[發明專利]鋁導線的制作方法

無效

• 申請號: 200710103984.6
• 申請日: 2007-05-17
• 公開（公告）號: CN101308809A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 陳威仁;謝榮源;楊立民;王炳堯
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種鋁導線的制作方法，包括：

提供基底；

在該基底上依序形成鋁金屬層與掩模層；

圖案化該掩模層與該鋁金屬層，而在該鋁金屬層中形成多個溝槽；

在這些溝槽側壁形成多個間隙壁，其中這些間隙壁與該鋁金屬層具有不同的蝕刻速率；以及

移除未被圖案化的該掩模層與這些間隙壁覆蓋的該鋁金屬層，直到暴露該基底，以形成多個鋁導線。

2.如權利要求1所述的鋁導線的制作方法，其中該掩模層包括硬掩模層、非結晶碳層、多層反射層與底部防反射涂布層，依序設置于該鋁金屬層上。

3.如權利要求2所述的鋁導線的制作方法，其中圖案化該掩模層與該鋁金屬層，而在該鋁金屬層中形成這些溝槽的步驟包括：

在該掩模層上形成圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層具有一線寬；

以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分該底部防反射涂布層與該多層反射層，直到暴露出該非結晶碳層，以形成圖案化的該底部防反射涂布層與該多層反射層；

以圖案化的該底部防反射涂布層與該多層反射層為掩模，移除部分該非結晶碳層，直到暴露出該硬掩模層，以形成圖案化的該非結晶碳層；以及

以圖案化的該多層反射層與該非結晶碳層為掩模，移除部分該硬掩模層與該鋁金屬層，以在該鋁金屬層中形成這些溝槽。

4.如權利要求3所述的鋁導線的制作方法，其中移除部分該硬掩模層與該鋁金屬層，以在該鋁金屬層中形成這些溝槽的方法包括反應性離子蝕刻工藝。

5.如權利要求3所述的鋁導線的制作方法，其中形成這些溝槽之后，還包括移除位于圖案化的該硬掩模層上的圖案化的該非結晶碳層。

6.如權利要求3所述的鋁導線的制作方法，其中該鋁導線頂部的線寬等于該圖案化光致抗蝕劑層的線寬，并且該鋁導線底部的線寬等于頂部的線寬。

7.如權利要求3所述的鋁導線的制作方法，其中該鋁導線頂部的線寬等于圖案化光致抗蝕劑層的線寬，并且該鋁導線底部的線寬大于頂部的線寬。

8.如權利要求1所述的鋁導線的制作方法，其中該鋁金屬層頂面至這些溝槽底部的深度為該鋁金屬層厚度的1/2至2/3。

9.如權利要求1所述的鋁導線的制作方法，其中這些間隙壁的材料包括介電材料、氮化鈦或有機材料。

10.如權利要求1所述的鋁導線的制作方法，其中這些間隙壁的形成方法，包括：

形成間隙壁材料層，以覆蓋該掩模層與這些溝槽；以及

移除部分該間隙壁材料層，以在這些溝槽側壁形成這些間隙壁。

11.如權利要求10所述的鋁導線的制作方法，其中該間隙壁材料層的形成方法包括化學氣相沉積法、金屬有機物化學氣相沉積法、離子濺鍍鍍膜法或原子層沉積法。

12.如權利要求1所述的鋁導線的制作方法，其中這些間隙壁的厚度包括50埃至100埃。

13.如權利要求1所述的鋁導線的制作方法，還包括在該基底與該鋁金屬層之間形成第一阻障層，該第一阻障層包括鈦層、氮化鈦層或鈦/氮化鈦復合層。

14.如權利要求1所述的鋁導線的制作方法，還包括在該鋁金屬層與該掩模層之間形成第二阻障層，該第二阻障層包括鈦層、氮化鈦層或鈦/氮化鈦復合層。

15.一種鋁導線的制作方法，包括：

提供基底；

在該基底上依序形成第一阻障層、鋁金屬層、第二阻障層、硬掩模層、非結晶碳層、多層反射層與底部防反射涂布層；

圖案化該底部防反射涂布層與該多層反射層，直到暴露出該非結晶碳層，以形成圖案化的該底部防反射涂布層與該多層反射層；

以圖案化的該底部防反射涂布層與該多層反射層為掩模，移除部分該非結晶碳層，直到暴露出該硬掩模層，以形成圖案化的該非結晶碳層；

以圖案化的該多層反射層與該非結晶碳層為掩模，移除部分該硬掩模層、該第二阻障層與該鋁金屬層，以形成圖案化的該硬掩模層并且在該鋁金屬層中形成多個溝槽；

在這些溝槽側壁形成多個間隙壁，其中這些間隙壁與該鋁金屬層具有不同的蝕刻速率；以及

移除未被圖案化的該硬掩模層與這些間隙壁覆蓋的該鋁金屬層與該第一阻障層，直到暴露該基底，以形成多個鋁導線。