[發(fā)明專利]用于確定熔絲狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710106568.1 | 申請日: | 2007-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN101086983A | 公開(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 岡田紀(jì)雄;上田岳洋 | 申請(專利權(quán))人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/525 | 分類號: | H01L23/525;H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 關(guān)兆輝;陸錦華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 確定 絲狀 半導(dǎo)體 裝置 方法 | ||
本申請基于日本專利申請No.2006-157604,其內(nèi)容通過引用在此被并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于確定熔絲狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置及方法,并且更具體地,涉及一種包含熔絲的半導(dǎo)體裝置以及用于確定熔絲狀態(tài)的方法。
背景技術(shù)
在已知的現(xiàn)有技術(shù)中,熔絲被安裝在半導(dǎo)體裝置上,用于通過切斷該熔絲來調(diào)整該半導(dǎo)體裝置中使用的阻值,或者分離出有缺陷的元件并接著用正常的元件進(jìn)行替換。切斷熔絲的典型方式包括通過以激光束照射部分熔絲來切斷熔絲以及通過施加電流來切斷熔絲。
日本未審專利公開2005-57186描述了一種電熔絲,其中利用如下現(xiàn)象來切斷該電熔絲,即,構(gòu)成該電熔絲的材料通過電遷移而遷移。這里,由于其中要被切斷的電熔絲部分是由板包圍的結(jié)構(gòu),因此當(dāng)電流流經(jīng)該熔絲時(shí)在要被切斷部分中產(chǎn)生的熱量就會被收集或積累。這樣,就會加速該切斷。
日本未審專利公開2004-342729,日本未審專利公開2000-31283,日本未審專利公開2001-210093,日本未審專利公開2004-265523,以及日本未審專利公開2004-103610都描述了一種用于確定這種熔絲的切斷狀態(tài)的方法。
日本未審專利公開2004-342729描述了一種確定電路,其用于根據(jù)基準(zhǔn)阻抗與熔斷之后熔絲的阻抗之間的差值來確定熔絲的熔斷狀態(tài)。
日本未審專利公開2000-31283描述了一種電路,其具有輸出反相器,用于監(jiān)視熔絲的狀態(tài),以及轉(zhuǎn)換晶體管,該晶體管初始地熔化切斷該熔絲并且當(dāng)初始熔斷該熔絲之后識別出細(xì)絲的再生長時(shí)自動(dòng)地再次熔化該熔絲。
日本未審專利公開2001-210093描述了一種輸出修復(fù)信號的修復(fù)信號生成電路,該修復(fù)信號用于準(zhǔn)確地檢測該熔絲是否被切斷,使得能夠保證對具有故障部分的電路進(jìn)行修理。
日本未審專利公開2004-265523描述了一種半導(dǎo)體裝置,它的結(jié)構(gòu)使其同正常模式相比,能夠通過切換模式信號增加閂鎖電路中驅(qū)動(dòng)電路的性能。
日本未審專利公開2004-103610描述了一種用于進(jìn)行調(diào)整的微調(diào)圖形(trimming?pattern)(電熔絲),用于選擇該用于調(diào)整的電路是否連接,其中該用于調(diào)整的電路事先已經(jīng)被在半導(dǎo)體集成電路上制備。圖10為顯示日本未審專利公開2004-103610中描述的微調(diào)圖形的示意圖。該微調(diào)圖形包括兩個(gè)焊盤11和12,其上加上了電壓,精細(xì)互連10,用于連接該兩個(gè)焊盤11和12,以及兩個(gè)連接13和14,它們分別位于該精細(xì)互連10的兩側(cè),不與該精細(xì)互連10接觸,并且與用于調(diào)整的電路以及該半導(dǎo)體集成電路相連。通過該微調(diào)圖形,當(dāng)在焊盤11和12之間加上電壓時(shí),電流流經(jīng)該精細(xì)互連10,使得該精細(xì)互連10熔化,以與該連接13和14相連。通過該操作,與該連接13和14相連的調(diào)整電路被接通,并且進(jìn)行這樣的微調(diào)。在這種情況下,通過使得該精細(xì)互連10被切斷,以使與該焊盤11和12相連的調(diào)整電路被關(guān)掉,而不進(jìn)行該微調(diào)。所描述的是,與熔斷該精細(xì)互連10相比,更容易使得該熔化的金屬與附近的連接13和14相連。這樣,所描述的是,可以在很短的時(shí)間內(nèi)更容易地進(jìn)行微調(diào)。
但是,在日本未審專利公開2005-57186,2004-342729,2000-31283,2001-210093,以及2004-265523中描述的現(xiàn)有技術(shù)中存有問題,即在熔絲沒有被充分切斷或者構(gòu)成該熔絲的材料的遷移以導(dǎo)致該熔絲一旦被切斷之后就重新連接的情況下,無法準(zhǔn)確地確定要被切斷的熔絲的切斷狀態(tài)。另外,隨著半導(dǎo)體的小型化,互連之間的距離也變得更小。因此,互連之間的短路問題已經(jīng)變得非常明顯。
并且,在日本未審專利公開2004-103610也存在問題,即在熔化的金屬沒有與該連接13和14相接觸或者構(gòu)成該熔絲的材料遷移而導(dǎo)致一旦進(jìn)行接觸之后再次被切斷的情況下無法正確地確定熔絲的切斷狀態(tài)。另外,在日本未審專利公開2004-103610描述的結(jié)構(gòu)中,需要增加一個(gè)結(jié)構(gòu),用于在焊盤11和12,以及兩個(gè)連接13和14之間施加電壓。這樣,就會出現(xiàn)另一個(gè)問題,即面積增加。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明,提供了一種半導(dǎo)體裝置,包括:
半導(dǎo)體襯底;
熔絲,由導(dǎo)電材料構(gòu)成并且形成在半導(dǎo)體襯底上;
接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域,其被放置在半導(dǎo)體襯底上的熔絲周圍,并這樣形成該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域,以便當(dāng)執(zhí)行切斷該熔絲的處理時(shí),通過構(gòu)成該熔絲的導(dǎo)電材料使該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與該熔絲電接觸;以及
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