[發明專利]具備天線的盤介質和其制造方法

無效

• 申請號: 200710106698.5
• 申請日: 2007-06-15
• 公開（公告）號: CN101149941A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 坂間功;蘆澤實
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/26;G06K19/067
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種盤介質，裝配有能夠以非接觸的方式與外部進行信息交換的IC芯片，其中：

所述盤介質具有金屬膜區域和以分離所述金屬膜區域的方式形成的非成膜區域；

所述非成膜區域是設置在離中心孔大致等距離的附近的大致為環狀的槽；

所述IC芯片的供電用的端子以跨越所述非成膜區域的方式與所述金屬膜區域的金屬膜層連接。

2.如權利要求1所述的盤介質，其中，將要發射或接收的電波在樹脂基板上的考慮了介電常數的電波長設為λ時，所述大致為環狀的槽的周長約為λ。

3.如權利要求1所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽的寬度，除了供電部附近之外，比供電端子間的距離寬。

4.如權利要求1所述的盤介質，其中，所述被分離的金屬膜區域中的一方為信息記錄區域，不是該信息記錄區域的一方，具有形狀為沿著徑向將相鄰的非成膜區域和所述大致為環狀的槽連在一起的沒有形成金屬膜層的缺口部。

5.如權利要求4所述的盤介質，其中，利用將所述IC芯片的供電用的端子與所述被分離的金屬膜區域的金屬膜層連接時的、相對于所述缺口部的圓周方向相對位置，實現阻抗匹配。

6.如權利要求1所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽，與為了將該盤介質緊固在盤驅動裝置上而設置在從中心部到離中心部約36mm處的緊固區域相比，在徑向上設置在外側。

7.如權利要求1所述的盤介質，其特征在于，所述大致為環狀的槽是圓環狀。

8.如權利要求1所述的盤介質，其特征在于，所述大致為環狀的槽至少有1個以上。

9.如權利要求1所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽是多邊形。

10.如權利要求1所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽的寬度是4mm。

11.如權利要求4所述的盤介質，其中，所述缺口部的寬度是3mm。

12.如權利要求1所述的盤介質，其中，所述IC芯片裝配在所述金屬膜層的表面上。

13.如權利要求1所述的盤介質，其中，在作為所述金屬膜層的基底基板的樹脂基板上設有凹部，所述IC芯片裝配在形成在該凹部的底面上的所述金屬膜層的表面上。

14.如權利要求1所述的盤介質，其中，通過從所述樹脂基板的上方進行各向異性淀積成膜，形成所述金屬膜層。

15.如權利要求1所述的盤介質，其中，所述IC芯片的向天線供電用的端子經由各向異性導電膜與所述金屬膜層連接。

16.一種盤介質，裝配有能夠以非接觸的方式與外部進行信息交換的IC芯片，其中：

所述盤介質具有金屬膜區域和以分離所述金屬膜區域的方式形成的非成膜區域；

所述非成膜區域是設置在離中心孔大致等距離的附近的大致為環狀的槽；

包含所述IC芯片的小型插入體的規定部位，以跨越所述非成膜區域的方式，與所述金屬膜區域的金屬膜層電連接或通過靜電電容耦合而連接。

17.如權利要求16所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽是圓環狀。

18.如權利要求16所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽至少有1個以上。

19.如權利要求16所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽是多邊形。

20.如權利要求16所述的盤介質，其中，所述大致為環狀的槽的寬度是4mm。

21.如權利要求16所述的盤介質，其中，將要發射或接收的電波在樹脂基板上的考慮了介電常數的電波長設為λ時，所述小型插入體的小型天線的長度比λ/2短，所述大致為環狀的槽的周長約為λ。

22.如權利要求16所述的盤介質，其中，所述被分離的金屬膜區域中具有形狀為沿著徑向將在徑向上處于內側的非成膜區域和所述大致為環狀的槽連在一起的沒有形成金屬膜層的缺口部。

23.如權利要求22所述的盤介質，其中，所述缺口部的寬度是3mm。