[發明專利]清潔基底的方法和設備有效
| 申請號: | 200710105035.1 | 申請日: | 2007-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN101090061A | 公開(公告)日: | 2007-12-19 |
| 發明(設計)人: | 樸根憐;具教旭 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 劉興鵬;邵偉 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清潔 基底 方法 設備 | ||
1、一種用于清潔基底的設備,包括:
基底支撐構件,其包括接收基底的卡盤;
第一噴嘴構件,其向所述基底的頂表面噴射干燥流體以干燥基底;
下蓋,其包括開口頂部并圍繞所述卡盤;
上蓋,其能夠關閉所述下蓋的開口頂部,以便在閉合空間內干燥所述基底;和
給所述閉合空間減壓的減壓單元,所述閉合空間由所述下蓋和所述上蓋形成。
2、根據權利要求1的設備,還包括使所述第一噴嘴構件轉動的第一旋轉單元。
3、根據權利要求2的設備,其中所述第一噴嘴構件包括噴嘴,所述噴嘴包括多個沿著從所述基底的中心到邊緣延伸的水平線設置的噴射孔。
4、根據權利要求1的設備,還包括提升單元,把所述上蓋移向所述下蓋或把所述上蓋從所述下蓋移開,以關閉或打開所述下蓋的所述開口頂部。
5、根據權利要求1的設備,其中所述第一噴嘴構件包括噴嘴,所述噴嘴包括噴射孔,且所述噴嘴在所述閉合空間中設置在所述基底上方。
6、根據權利要求5的設備,還包括使所述第一噴嘴構件轉動的第一旋轉單元。
7、根據權利要求1的設備,其中所述第一噴嘴構件設置在所述上蓋上。
8、根據權利要求7的設備,還包括使所述上蓋轉動的第一旋轉單元。
9、根據權利要求5的設備,其中所述噴嘴包括多個沿著從所述基底的中心到邊緣延伸的水平線設置的噴射孔。
10、根據權利要求9的設備,其中所述噴射孔的孔表面密度在從基底的中心到邊緣的方向上增加。
11、根據權利要求1的設備,其中所述卡盤包括支撐基底、且使所述基底離開所述卡盤的頂表面的支撐構件。
12、根據權利要求11的設備,還包括安裝在所述卡盤上的第二噴嘴構件,用于向所述基底的底表面上噴射流體。
13、根據權利要求1的設備,其中所述基底支撐構件還包括使所述卡盤轉動的第二旋轉單元。
14、根據權利要求1的設備,其中所述干燥流體包括有機溶劑和氮氣。
15、一種用于清潔基底的設備,包括:
基底支撐構件,其包括接收基底的卡盤和支撐所述卡盤的第一心軸;以及
提供閉合空間的腔室,所述卡盤設于閉合空間中,且所述腔室包括第一心軸孔,第一心軸穿過所述第一心軸孔,
其中所述腔室包括安裝在不同高度的第一和第二密封構件,以便在所述第一心軸和所述第一心軸孔之間形成緩沖空間;
第一減壓單元,將所述閉合空間減壓到低于大氣壓的第一壓力;以及
第二減壓單元,將所述緩沖空間減壓到低于大氣壓的第二壓力,所述緩沖空間在所述第一和第二密封構件之間形成。
16、根據權利要求15的設備,其中所述緩沖空間的第二壓力低于所述閉合空間的所述第一壓力,以便防止外部空氣進入所述閉合空間。
17、根據權利要求15的設備,其中所述第一和第二密封構件是軸承。
18、根據權利要求15的設備,其中所述腔室還包括:
具有開口頂部的下蓋;和
關閉所述下蓋的開口頂部的上蓋,以便在閉合空間內處理所述基底。
19、根據權利要求18的設備,還包括移動所述上蓋的提升單元,以打開或關閉所述下蓋的開口頂部。
20、根據權利要求15的設備,還包括第一噴嘴構件,第一噴嘴構件包括形成有噴射孔的噴嘴,用于向所述基底的頂表面上噴射干燥流體,以干燥所述基底,
其中所述噴嘴在閉合空間中位于所述基底上方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





