[發(fā)明專利]形成在晶片外周部的環(huán)狀加強部的確認方法及確認裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710106550.1 | 申請日: | 2007-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN101083219A | 公開(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 關(guān)家一馬 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B9/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 黃劍鋒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 晶片 外周部 環(huán)狀 加強 確認 方法 裝置 | ||
1.一種形成在晶片的外周部上的環(huán)狀加強部的確認方法,對環(huán)狀的加強部的寬度尺寸進行確認,該環(huán)狀的加強部是將具備在表面上形成有多個器件的器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域的晶片的背面的與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域磨削而形成規(guī)定的厚度、并且殘留晶片的背面的與該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域而形成的,其特征在于,
將背面上形成有環(huán)狀的加強部的晶片的表面?zhèn)缺3衷诳尚D(zhuǎn)地構(gòu)成的保持臺上,每當(dāng)使該保持臺轉(zhuǎn)動規(guī)定角度時,通過攝像機構(gòu)對環(huán)狀的加強部進行攝像,確認環(huán)狀的加強部的寬度是否形成在容許范圍內(nèi)。
2.一種對形成在晶片的外周部上的環(huán)狀加強部的寬度尺寸進行確認的確認裝置,該環(huán)狀的加強部是將具備在表面上形成有多個器件的器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域的晶片的背面的與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域磨削而形成規(guī)定的厚度、并且殘留晶片的背面的與該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域而形成的,其特征在于,該確認裝置具備:
保持臺機構(gòu),具備保持晶片并可旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成的保持臺和檢測該保持臺的轉(zhuǎn)動位置的臺位置檢測機構(gòu);
攝像機構(gòu),對保持在該保持臺上的晶片的外周區(qū)域進行攝像;以及
控制機構(gòu),根據(jù)由該攝像機構(gòu)攝像的圖像信息,求出形成在晶片的外周區(qū)域上的環(huán)狀的加強部的寬度尺寸,并判斷該寬度尺寸是否在容許范圍內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





