[發明專利]基板處理裝置無效
| 申請號: | 200710106687.7 | 申請日: | 2007-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN101101856A | 公開(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發明(設計)人: | 柿村崇 | 申請(專利權)人: | 大日本網目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/027;H01L21/30;G03F7/38 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,對基板進行熱處理,其特征在于,包括:
基板保持板,其通過從在上表面形成的多個噴孔噴出氣體,而以非接觸方式將基板保持在所述上表面上;
調溫裝置,其對以非接觸方式保持在所述基板保持板的所述上表面上的基板進行調溫;
搬送裝置,其沿所述上表面搬送以非接觸方式保持在所述基板保持板的所述上表面上的基板。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在所述基板保持板的所述上表面上形成有吸引上方的氣體的多個吸孔。
3.如權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,所述多個噴孔和所述多個吸孔是在所述基板保持板的所述上表面上排列成格子狀的點狀通孔。
4.如權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,所述多個噴孔和所述多個吸孔是在所述基板保持板的所述上表面上沿與所述搬送裝置的搬送方向垂直的方向形成的狹縫狀通孔。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,所述多個噴孔和所述多個吸孔在所述基板保持板的所述上表面上沿所述搬送裝置的搬送方向交互排列。
6.如權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,該基板處理裝置還具有調節所述多個噴孔或所述多個吸孔的狹縫寬度的狹縫寬度調節裝置。
7.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述搬送裝置具有從搬送方向的后方側與基板相抵接的抵接部、和使所述抵接部沿搬送方向移動的移動部。
8.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述搬送裝置具有使基板搖動的搖動裝置。
9.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述調溫裝置具有:第一調溫裝置,其通過所述基板保持板和基板之間的熱輻射來對基板進行調溫;第二調溫裝置,其通過從所述多個噴孔噴出的氣體和基板之間的熱交換來對基板進行調溫。
10.如權利要求9所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置具有沿所述搬送裝置的搬送方向排列的多個所述基板保持板,
所述第一調溫裝置對多個所述基板保持板分別單獨進行調溫。
11.如權利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一調溫裝置按區域對多個所述基板保持板分別單獨進行調溫。
12.如權利要求11所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第二調溫裝置根據所述基板保持板的各區域的溫度對從在該區域形成的噴孔噴出的氣體進行調溫。
13.如權利要求1~12中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,該基板處理裝置還具有涂敷處理部,該涂敷處理部相對于所述基板保持板在所述搬送裝置的搬送方向上游側,將處理液涂敷在基板的上表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





