[發明專利]壓敏粘著片

無效

• 申請號: 200710105099.1
• 申請日: 2007-05-22
• 公開（公告）號: CN101077963A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 大川雄士
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉慧;楊青

技術領域

本發明涉及壓敏粘著片，其可用于加工(例如切片、延展和拾取) 待被加工的產品，如LED零件、電子零件、半導體晶片、用于封裝半 導體裝置的樹脂板、和玻璃晶片。

背景技術

壓敏粘著片已廣泛用于制造半導體等。作為在背面磨削步驟中待 用于保護半導體晶片的保護粘著片，或在切割(切片)成基元芯片 (element?chips)的步驟中待用于支撐(固定)晶片的支撐粘著片，具 體而言，廣泛使用包括作為基層材料的軟質氯乙烯樹脂的壓敏粘著片， 因為它們具有高度的可伸延性和出色的拾取能力(參見，例如專利文 獻1和2)。從處理性能和保護壓敏粘著層的觀點出發，這些壓敏粘著 片通常具有附著于其的防粘膜或在其壓敏粘著層的背面形成的防粘 層。

然而，采用軟質氯乙烯作為基層材料的壓敏粘著片具有如下問題。 軟質氯乙烯樹脂通常包含具有相對低分子量的化合物，例如增塑劑或 穩定劑，并且這樣的化合物有時在所述粘著片中移動和擴散并且在作 為沉積物的壓敏粘著層的表面上脫離(即，被叫做“遷移”的現象)。 當將所述壓敏粘著片附著于待被加工的例如半導體晶片的物件，并且 在加工完成后將所述壓敏粘著片剝離時，該沉積物作為殘余物粘附于 所述物件上并在制造中導致一些問題或者損害產品的質量(即，叫做 “轉移污染”的現象)。例如，如果外源性物質以約10μm的厚度粘 附于硅氧烷晶片(silicone?wafer)上，將在產品質量方面引起嚴重問題， 即，在LED零件或玻璃晶片的情況下損害光學特性，或在壓敏粘著片 待附著的表面上具有電極的電子零件的情況下損害電流特性和結合性 質。

作為用于防止上述的包含于所述基層材料中的增塑劑向所述壓敏 粘著層遷移的方法，已知的是構建三層壓敏粘著片，其具有由聚烯烴 或改性的丙烯酸樹脂制備的中間層(參見，例如，專利文獻3)。然而， 這些構成所述中間層的樹脂比所述的軟質聚氯乙烯樹脂的彈性差。因 此，仍存在延展性由此而降低的問題。

專利文獻1：JP-A-2001-207140

專利文獻2：JP-A-2001-226647

專利文獻3：JP-B-1-56111

發明內容

本發明的目的是防止增塑劑等沉積到由具有高延展性的氯乙烯樹 脂制成的壓敏粘著片的壓敏粘著層的表面上；并提供可用于加工半導 體晶片等的壓敏粘著片，同時幾乎不導致轉移污染。

為了完成如上所述目的，本發明的發明人進行了深入的研究。結 果本發明的發明人發現防止脂肪酸、脂肪族金屬鹽等向待被加工的物 件的遷移可通過控制與壓敏膜的壓敏粘著層表面或在壓敏粘著片的壓 敏粘著層側的相對側(背側)上形成防粘層以具有特定的表面自由能 的表面相接觸的防粘膜的表面而進行，而不用形成用于防止低分子量 化合物遷移的中間層，從而完成了本發明。

附圖說明

圖1為顯示本發明的壓敏粘著片的實施方案(在其上具有層壓的 防粘膜的情況)的示意性剖視圖。

圖2為顯示本發明的壓敏粘著片的另一個實施方案(在其上沒有 層壓的防粘膜的情況)的示意性剖視圖。

附圖標記的說明

1?壓敏粘著片

2?基層材料層

3?壓敏粘著層

4?壓敏粘著膜

5?防粘層

6?襯墊基層材料

7?防粘膜

8?壓敏粘著片

9?防粘層

10?基層材料層

11?壓敏粘著層

發明詳述

即，本發明涉及如下內容。

(1)壓敏粘著片，其包含：

壓敏粘著膜，該壓敏粘著膜包括基層材料層和布置在該基層材料 層的至少一個側面上的壓敏粘著層，其中所述基層材料層包括軟質氯 乙烯樹脂并包含選自由脂肪酸化合物、脂肪族金屬鹽和磷酸酯所組成 群組中的至少一種化合物；和

防粘膜，該防粘膜包括襯墊基層材料和防粘層，其中在所述防粘 膜中的防粘層的表面具有20dyn/cm或更高但低于30dyn/cm的表面自 由能，

其中所述防粘膜和所述壓敏粘著膜以如下方式層壓：所述防粘膜 的防粘層側與所述壓敏粘著層的表面接觸。

(2)壓敏粘著片，其包含：