[發明專利]形成在晶片外周部的環狀加強部的確認方法及確認裝置有效
| 申請號: | 200710106550.1 | 申請日: | 2007-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN101083219A | 公開(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發明(設計)人: | 關家一馬 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B9/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 黃劍鋒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 晶片 外周部 環狀 加強 確認 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及對環狀的加強部的寬度尺寸進行確認的方法以及確認裝置,該環狀的加強部是在具備表面上形成有多個器件(device)的器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域的晶片的背面磨削該器件區域而形成規定的厚度、并且殘留晶片的背面的與該外周剩余區域對應的區域而形成的。
背景技術
在半導體器件制造工序中,在大致圓板形狀的半導體晶片的表面上通過以柵格狀排列的稱作切割道(streets)的預分割線劃分多個區域,在該劃分的區域中形成IC、LSI等的器件。并且,通過將半導體晶片沿著切割道切斷,將形成有器件的區域分割來制造各個半導體芯片。此外,通過將在藍寶石基板的表面上層疊有氮化鎵類化合物半導體等的光器件晶片也沿著切割道切斷而分割為各個發光二極管、激光二極管等的光器件,被廣泛用于電氣器件中。
上述那樣分割的晶片在沿著切割道切斷之前將背面通過磨削或蝕刻而形成為規定的厚度。進而,為了達到電氣器件的輕量化、小型化,要求將晶片的厚度形成為50μm以下。
然而,如果將晶片的厚度形成為50μm以下,則變得容易損壞,有晶片的輸送等的處理變得困難的問題。
為了解決上述問題,本申請人作為特愿2005-165395號而提出了通過對晶片的背面的與器件區域對應的區域進行磨削而將器件區域的厚度形成為規定厚度、并且留下晶片的背面的外周剩余區域而形成環狀的加強部、使變薄的晶片的輸送等的處理變得容易的晶片的加工方法。
但是,由于晶片的外周剩余區域的寬度距離外周緣2mm左右,是較窄的,所以在通過磨削裝置磨削晶片的背面的與器件區域對應的區域時,如果保持晶片的吸盤臺的旋轉中心與晶片的中心不一致,則不能形成均勻的寬度的環狀的加強部。在形成于晶片的外周剩余區域的環狀的加強部不是均勻的寬度的情況下,有在環狀的加強部的寬度較大的區域中不能將器件區域的厚度磨削為規定的厚度的問題。因而,期望能夠確認環狀的加強部的寬度是否形成在容許范圍內。
發明內容
本發明是鑒于上述情況而做出的,其主要的目的是提供一種能夠容易地確認形成在晶片的外周剩余區域的環狀的加強部的寬度是否形成在容許范圍內的形成于外周部上的環狀加強部的確認方法及確認裝置。
為了解決上述主要的問題,根據本發明,提供一種形成在晶片的外周部上的環狀加強部的確認方法,對環狀的加強部的寬度尺寸進行確認,該環狀的加強部是將具備在表面上形成有多個器件的器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域的晶片的背面的與該器件區域對應的區域磨削而形成規定的厚度、并且殘留晶片的背面的與該外周剩余區域對應的區域而形成的,其特征在于,
將背面上形成有環狀的加強部的晶片的表面側保持在可旋轉地構成的保持臺上,每當使該保持臺轉動規定角度時,通過攝像機構對環狀的加強部進行攝像,確認環狀的加強部的寬度是否形成在容許范圍內。
此外,根據本發明,提供一種對形成在晶片的外周部上的環狀加強部的寬度尺寸進行確認的確認裝置,該環狀的加強部的寬度尺寸進行確認,該環狀的加強部是將具備在表面上形成有多個器件的器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域的晶片的背面的與該器件區域對應的區域磨削而形成規定的厚度、并且殘留晶片的背面的與該外周剩余區域對應的區域而形成的,其特征在于,該確認裝置具備:
保持臺機構,具備保持晶片并可旋轉地構成的保持臺和檢測該保持臺的轉動位置的臺位置檢測機構;
攝像機構,對保持在該保持臺上的晶片的外周區域進行攝像;以及
控制機構,根據由該攝像機構攝像的圖像信息,求出形成在晶片的外周區域上的環狀的加強部的寬度尺寸,并判斷該寬度尺寸是否在容許范圍內。
發明效果
根據本發明,由于能夠容易地確認是否存在形成于晶片的外周部上的環狀的加強部的寬度比容許范圍大的區域,所以在存在環狀的加強部的寬度尺寸比容許范圍大的區域的情況下,由于器件區域的一部分沒有形成為規定的厚度,所以能夠判斷為不合格品而再次磨削修正。因而,能夠防止器件的不合格品的產生。
附圖說明
圖1是裝備有按照本發明構成的形成于晶片的外周部上的環狀加強部的確認裝置的磨削裝置的立體圖。
圖2是由圖1所示的磨削裝置加工的半導體晶片的立體圖。
圖3是表示在圖2所示的半導體晶片的表面上粘貼有保護部件的狀態的立體圖。
圖4是裝備在圖1所示的磨削裝置的形成于晶片的外周部上的環狀加強部的確認裝置的結構框圖。
圖5是表示由圖1所示的磨削裝置實施的凹部粗磨削工序的說明圖。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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