[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710105055.9
• 申請日: 2007-05-22
• 公開（公告）號: CN101079410A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 川上勝
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1、一種半導體器件，其中半導體芯片安裝于基板上方，所述器件包括：

多個貫通互連，配置來形成于每個穿透所述基板的通孔內，且從所述半導體芯片被引到所述半導體芯片的相對側上的基板的面。

2、根據權利要求1所述的半導體器件，其中用于將所述多個貫通互連彼此電絕緣的絕緣層形成于所述通孔中。

3、根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個貫通互連彼此同心。

4、根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述通孔形成于所述基板的周邊區域中或在所述基板的周邊區域內的區域中。

5、根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述基板是堆疊在半導體芯片上方的半導體基板。

6、根據權利要求5所述的半導體器件，其中多個所述半導體基板被堆疊，且所述通孔和所述貫通互連形成于每個所述半導體基板中。

7、一種制造半導體器件的方法，所述方法包括步驟：

形成穿透基板的通孔，和

形成多個在每個所述通孔內穿透所述基板的貫通互連，在所述貫通互連之間為電絕緣層。

8、根據權利要求7的制造半導體的方法，其中在形成多個所述貫通互連時，所述貫通互連通過通孔鍍覆形成于所述通孔的內周邊表面上。