[發(fā)明專(zhuān)利]帶自對(duì)準(zhǔn)柵極的快閃存儲(chǔ)單元的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710104594.0
• 申請(qǐng)日: 2000-02-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101083209A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳秋峰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西利康存儲(chǔ)技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/28
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張波

1.一種具有浮柵的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底中有源區(qū)的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面上形成隔離氧化區(qū)，高度為襯底上有源區(qū)寬度的80％到160％數(shù)量級(jí)的高度；在有源區(qū)上形成柵極氧化層；在柵極氧化物上以及沿隔離氧化區(qū)的側(cè)面淀積第一層硅，形成具有與柵極氧化物共同延伸的底壁和高度為底壁寬度的80％到160％數(shù)量級(jí)的側(cè)壁的浮柵；在浮柵上形成介質(zhì)膜，在介質(zhì)膜上淀積第二層硅并形成與浮柵耦合的控制柵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中隔離氧化區(qū)通過(guò)以下步驟形成：

在襯底上形成臨時(shí)層，高度為有源區(qū)寬度的80％到160％數(shù)量級(jí)，淀積氧化物到臨時(shí)層以上的程度，平面化氧化物到臨時(shí)層的高度，以及除去臨時(shí)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中部分氧化物淀積在襯底中的淺溝槽中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中隔離氧化區(qū)通過(guò)以下步驟形成：

在襯底上形成臨時(shí)層，高度為有源區(qū)寬度的80％到160％數(shù)量級(jí)，生長(zhǎng)氧化物到臨時(shí)層以上的程度，平面化氧化物到臨時(shí)層的高度，以及除去臨時(shí)層。

5.一種具有浮柵的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上有源區(qū)的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面上形成隔離氧化物；在有源區(qū)中的襯底上形成柵極氧化物；在柵極氧化物上和隔離氧化物的側(cè)面和頂部淀積第一層硅；在第一層硅上形成氮化層；在氮化層上形成臨時(shí)氧化物；平面化臨時(shí)氧化物到氮化物的頂部，以露出隔離氧化物上的氮化物并在有源區(qū)中留下臨時(shí)氧化物；使用氧化物做掩模腐蝕掉隔離氧化物上的氮化物并在有源區(qū)中留下氮化物；從有源區(qū)中的氮化物上除去臨時(shí)氧化物；使用有源區(qū)中的氮化物作掩模腐蝕掉隔離氧化物上的硅并在有源區(qū)中留下硅形成與隔離氧化物的側(cè)面對(duì)準(zhǔn)的浮柵；從有源區(qū)除去氮化物露出浮柵；在浮柵和隔離氧化物上形成介質(zhì)膜；在介質(zhì)膜上淀積第二層硅；以及構(gòu)圖第二層硅形成通過(guò)介質(zhì)膜與浮柵容性耦合的控制柵。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，包括以下步驟：

在第二硅層上設(shè)置掩模，以及穿過(guò)掩模腐蝕控制柵和浮柵以在兩個(gè)柵極上形成對(duì)準(zhǔn)的側(cè)邊。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，包括以下步驟：

在形成第二層硅之前通過(guò)腐蝕穿過(guò)第一掩模在浮柵上形成一側(cè)邊，在構(gòu)圖第二層硅期間腐蝕穿過(guò)第二掩模在浮柵上形成另一側(cè)邊。

8.一種具有浮柵的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上有源區(qū)的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面上形成隔離氧化物；在有源區(qū)中的襯底上形成柵極氧化物；在柵極氧化物上和隔離氧化物的側(cè)面和頂部淀積第一層硅；在第一層硅上形成氮化層；平面化氮化物與隔離區(qū)上硅齊平；使用有源區(qū)中的氮化物作掩模腐蝕掉隔離區(qū)上的硅，在有源區(qū)中留下硅形成浮柵；從浮柵上除去氮化物；在浮柵和隔離區(qū)上形成介質(zhì)膜；在介質(zhì)膜上形成第二層硅；以及構(gòu)圖第二層硅形成控制柵。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，包括用選自磷、砷和硼組成的組中的摻雜劑摻雜第一層硅的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中通過(guò)注入離子穿過(guò)氮化層摻雜第一層硅。