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，局部預充電電路包括：

配置成將局部輸入/輸出線預充電到等于第一電壓電平和第二電壓電平之一的預充電電壓電平的預充電單元；和

配置成通過至少一個預充電控制信號控制預充電單元的預充電控制器，至少一個預充電控制信號基于活動模式的開始時間和結束時間和列選擇信號的狀態。

11.一種預充電在半導體存儲器件中連接在位線與局部感測放大器之間的局部輸入/輸出線的局部預充電電路，包含：

配置成將局部輸入/輸出線預充電到等于第一電壓電平和第二電壓電平之一的預充電電壓電平的預充電單元；和

配置成通過至少一個預充電控制信號控制預充電單元的預充電控制器，至少一個預充電控制信號基于活動模式的開始時間和結束時間和列選擇信號的狀態。

12.根據權利要求11所述的局部預充電電路，其中，預充電電路響應至少一個預充電控制信號，在第一時間間隔期間將預充電電壓電平保持在第一電壓電平上，和在第二時間間隔期間將預充電電壓電平保持在第二電壓電平上，第一時間間隔從活動模式的開始點跨越到列選擇信號過渡到第一邏輯電平的時刻，和第二時間間隔從列選擇信號從第一邏輯電平過渡到第二邏輯電平的時刻跨越到活動模式的結束點。

13.根據權利要求11所述的局部預充電電路，其中，活動模式指與存儲單元連接的字線被啟用的時間間隔。

14.根據權利要求11所述的局部預充電電路，其中，第一電壓電平低于第二電壓電平。

15.根據權利要求14所述的局部預充電電路，其中，第一電壓電平是第二電壓電平的一半。

16.根據權利要求11所述的局部預充電電路，其中，第二電壓電平等于電源電壓電平和陣列工作電壓電平之一。

17.根據權利要求11所述的局部預充電電路，其中，列選擇信號被配置成控制位線與局部輸入/輸出線之間的電連接。

18.一種預充電在半導體存儲器件中連接在位線與局部感測放大器之間的局部輸入/輸出線的方法，包含：

根據活動模式的狀態和列選擇信號的狀態調整局部輸入/輸出線的預充電電壓電平，活動模式指字線被啟用的間隔。