[發明專利]柵介電層的制造方法

有效

• 申請號: 200710104426.1
• 申請日: 2007-04-20
• 公開（公告）號: CN101290909A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 倪志榮;韓敬仁;羅文勛
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/8234;H01L21/31;H01L21/311
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 田野

1.一種柵介電層的制造方法，該方法包括下列步驟：

提供一基底，該基底包括一高壓組件區與一低壓組件區，且該基底中已形成有多個隔離結構，所述多個隔離結構凸出于該基底；

于該基底上形成一高壓柵介電層；

于該高壓組件區的該高壓柵介電層上形成一保護層；

進行一干式蝕刻步驟，移除該低壓組件區的部分該高壓柵介電層；

進行一濕式蝕刻步驟，移除該低壓組件區剩余的該高壓柵介電層，所述多個隔離結構與該基底表面的交界處高于該基底的轉角表面；

移除該保護層；以及

于該低壓組件區的該基底上形成一低壓柵介電層。

2.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中該干式蝕刻步驟包括一反應性離子蝕刻工藝。

3.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中該干式蝕刻步驟為一低功率干式蝕刻步驟。

4.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中該干式蝕刻步驟是使用寡聚合物的一蝕刻氣體。

5.如權利要求4所述的柵介電層的制造方法，其中該蝕刻氣體包括四氟化碳與氧氣。

6.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中于該干式蝕刻步驟之后，該低壓組件區剩余的該高壓柵介電層的厚度小于等于原高壓柵介電層厚度的二分之一。

7.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中該干式蝕刻步驟與該濕式蝕刻步驟之間，還包括進行一灰化步驟。

8.如權利要求7所述的柵介電層的制造方法，其中該灰化步驟是使用氧氣與惰性氣體為反應氣體。

9.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中該濕式蝕刻步驟的蝕刻劑包括氫氟酸。

10.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中該低壓柵介電層的形成方法包括熱氧化法。

11.如權利要求1所述的柵介電層的制造方法，其中該保護層為一圖案化光致抗蝕劑層。