[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710106687.7 | 申請(qǐng)日: | 2007-06-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101101856A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柿村崇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/027;H01L21/30;G03F7/38 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置等用玻璃基板、PDP用玻璃基板等的基板進(jìn)行熱處理的基板處理裝置。
背景技術(shù)
一直以來(lái),在基板的制造工序中,先進(jìn)行將抗蝕液涂敷在基板的表面上的處理;然后,為提高基板表面與抗蝕劑的緊密附著性而進(jìn)行熱處理(加熱處理或冷卻處理)。進(jìn)行熱處理的現(xiàn)有的基板處理裝置將基板載置在配置于腔室內(nèi)的基板保持板上,對(duì)該基板進(jìn)行加熱或冷卻。
如圖20所示,現(xiàn)有的基板處理裝置100為這樣的結(jié)構(gòu):在基板保持板101上具有鄰近(proximity)銷(xiāo)等多個(gè)支承銷(xiāo)102,在這些支承銷(xiāo)102上載置基板109,并對(duì)基板109進(jìn)行加熱或冷卻。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中就展示了這種現(xiàn)有基板處理裝置的結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利文獻(xiàn)1】JP特開(kāi)平11-283909號(hào)公報(bào)
但是,在現(xiàn)有的基板處理裝置中,由于支承銷(xiāo)與基板的下表面局部地相抵接,所以支承銷(xiāo)可能會(huì)污染或損傷基板的下表面。另外,在現(xiàn)有的基板處理裝置中,由于在支承銷(xiāo)與基板的下表面局部地相抵接的狀態(tài)下對(duì)基板進(jìn)行熱處理,所以在基板的面內(nèi),熱處理的狀態(tài)可能會(huì)不均勻。特別是,近年來(lái),成為待處理對(duì)象的基板趨于大型化,所以必須用多個(gè)支承銷(xiāo)支承一張基板。這種狀況下,上述的問(wèn)題就變得更加顯著。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的,其目的在于提供一種可以防止基板下表面的污染和損傷并能夠均勻地對(duì)基板的面內(nèi)進(jìn)行熱處理的基板處理裝置。
為解決上述問(wèn)題,有關(guān)技術(shù)方案1的發(fā)明是一種基板處理裝置,其對(duì)基板進(jìn)行熱處理,其特征在于,具有:基板保持板,其通過(guò)從在上表面形成的多個(gè)噴孔噴出氣體,而以非接觸方式將基板保持在所述上表面上;調(diào)溫裝置,其對(duì)以非接觸方式保持在所述基板保持板的所述上表面上的基板進(jìn)行調(diào)溫;搬送裝置,其沿所述上表面搬送以非接觸方式保持在所述基板保持板的所述上表面上的基板。
有關(guān)技術(shù)方案2的發(fā)明是技術(shù)方案1記載的基板處理裝置,其特征在于,在所述基板保持板的所述上表面上形成有吸引上方的氣體的多個(gè)吸孔。
有關(guān)技術(shù)方案3的發(fā)明是技術(shù)方案2記載的基板處理裝置,其特征在于,所述多個(gè)噴孔和所述多個(gè)吸孔是在所述基板保持板的所述上表面上排列成格子狀的點(diǎn)狀通孔。
有關(guān)技術(shù)方案4的發(fā)明是技術(shù)方案2記載的基板處理裝置,其特征在于,所述多個(gè)噴孔和所述多個(gè)吸孔是在所述基板保持板的所述上表面上沿與所述搬送裝置的搬送方向垂直的方向形成的狹縫狀通孔。
有關(guān)技術(shù)方案5的發(fā)明是技術(shù)方案4記載的基板處理裝置,其特征在于,所述多個(gè)噴孔和所述多個(gè)吸孔在所述基板保持板的所述上表面上沿所述搬送裝置的搬送方向交互排列。
有關(guān)技術(shù)方案6的發(fā)明是技術(shù)方案4記載的基板處理裝置,其特征在于,該基板處理裝置還具有調(diào)節(jié)所述多個(gè)噴孔或所述多個(gè)吸孔的狹縫寬度的狹縫寬度調(diào)節(jié)裝置。
有關(guān)技術(shù)方案7的發(fā)明是技術(shù)方案1記載的基板處理裝置,其特征在于,所述搬送裝置具有從搬送方向的后方側(cè)與基板相抵接的抵接部、和使所述抵接部沿搬送方向移動(dòng)的移動(dòng)部。
有關(guān)技術(shù)方案8的發(fā)明是技術(shù)方案1記載的基板處理裝置,其特征在于,所述搬送裝置具有使基板搖動(dòng)的搖動(dòng)裝置。
有關(guān)技術(shù)方案9的發(fā)明是技術(shù)方案1記載的基板處理裝置,其特征在于,所述調(diào)溫裝置具有:第一調(diào)溫裝置,其通過(guò)所述基板保持板和基板之間的熱輻射來(lái)對(duì)基板進(jìn)行調(diào)溫;第二調(diào)溫裝置,其通過(guò)從所述多個(gè)噴孔噴出的氣體和基板之間的熱交換來(lái)對(duì)基板進(jìn)行調(diào)溫。
有關(guān)技術(shù)方案10的發(fā)明是技術(shù)方案9記載的基板處理裝置,其特征在于,該基板處理裝置具有沿所述搬送裝置的搬送方向排列的多個(gè)所述基板保持板,所述第一調(diào)溫裝置對(duì)多個(gè)所述基板保持板分別單獨(dú)進(jìn)行調(diào)溫。
有關(guān)技術(shù)方案11的發(fā)明是技術(shù)方案10記載的基板處理裝置,其特征在于,所述第一調(diào)溫裝置按區(qū)域?qū)Χ鄠€(gè)所述基板保持板分別單獨(dú)進(jìn)行調(diào)溫。
有關(guān)技術(shù)方案12的發(fā)明是技術(shù)方案11記載的基板處理裝置,其特征在于,所述第二調(diào)溫裝置根據(jù)所述基板保持板的各區(qū)域的溫度對(duì)從在該區(qū)域形成的噴孔噴出的氣體進(jìn)行調(diào)溫。
有關(guān)技術(shù)方案13的發(fā)明是技術(shù)方案1~12任一項(xiàng)記載的基板處理裝置,其特征在于,該基板處理裝置還具有涂敷處理部,該涂敷處理部相對(duì)于所述基板保持板在所述搬送裝置的搬送方向上游側(cè),將處理液涂敷在基板的上表面上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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