[發明專利]具高效率發光效果的發光二極管封裝方法及其封裝結構有效
| 申請號: | 200710106497.5 | 申請日: | 2007-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN101315900A | 公開(公告)日: | 2008-12-03 |
| 發明(設計)人: | 汪秉龍;莊峰輝;吳文逵 | 申請(專利權)人: | 宏齊科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/075 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 謝麗娜;陳肖梅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 發光 效果 發光二極管 封裝 方法 及其 結構 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光二極管的封裝方法及其封裝結構,尤其涉及一種具高效率發光效果(high-efficiency?lateral?light-emitting?effect)的發光二極管的封裝方法及其封裝結構。
背景技術
請參閱圖1所示,為已知的發光二極管的第一種封裝方法的流程圖。由流程圖中可知,已知發光二極管的第一種封裝方法,其步驟包括:首先,提供多個封裝完成的發光二極管(packaged?LED)(S800);接著,提供一條狀基板本體(stripped?substrate?body),其上具有一正極導電軌跡(positive?electrode?trace)與一負極導電軌跡(negativeelectrode?trace)(S802);最后,依序將每一個封裝完成的發光二極管(packaged?LED)設置在該條狀基板本體上,并將每一個封裝完成的發光二極管(packaged?LED)的正、負極端分別電性連接于該條狀基板本體的正、負極導電軌跡(S804)。
請參閱圖2所示,為已知的發光二極管的第二種封裝方法的流程圖。由流程圖中可知,已知發光二極管的第二種封裝方法,其步驟包括:首先,提供一條狀基板本體(stripped?substrate?body),其上具有一正極導電軌跡(positive?electrode?trace)與一負極導電軌跡(negativeelectrode?trace)(S900);接著,依序將多個發光二極管芯片(LED?chip)設置于該條狀基板本體上,并且將每一個發光二極管芯片的正、負極端分別電性連接于該條狀基板本體的正、負極導電軌跡(S902);最后,將一條狀封裝膠體(stripped?package?colloid)覆蓋于該條狀基板本體及這些發光二極管芯片上,以形成一帶有條狀發光區域(strippedlight-emitting?area)的光棒(light?bar)(S904)。
然而,關于上述已知發光二極管的第一種封裝方法,由于每一顆封裝完成的發光二極管(packaged?LED)必須先從一整塊發光二極管封裝切割下來,然后再以表面粘著技術(SMT)制程,將每一顆封裝完成的發光二極管(packaged?LED)設置于該條狀基板本體上,因此無法有效縮短其制程時間,再者,發光時,這些封裝完成的發光二極管(packaged?LED)之間會有暗帶(dark?band)現象存在,對于使用者視線仍然產生不佳效果。
另外,關于上述已知發光二極管的第二種封裝方法,由于所完成的光棒帶有條狀發光區域,因此第二種封裝方法將不會產生暗帶(darkband)的問題。然而,因為該條狀封裝膠體(stripped?package?colloid)被激發的區域不均,因而使得光棒的光效率不佳(亦即,靠近發光二極管芯片的封裝膠體區域會產生較強的激發光源,而遠離發光二極管芯片的封裝膠體區域則產生較弱的激發光源)。
請參閱圖3所示,為已知的發光二極管應用于側向發光的示意圖。由圖中可知,當已知的發光二極管芯片D應用于側向發光時(例如:使用于筆記本電腦屏幕的導光板M的側向光源),由于筆記本電腦屏幕的導光板M非常薄的關系,該發光二極管芯片D的基座S1的長度l1則必須相對的縮短。換言之,由于該基座S1的長度l1太短的關系,已知的發光二極管芯片D將無法得到有效的散熱效果,進而產生發光二極管芯片D因過熱而燒壞的情形。
由上可知,目前已知的發光二極管的封裝方法及封裝結構,顯然具有不便與缺陷存在,而待加以改善。
因此,本發明有感上述缺陷的可改善,且依據多年來從事此方面的相關經驗,而提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的發明。
發明內容
本發明所要解決的技術問題,在于提供一種具高效率發光效果(high-efficiency?lateral?light-emitting?effect)的發光二極管的封裝方法及其封裝結構。本發明的發光二極管結構于發光時,形成一連續的發光區域,而無暗帶(dark?band)及光衰減(decay)的情況發生,并且本發明通過芯片直接封裝(Chip?On?Board,COB)制程并利用壓模(diemold)的方式,以使得本發明可有效地縮短其制程時間,而能進行大量生產。再者,本發明的結構設計更適用于各種光源,諸如背光模塊、裝飾燈條、照明用燈、或是掃描儀光源等應用,皆為本發明所應用的范圍與產品。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





