[發明專利]帶自對準柵極的快閃存儲單元的制造方法

有效

• 申請號: 200710104594.0
• 申請日: 2000-02-17
• 公開（公告）號: CN101083209A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 陳秋峰
• 申請（專利權）人: 西利康存儲技術股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張波

1.一種具有浮柵的半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底中有源區的兩個相對側面上形成隔離氧化區，高度為襯底上有源區寬度的80％到160％數量級的高度；在有源區上形成柵極氧化層；在柵極氧化物上以及沿隔離氧化區的側面淀積第一層硅，形成具有與柵極氧化物共同延伸的底壁和高度為底壁寬度的80％到160％數量級的側壁的浮柵；在浮柵上形成介質膜，在介質膜上淀積第二層硅并形成與浮柵耦合的控制柵。

2.根據權利要求1的方法，其中隔離氧化區通過以下步驟形成：

在襯底上形成臨時層，高度為有源區寬度的80％到160％數量級，淀積氧化物到臨時層以上的程度，平面化氧化物到臨時層的高度，以及除去臨時層。

3.根據權利要求2的方法，其中部分氧化物淀積在襯底中的淺溝槽中。

4.根據權利要求1的方法，其中隔離氧化區通過以下步驟形成：

在襯底上形成臨時層，高度為有源區寬度的80％到160％數量級，生長氧化物到臨時層以上的程度，平面化氧化物到臨時層的高度，以及除去臨時層。

5.一種具有浮柵的半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上有源區的兩個相對側面上形成隔離氧化物；在有源區中的襯底上形成柵極氧化物；在柵極氧化物上和隔離氧化物的側面和頂部淀積第一層硅；在第一層硅上形成氮化層；在氮化層上形成臨時氧化物；平面化臨時氧化物到氮化物的頂部，以露出隔離氧化物上的氮化物并在有源區中留下臨時氧化物；使用氧化物做掩模腐蝕掉隔離氧化物上的氮化物并在有源區中留下氮化物；從有源區中的氮化物上除去臨時氧化物；使用有源區中的氮化物作掩模腐蝕掉隔離氧化物上的硅并在有源區中留下硅形成與隔離氧化物的側面對準的浮柵；從有源區除去氮化物露出浮柵；在浮柵和隔離氧化物上形成介質膜；在介質膜上淀積第二層硅；以及構圖第二層硅形成通過介質膜與浮柵容性耦合的控制柵。

6.根據權利要求5的方法，包括以下步驟：

在第二硅層上設置掩模，以及穿過掩模腐蝕控制柵和浮柵以在兩個柵極上形成對準的側邊。

7.根據權利要求5的方法，包括以下步驟：

在形成第二層硅之前通過腐蝕穿過第一掩模在浮柵上形成一側邊，在構圖第二層硅期間腐蝕穿過第二掩模在浮柵上形成另一側邊。

8.一種具有浮柵的半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上有源區的兩個相對側面上形成隔離氧化物；在有源區中的襯底上形成柵極氧化物；在柵極氧化物上和隔離氧化物的側面和頂部淀積第一層硅；在第一層硅上形成氮化層；平面化氮化物與隔離區上硅齊平；使用有源區中的氮化物作掩模腐蝕掉隔離區上的硅，在有源區中留下硅形成浮柵；從浮柵上除去氮化物；在浮柵和隔離區上形成介質膜；在介質膜上形成第二層硅；以及構圖第二層硅形成控制柵。

9.根據權利要求8的方法，包括用選自磷、砷和硼組成的組中的摻雜劑摻雜第一層硅的步驟。

10.根據權利要求9的方法，其中通過注入離子穿過氮化層摻雜第一層硅。