[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 200710103973.8
• 申請日: 2007-05-17
• 公開（公告）號: CN101075614A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 勝木信幸;二階堂裕文;小林道弘;川勝康弘
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/11;H01L23/528;H01L23/552
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;陸錦華

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置，并且特別地涉及一種具有屏蔽線的半導體裝置，其中所述屏蔽線位于器件與放置在該器件上方的線層之間。

背景技術

半導體裝置的制造工藝近來趨于更精細的設計規則。隨著制造工藝變得更加精細，由于減小了漏極處的寄生電容(漏電容)并且縮短了線之間的距離，因此降低了半導體裝置的抗噪性。

減小漏電容的效果之一是降低了對于軟錯誤的抵抗性，其中該軟錯誤是由于來自半導體裝置外部的宇宙輻射而發生的。縮短了線之間距離的效果之一是線之間的信號干擾。該干擾使得通過相鄰線傳輸的信號作為彼此的噪聲出現，而這導致了信號傳播錯誤。

日本未審專利申請公開No.2005-183420(下文中被稱為相關技術)中披露了一種用于減小漏電容減小的效果的技術。該相關技術的目的是抑制SRAM中出現的軟錯誤。圖11為根據相關技術的SRAM的電路圖。如圖11中所示，相關技術的SRAM包括分別用于節點101和102(交叉耦合節點)的附加電容器C1和C2，用于存儲數據。附加電容器C1和C2允許增加節點101和102的電容，從而改進軟錯誤抵抗性。

進一步，在相關技術中，在SRAM單元上方形成附加電容器130。圖12示出了根據相關技術的SRAM的布圖，并且圖13示出了該附加電容器130被置于SRAM單元上方的布圖。如圖13中所示，相關技術中電容器C1和C2被適當地放置在SRAM單元上方的層中。這就消除了附加電容器C1和C2所需的附加面積，從而抑制了芯片面積的增加。

但是，在日本未審專利申請公開No.2005-183420中披露的相關技術中，并沒有解決由于線之間的干擾而引起的信號傳播錯誤。在SRAM中，置于該線上方的位線用作交叉耦合節點。該交叉耦合節點的電壓具有電源電壓VDD與接地電壓VSS之間的幅值。由于交叉耦合節點的電壓變化范圍很廣，因此置于該交叉耦合節點上方的位線受到了交叉耦合節點中的電壓變化的影響(干擾)。這樣，交叉耦合節點中的電壓變化能夠作為噪聲而影響該位線。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種半導體裝置，包括：內部層，其中放置有用于將第一電源提供給布圖單元中的晶體管的第一電源線以及用于連接該布圖單元中的晶體管的內部單元線；輸入/輸出線層，其中放置有與該布圖單元的輸入/輸出端相連的輸入/輸出線；以及屏蔽線，其被放置在內部層與輸入/輸出線層之間，以便覆蓋內部單元線和第一電源線。

在根據本發明的半導體裝置中，形成屏蔽線，以覆蓋內部單元線和第一電源線。屏蔽線被放置在內部層與輸入/輸出線層之間。因此，該屏蔽線能夠防止由于在內部單元線或第一電源線中出現的電壓變化而引起的噪聲。這就防止了內部單元線、第一電源線以及輸入/輸出線之間的干擾。因此，本發明的半導體裝置提高了輸入/輸出線上的信號的可靠性。

根據本發明的半導體裝置能夠防止輸入/輸出線與其下形成的內部單元線之間的干擾。

附圖說明

本發明的上述和其他目的，優點和特征從參照附圖對一定優選實施例的如下說明而變得更加清晰，其中：

圖1示出了根據本發明的第一實施例的SRAM的電路圖；

圖2示出了根據本發明的第一實施例的SRAM單元的布圖；

圖3示出了使用根據本發明的第一實施例的布圖單元的SRAM的布圖；

圖4示出了屏蔽線和位線被放置在圖3中所示的布圖的上層中的布圖；

圖5為沿著圖4中所示的布圖的線X-X’的截面圖；

圖6為圖5的截面圖中的區域40的放大圖；

圖7為沿著圖4中所示的布圖的線Y-Y’的截面圖；

圖8為圖7的截面圖中的區域50的放大圖；

圖9示出了使用根據本發明的第二實施例的布圖單元的SRAM的布圖；

圖10示出了屏蔽線和位線被放置在圖9中所示的布圖的上層中的布圖；

圖11示出了根據相關技術的SRAM的電路圖；

圖12示出了根據相關技術的SRAM的布圖；以及

圖13示出了附加電容器和位線被放置在圖12中所示的布圖的上層中的布圖。

具體實施方式

現在將參照說明性實施例來描述本發明。本領域的技術人員可以認識到，通過使用本發明的講解可以實現許多可選實施例，并且本發明并不僅限于為說明目的而示出的實施例。

第一實施例

下面參照附圖來描述本發明的典型實施例。在下面的實施例中，本發明應用于SRAM(靜態隨機存取存儲器)，作為半導體裝置的一個例子。圖1示出了SRAM1的電路圖。