[發(fā)明專利]光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置和電子裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710103468.3 | 申請(qǐng)日: | 2007-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101083254A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 長(zhǎng)谷川也寸志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 夏普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L25/00 | 分類號(hào): | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 耦合 半導(dǎo)體 裝置 電子 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及應(yīng)用于固體繼電器等的光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置,以及其中安裝有該光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置的電子裝置。
背景技術(shù)
參照?qǐng)D15描述傳統(tǒng)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置的示例。圖15為示出了傳統(tǒng)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置的側(cè)視圖。
傳統(tǒng)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置101例如配置成固體繼電器。在該固體繼電器中,使用樹(shù)脂密封部116整體密封功率控制半導(dǎo)體元件芯片、發(fā)光元件以及點(diǎn)火(firing)光接收元件。功率控制半導(dǎo)體元件芯片置于副側(cè)上,驅(qū)動(dòng)例如電機(jī)的負(fù)載。發(fā)光元件置于主側(cè),將電學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)換成光學(xué)信號(hào)。點(diǎn)火光接收元件置于副側(cè)上,在從與其光學(xué)耦合的發(fā)光元件接收到光學(xué)信號(hào)時(shí)點(diǎn)火該功率控制半導(dǎo)體元件芯片。
在光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置101中,大的有效電流流到功率控制半導(dǎo)體元件芯片從而驅(qū)動(dòng)負(fù)載。因此產(chǎn)生大量的熱,使得結(jié)部分的溫度上升。當(dāng)不對(duì)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置101采取任何措施時(shí),性能惡化且可靠性降低。
為了解決上述的溫度上升,在傳統(tǒng)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置101中,用作散熱裝置的散熱器121通過(guò)粘合層124與樹(shù)脂密封部116的外部緊密接觸。置于樹(shù)脂密封部116一個(gè)面上的散熱器121僅通過(guò)空氣層散熱,因?yàn)閭鹘y(tǒng)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置101設(shè)有例如形式為DIP(雙直列封裝)的引線引出部,該引線引出部引至外部以安裝在安裝板上。
此外,散熱器121向上(或向下)開(kāi)口,因此其對(duì)沿箭頭F所示方向的力的抵抗力較小。因此存在例如由于可能從樹(shù)脂密封部116剝落而引起的散熱器121缺乏可靠性的問(wèn)題。
對(duì)于SIP(單直列封裝)的情形,作為散熱裝置的散熱器通過(guò)螺絲固定到預(yù)先設(shè)于樹(shù)脂密封部?jī)?nèi)的通孔。
除此以外,日本專利No.2797978、日本專利No.3173149、JP?H4-20245U和JP?H5-21451U中描述了設(shè)有散熱器的半導(dǎo)體裝置。然而,這些散熱器具有復(fù)雜的配置,無(wú)法容易地附著。即使散熱器可以容易地附著,但是仍存在附著強(qiáng)度的問(wèn)題。
圖16為示出了可以流過(guò)功率控制半導(dǎo)體元件芯片的有效電流IT與環(huán)境溫度Ta之間的關(guān)系的降額(derating)特征的曲線圖。
水平軸示出了環(huán)境溫度Ta(℃),垂直軸示出了有效電流IT(A)。對(duì)于應(yīng)用于固體繼電器的光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置101的情形,更大的有效電流提供了更寬的應(yīng)用范圍,因此需要允許盡可能大的有效電流流過(guò)。此外,圖16中的虛線示出了傳統(tǒng)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置中功率控制半導(dǎo)體元件的有效電流IT和環(huán)境溫度Ta之間的關(guān)系。
更具體而言,在功率控制半導(dǎo)體元件芯片的工作溫度范圍內(nèi)可以流過(guò)的有效電流IT表現(xiàn)出由圖16中虛線所示的降額特性,其取決于光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置101的封裝(樹(shù)脂密封部116)的熱阻Rth(j-a)。因此,對(duì)于環(huán)境溫度Ta超過(guò)預(yù)定溫度Tap的情形,有效電流IT隨溫度上升而降低,且有效電流IT基本不能在溫度Tam下流動(dòng)。因此,在更高溫度側(cè),不能流過(guò)大的有效電流IT。
為了允許大的有效電流IT在更高溫度側(cè)流動(dòng),需要通過(guò)減小封裝的熱阻Rth(j-a),使有效電流IT開(kāi)始減小的溫度Tap朝更高溫度側(cè)偏移,由此改善散熱。
然而,在傳統(tǒng)光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置中,分別獨(dú)立地形成散熱器或散熱端子,因此無(wú)法實(shí)現(xiàn)高的熱散逸。換言之,降額特性正如圖16中虛線所示,因此大的有效電流不能在更高溫度側(cè)流動(dòng)。
此外,在引線框延伸或者散熱器暴露于封裝的一個(gè)側(cè)面的配置中,在生產(chǎn)過(guò)程中需要使用大量的特殊材料和設(shè)備,因此成本增大。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于這些情況進(jìn)行了本發(fā)明,其目的是提供一種光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置,以及其中安裝了該光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置的電子裝置,在該光學(xué)耦合半導(dǎo)體裝置中大于傳統(tǒng)示例的有效電流可以在更高溫度側(cè)流動(dòng),因?yàn)橥ㄟ^(guò)設(shè)計(jì)用于散熱以改善熱散逸的裝置的配置,相對(duì)于環(huán)境溫度的有效電流的降額特性得到改善。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





