[發明專利]制造晶體管結構的方法

有效

• 申請號: 200710103847.2
• 申請日: 2007-05-16
• 公開（公告）號: CN101075562A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 張永富;K·K·德茨富利安;駱志炯;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司;特許半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

1.一種在襯底上形成應變溝道晶體管結構的方法，包括以下步驟：

形成包括深源極凹陷和源極擴展凹陷的源極應力體凹陷并形成包括深漏極凹陷和漏極擴展凹陷的漏極應力體凹陷；以及

隨后在所述源極應力體凹陷中形成源極應力體并在所述漏極應力體凹陷中形成漏極應力體，

其中在形成源極應力體凹陷和漏極應力體凹陷的步驟之前是在其中將要形成相應源極擴展凹陷和漏極擴展凹陷的襯底部分之上形成犧牲層的步驟，以及

其中形成所述源極應力體凹陷和漏極應力體凹陷中每一個凹陷的步驟還包括以下步驟：

形成深應力體凹陷的第一部分；

去除所述犧牲層；以及

隨后同時形成所述深應力體凹陷的第二部分和擴展應力體凹陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述源極應力體包括深源極應力體部分和源極擴展應力體部分，以及所述漏極應力體包括深漏極應力體部分和漏極擴展應力體部分。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括形成具有比相應源極和漏極擴展應力體部分的深度更大深度的深源極和深漏極應力體部分。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括在所述源極和漏極擴展應力體部分的相對端部之間形成應變溝道。

5.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述犧牲層的步驟與刻蝕所述深應力體凹陷的所述第一部分的步驟同時執行，由此所述刻蝕步驟去除所述犧牲層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中刻蝕所述深應力體凹陷的所述第一部分的步驟包括各向同性刻蝕所述深應力體凹陷的步驟。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述各向同性刻蝕的步驟包括反應離子刻蝕的步驟。

8.根據權利要求7所述的方法，其中同時形成所述深應力體凹陷的所述第二部分和所述擴展應力體凹陷的步驟包括各向異性刻蝕的步驟。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述各向異性刻蝕的步驟包括反應離子刻蝕的步驟。

10.根據權利要求5所述的方法，其中形成所述深應力體凹陷的所述第一部分以及同時形成所述深應力體凹陷的所述第二部分和所述擴展應力體凹陷的步驟都通過各向異性刻蝕執行或都通過各向同性刻蝕執行。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底由具有第一自然晶格常數的第一半導體材料形成，以及形成所述源極應力體和所述漏極應力體的步驟包括利用具有與所述第一半導體材料不同的第二自然晶格常數的第二半導體材料填充所述源極應力體凹陷和所述漏極應力體凹陷的步驟。

12.根據權利要求11所述的方法，其中利用第二半導體材料填充所述源極應力體凹陷和所述漏極應力體凹陷的步驟包括對所述第二半導體材料進行原位摻雜的步驟。

13.根據權利要求11所述的方法，其中利用第二半導體材料填充所述源極應力體凹陷和所述漏極應力體凹陷的步驟還包括形成加高的源極應力體區域和加高的漏極應力體區域的步驟，由此所述深源極和漏極應力體的上表面突出到所述襯底表面的水平面之外。

14.根據權利要求2所述的方法，其中所述源極擴展應力體部分和所述漏極擴展應力體部分的上表面與所述襯底的表面共面。

15.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述犧牲層的步驟在形成所述深應力體凹陷的所述第一部分的步驟之后執行。

16.根據權利要求15所述的方法，其中去除所述犧牲層的步驟包括改變用于刻蝕所述深應力體凹陷的所述第一部分的刻蝕劑的組分的步驟，以由此消耗掉所述犧牲層。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述刻蝕劑以氣體形式提供。

18.根據權利要求15所述的方法，其中形成所述深應力體凹陷的所述第一部分的步驟包括各向異性刻蝕的步驟。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述各向異性刻蝕的步驟包括反應離子刻蝕的步驟。

20.根據權利要求19所述的方法，其中同時形成所述深應力體凹陷的所述第二部分和所述擴展應力體凹陷的步驟包括各向異性刻蝕的步驟。