[發明專利]半導體裝置無效
| 申請號: | 200710103973.8 | 申請日: | 2007-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN101075614A | 公開(公告)日: | 2007-11-21 |
| 發明(設計)人: | 勝木信幸;二階堂裕文;小林道弘;川勝康弘 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/11;H01L23/528;H01L23/552 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 孫志湧;陸錦華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
內部層,包括內部單元線,該內部單元線與形成在布圖單元中的晶體管節點相連;
第一電源線,用于將預定電壓提供給布圖單元;
輸入/輸出線,其與布圖單元中的晶體管的輸入/輸出端相連;以及
屏蔽線,其被放置在內部層與輸入/輸出線之間,以便覆蓋內部層和第一電源線。
2.根據權利要求1的半導體裝置,其中
與和布圖單元的沿著第二方向的外圍最接近的下述端部相比,屏蔽線在第一方向上的端部被放置在布圖單元的較外部,上述端部是從第一電源線的端部和內部單元線的端部中選出的,以及
與和布圖單元的沿著第一方向的外圍最接近的內部單元線的端部相比,屏蔽線在第二方向上的端部被放置在布圖單元的較外部。
3.根據權利要求1的半導體裝置,其中
與和布圖單元的沿著第二方向的外圍最接近的下述端部相比,屏蔽線在第一方向上的端部被放置在布圖單元的較外部,上述端部是從第一電源線的端部和內部單元線的端部中的與布圖單元的沿著第二方向的外圍最接近的端部,以及與布圖單元的沿著第二方向的外圍最接近的、放置在布圖單元上面的輸入/輸入出線的端部選出來的;以及
與和布圖單元的沿著第一方向的外圍最接近的內部單元線的端部相比,屏蔽線在第二方向上的端部被放置在布圖單元的較外部。
4.根據權利要求1的半導體裝置,其中
與和布圖單元的沿著第一方向的外圍最接近的下述端部相比,和布圖單元的沿著第二方向的外圍最接近的、放置在布圖單元上面的輸入/輸出線的端部,被放置在布圖單元的較內部,上述端部是從屏蔽線在第一方向上的端部、第一電源線的端部以及內部單元線的端部中選出的。
5.根據權利要求2的半導體裝置,其中
第一方向為第一電源線的縱向方向,并且第二方向與第一方向基本垂直。
6.根據權利要求3的半導體裝置,其中
第一方向為第一電源線的縱向方向,并且第二方向與第一方向基本垂直。
7.根據權利要求4的半導體裝置,其中
第一方向為第一電源線的縱向方向,并且第二方向與第一方向基本垂直。
8.根據權利要求1的半導體裝置,其中
布圖單元進一步包括第二電源線,用于將第二電源提供給布圖單元中的晶體管,并且與第二電源線平行布置的內部單元線以及第一電源線被放置在第二電源線之間的區域中。
9.根據權利要求1的半導體裝置,其中
布圖單元包括至少一個靜態隨機存取存儲器(SRAM)單元。
10.根據權利要求9的半導體裝置,其中
屏蔽線為附加電容器的電極,其中該附加電容器與SRAM單元的交叉耦合節點和第一電源線相連。
11.根據權利要求1的半導體裝置,其中
多個布圖單元被布置為通過抽頭區域彼此相鄰,在該抽頭區域中放置有用于將電源提供給多個布圖單元的全局電源線。
12.一種半導體器件,包括:
布圖單元中形成的多個晶體管;
布置在所述布圖單元中的內部層,用于在其間連接所述晶體管;
布置在所述布圖單元中的第一電源線,用于將電壓提供給布圖單元中的晶體管;
布置在所述布圖單元中的所述內部層上的導線,用于將電壓提供給晶體管;以及
放置在內部層與導線之間的屏蔽線,以便覆蓋內部層和第一電源線,
所述屏蔽線從第一電源線的邊緣伸出。
13.一種半導體器件,包括:
第一布圖單元;
通過抽頭區域與所述第一布圖單元相鄰的第二布圖單元;
不通過任何抽頭區域與所述第二布圖單元相鄰的第三布圖單元;
其中每個所述布圖單元具有,
晶體管;以及
電源線,其與第一至第三布圖單元的相應布圖單元中的晶體管耦合;
在抽頭區域上形成的層,用于連接第一布圖單元中的第一電源線與第二布圖單元中的第一電源線;以及
屏蔽線,其不僅覆蓋第一、第二以及第三布圖單元中的第一電源線,而且還覆蓋抽頭區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





