[發(fā)明專利]清潔基底的方法和設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710105035.1
• 申請(qǐng)日: 2007-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN101090061A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸根憐;具教旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 劉興鵬;邵偉

相關(guān)申請(qǐng)的交叉參照

[0001].U.S.非臨時(shí)專利申請(qǐng)根據(jù)35U.S.C.§119聲稱享有2006年6月12日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?006-52665和2006年6月20日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?006-55358的優(yōu)先權(quán)，其整個(gè)內(nèi)容在此并入?yún)⒖肌?/p>

技術(shù)領(lǐng)域

[0002].這里公開的本發(fā)明涉及清潔基底的設(shè)備，且更為特別地，涉及通過向基底上施加若干化學(xué)物品和氣體來(lái)清潔和干燥基底的方法和設(shè)備。

背景技術(shù)

[0003].在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造方法中，絕緣層和金屬層的沉積、刻蝕、用光刻膠涂覆、顯影、灰燼的清除和其它加工過程被重復(fù)若干遍以形成精細(xì)圖案的陣列。另外，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造方法中，用去離子水或化學(xué)物品來(lái)進(jìn)行濕清潔過程，以清除每個(gè)加工過程之后留下的雜質(zhì)。

[0004].在傳統(tǒng)的清潔設(shè)備中，在用馬達(dá)使被固定的晶片轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，化學(xué)物品或去除離子的水用在被硅片夾固定的晶片的頂表面。施加在晶片頂表面的化學(xué)物品或去除離子的水在離心力的作用下分布在晶片的整個(gè)頂表面。

[0005].在這樣的單晶型清潔設(shè)備中，用去除離子的水沖洗所述品片之后使用氮?dú)鈦?lái)干燥晶片。

[0006].然而，在氮?dú)飧稍镞^程之后，所述用于沖洗過程的去除離子的水會(huì)留下來(lái)。當(dāng)晶片尺寸增加和更為精細(xì)的圖案形成時(shí)，這個(gè)問題更經(jīng)常地發(fā)生。另外，由于在空氣中清潔和干燥晶片，所述晶片很容易被周圍的物質(zhì)所損壞。

發(fā)明內(nèi)容

[0007].本發(fā)明提供一種快速清潔和干燥基底的方法和設(shè)備。

[0008].本發(fā)明還提供了清潔基底的方法和設(shè)備，同時(shí)保護(hù)所述基底免受外界污染物污染。

[0009].本發(fā)明還提供了能夠減少在干燥過程中在基底上產(chǎn)生水斑的基底清潔方法和設(shè)備。

[0010].本發(fā)明還提供在加工處理過程中能夠有效保護(hù)基底免受周圍物質(zhì)影響的基底清潔方法和設(shè)備。

[0011].本發(fā)明還提供能夠防止外部空氣進(jìn)入處理基底的空間的基底清潔方法和設(shè)備。

[0012].本發(fā)明的實(shí)施例提供清潔基底的設(shè)備，所述設(shè)備包括：包括接收基底的卡盤的基底支撐構(gòu)件；向所述基底的頂表面噴射用于干燥基底的干燥流體的第一噴嘴構(gòu)件；包括開口頂部并圍繞所述卡盤的下蓋；和可選擇地關(guān)閉所述下蓋的開口頂部的上蓋，以便在閉合空間內(nèi)干燥所述基底。

[0013].在一些實(shí)施例中，所述設(shè)備還包括用于給所述閉合空間減壓的減壓?jiǎn)卧鲩]合空間由所述下蓋和所述上蓋形成。

[0014].在其它實(shí)施例中，所述設(shè)備還包括轉(zhuǎn)動(dòng)所述第一噴嘴構(gòu)件的第一旋轉(zhuǎn)單元。

[0015].在其它實(shí)施例中，所述第一噴嘴構(gòu)件包括噴嘴，所述噴嘴包括若干個(gè)沿從所述基底的中心到邊緣延伸的水平線設(shè)置的噴射孔。

[0016].在其它實(shí)施例中，所述設(shè)備還包括提升單元，把所述上蓋移向所述下蓋或把所述上蓋從所述下蓋移開，以關(guān)閉或打開所述下蓋的所述開口頂部。

[0017].在另一些實(shí)施例中，所述第一噴嘴構(gòu)件包括噴嘴，所述噴嘴包括噴射孔，且所述噴嘴被設(shè)置在所述基底上部的所述閉合空間中。

[0018].在另一些實(shí)施例中，所述設(shè)備還包括使所述第一噴嘴構(gòu)件轉(zhuǎn)動(dòng)的第一旋轉(zhuǎn)單元。

[0019].在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述第一噴嘴構(gòu)件設(shè)置在所述上蓋上。

[0020].甚至在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述設(shè)備還包括使所述上蓋轉(zhuǎn)動(dòng)的第一旋轉(zhuǎn)單元。

[0021].在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述噴嘴包括若干沿從所述基底的中心到邊緣延伸的水平線設(shè)置的噴射孔。

[0022].在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述噴射孔的孔表面密度在從基底的中心到邊緣的方向上增加。

[0023].在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述卡盤包括支撐所述基底，且使所述基底離開所述卡盤的頂表面的支撐構(gòu)件。

[0024].在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述設(shè)備還包括安裝在所述卡盤上的第二噴嘴構(gòu)件，用于向所述基底的底表面噴射流體。

[0025].在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述基底支撐構(gòu)件還包括使所述卡盤轉(zhuǎn)動(dòng)的第二旋轉(zhuǎn)單元。

[0026].在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述干燥流體包括有機(jī)溶劑和氮?dú)狻?/p>