[發明專利]具高效率發光效果的發光二極管封裝方法及其封裝結構有效
| 申請號: | 200710106497.5 | 申請日: | 2007-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN101315900A | 公開(公告)日: | 2008-12-03 |
| 發明(設計)人: | 汪秉龍;莊峰輝;吳文逵 | 申請(專利權)人: | 宏齊科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/075 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 謝麗娜;陳肖梅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 發光 效果 發光二極管 封裝 方法 及其 結構 | ||
1.一種具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于,包括下列步驟:
提供一基板單元,其具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的一正極導電軌跡與一負極導電軌跡;
通過矩陣的方式,分別設置多個發光二極管芯片于該基板本體上,以形成多排縱向發光二極管芯片排,其中每一個發光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的一正極端與一負極端;
通過一第一模具單元,將多條條狀封裝膠體縱向地分別覆蓋在每一排縱向發光二極管芯片排上,其中每一條條狀封裝膠體的上表面具有多個相對應這些發光二極管芯片的膠體弧面,并且每一條條狀封裝膠體具有多個設置于這些相對應膠體弧面前端且從這些相對應膠體弧面向下延伸的膠體前端面,其中上述縱向與矩陣的橫向相互垂直;
沿著每兩個縱向發光二極管芯片之間,橫向地切割這些條狀封裝膠體,以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發光二極管芯片上的封裝膠體,其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面,并且每一個封裝膠體具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面;
通過一第二模具單元,將一框架單元覆蓋于該基板本體及這些封裝膠體上并且填充于這些封裝膠體之間;以及
沿著每兩個縱向發光二極管芯片之間,橫向地切割該框架單元及該基板本體,以形成多條光棒,并且使得該框架單元被切割成多個只讓每一條光棒上的所有封裝膠體的這些膠體出光面露出的框架層。
2.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:該基板單元為一印刷電路板,并且該印刷電路板為一軟基板、一鋁基板、一陶瓷基板、或一銅基板。
3.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:該正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
4.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:每一個發光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以打線的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產生電性連接。
5.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:每一個發光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以倒裝的方式,以與該基板單元的正、負極導電軌跡產生電性連接。
6.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:每一排縱向發光二極管芯片排以一直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體上。
7.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:該第一模具單元由一第一上模具及一用于承載該基板本體的第一下模具所組成,并且該第一上模具有多條相對應這些縱向發光二極管芯片排的第一通道,其中每一個第一通道具有多個凹槽,而每一個凹槽的上表面及前表面分別具有一個相對應該膠體弧面的模具弧面及一個相對應該膠體前端面的模具前端面,此外這些第一通道的尺寸與這些條狀封裝膠體的尺寸。
8.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:每一條條狀封裝膠體為由硅膠與螢光粉所混合形成的螢光膠體。
9.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:每一條條狀封裝膠體為由環氧樹脂與螢光粉所混合形成的螢光膠體。
10.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:該第二模具單元由一第二上模具及一用于承載該基板本體的第二下模具所組成,并且該第二上模具具有一條相對應該框架單元的第二通道,此外該第二通道的高度與這些封裝膠體的高度相同,而該第二通道的寬度與該框架層的寬度相同。
11.如權利要求1所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:該框架層為不透光框架層。
12.如權利要求11所述的具高效率發光效果的發光二極管的封裝方法,其特征在于:該不透光框架層為白色框架層。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





