[發(fā)明專利]用于確定熔絲狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710106568.1 | 申請(qǐng)日: | 2007-06-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101086983A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 岡田紀(jì)雄;上田岳洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/525 | 分類號(hào): | H01L23/525;H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 關(guān)兆輝;陸錦華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 確定 絲狀 半導(dǎo)體 裝置 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,包括:
半導(dǎo)體襯底;
熔絲,該熔絲包括導(dǎo)電材料并且形成在所述半導(dǎo)體襯底上;
接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域,該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域被放置在所述半導(dǎo)體襯底上的所述熔絲周圍,且這樣形成該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域:以便當(dāng)執(zhí)行切斷該熔絲的處理時(shí),通過(guò)構(gòu)成該熔絲的導(dǎo)電材料與該熔絲電接觸;以及
確定單元,該確定單元檢測(cè)所述熔絲是否電斷開(kāi),以及所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲是否電連接,并且當(dāng)檢測(cè)到所述熔絲電斷開(kāi)時(shí)或檢測(cè)到所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲之間的電連接時(shí),確定所述熔絲處于切斷狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中
所述確定單元包括:第一檢測(cè)單元,該第一檢測(cè)單元與所述熔絲的一端相連并檢測(cè)該熔絲是否電斷開(kāi);第二檢測(cè)單元,該第二檢測(cè)單元與所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域相連并用于檢測(cè)所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲是否電連接;以及輸出單元,來(lái)自所述第一檢測(cè)單元的輸出以及來(lái)自所述第二檢測(cè)單元的輸出被輸入到所述輸出單元中,且該輸出單元輸出信號(hào),該信號(hào)表示在所述第一檢測(cè)單元檢測(cè)到所述熔絲的電斷開(kāi)的情況下或者在所述第二檢測(cè)單元檢測(cè)到所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲之間的電連接的情況下,所述熔絲處于切斷狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中
所述第二檢測(cè)單元在所述熔絲接地的狀態(tài)下將預(yù)定的第一電位提供給所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域,以檢測(cè)所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域的電位,在所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域的所述電位為所述預(yù)定的第一電位的情況下,檢測(cè)到所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲沒(méi)有電連接,以及在所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域的所述電位為接地電位的情況下,檢測(cè)到所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲電連接。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中
所述第一檢測(cè)單元在所述熔絲的另一端接地的狀態(tài)下將預(yù)定的第二電位提供給所述熔絲的所述一端,以檢測(cè)在所述一端的電位,在所述一端的所述電位為所述預(yù)定的第二電位的情況下檢測(cè)到所述熔絲被電斷開(kāi),以及在所述一端的所述電位為接地電位的情況下檢測(cè)到所述熔絲沒(méi)有電斷開(kāi)。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中
在所述熔絲中,在所述一端側(cè)與連接部分之間形成切斷部分,該連接部分在切斷狀態(tài)下與所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域相連。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中
所述熔絲包括由所述導(dǎo)電材料構(gòu)成的流出部分,其中該導(dǎo)電材料從所述熔絲中流出,以與所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域相連,并在切斷狀態(tài)下在所述流出部分與所述第一檢測(cè)單元之間形成切斷部分。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中
所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域由覆蓋構(gòu)件構(gòu)成,其中該覆蓋構(gòu)件從上面、下面以及各側(cè)面覆蓋所述熔絲,以在所述熔絲被切斷時(shí)防止構(gòu)成該熔絲的導(dǎo)電材料擴(kuò)散到周圍中去。
8.一種用于確定半導(dǎo)體裝置中的熔絲狀態(tài)的方法,其中該半導(dǎo)體裝置包括:熔絲,該熔絲包括導(dǎo)電材料并形成在半導(dǎo)體襯底上;以及接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域,其被放置在所述半導(dǎo)體襯底上的所述熔絲周圍,如此形成該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域,以便當(dāng)執(zhí)行切斷所述熔絲的處理時(shí),通過(guò)構(gòu)成所述熔絲的導(dǎo)電材料與所述熔絲電接觸,該用于確定所述熔絲狀態(tài)的方法包括:
檢測(cè)所述熔絲是否電斷開(kāi),
檢測(cè)所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲是否電連接;以及
當(dāng)檢測(cè)到所述熔絲電斷開(kāi)時(shí)或檢測(cè)到所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲之間的電連接時(shí),確定所述熔絲處于切斷狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求8所述的用于確定熔絲狀態(tài)的方法,其中
在所述檢測(cè)接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲是否電連接時(shí),將預(yù)定電位提供給所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域,并在所述熔絲接地的狀態(tài)下,檢測(cè)該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域的電位,在該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域的所述電位為接地電位的情況下,檢測(cè)到所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲之間的電連接,以及在該接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域的所述電位為所述預(yù)定電位的情況下,檢測(cè)到所述接觸目標(biāo)導(dǎo)體區(qū)域與所述熔絲之間的電斷開(kāi)。
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