[發明專利]半導體結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200710102224.3
• 申請日: 2007-04-27
• 公開（公告）號: CN101075585A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 程慷果;朱慧瓏;李佑炯
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/20;H01L21/762;H01L27/12
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體制造方法，包括：

提供半導體結構，該半導體結構包括：

(a)第一半導體層，具有第一結晶取向，

(b)埋置絕緣層，在所述第一半導體層的頂上，

(c)第二半導體層，在所述埋置氧化層的頂上，其中所述第二半導體層具有第二結晶取向，并且其中所述第二結晶取向與所述第一結晶取向不同；

在所述第一半導體層的頂上形成第三半導體層，其中所述第三半導體層具有所述第一結晶取向；和

在所述第三半導體層的頂上形成第四半導體層，其中所述第四半導體層包括與所述第三半導體層的材料不同的材料，并且其中所述第四半導體層具有所述第一結晶取向。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一、第二和第三半導體層包括硅，并且其中所述第四半導體層包括Si和Ge的混合物。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一、第二和第三半導體層包括硅，并且其中所述第四半導體層包括Si和C的混合物。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述埋置絕緣層包括二氧化硅。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一結晶取向是(110)，并且其中所述第二結晶取向是(100)。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括分別在所述第二和第四半導體層上形成N溝道晶體管和P溝道晶體管。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成所述第三半導體層包括在所述第一半導體層上外延生長半導體材料。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成所述第四半導體層包括在所述第三半導體層上外延生長半導體材料。

9.一種半導體結構，包括：

(a)第一半導體層，具有第一結晶取向；

(b)埋置氧化層，在所述第一半導體層的頂上；

(c)第二半導體層，在所述埋置氧化層的頂上，其中所述第二半導體層具有第二結晶取向，并且其中所述第二結晶取向與所述第一結晶取向不同；

(d)第三半導體層，在所述第一半導體層的頂上，其中所述第三半導體層具有所述第一結晶取向；和

(e)第四半導體層，在所述第三半導體層的頂上，其中所述第四半導體層包括與所述第三半導體層的材料不同的材料，并且其中所述第四半導體層具有所述第一結晶取向。

10.根據權利要求9所述的結構，其中所述第一、第二和第三半導體層包括硅，并且其中所述第四半導體層包括Si和Ge的混合物。

11.根據權利要求9所述的結構，其中所述第一、第二和第三半導體層包括硅，并且其中所述第四半導體層包括Si和C的混合物。

12.根據權利要求9所述的結構，其中所述第一結晶取向是(110)，并且其中所述第二結晶取向是(100)。

13.根據權利要求9所述的結構，還包括分別在所述第二和第四半導體層上的NFET和PFET。

14.一種半導體制造方法，包括：

提供半導體結構，該半導體結構包括：

(a)第一半導體區域，具有第一結晶取向，

(b)第二半導體區域，具有第二結晶取向，其中所述第二結晶取向與所述第一結晶取向不同，和

(c)絕緣區域，其中所述第一半導體區域和所述第二半導體區域通過所述絕緣區域相互電絕緣；

形成(i)在所述第一半導體區域的頂上的第一犧牲區域，和(ii)在所述第二半導體區域的頂上的第二犧牲區域，其中所述第一犧牲區域的第一厚度比所述第二犧牲區域的第二厚度小；和

對所述第一和第二犧牲區域進行蝕刻，使得完全除去所述第一犧牲區域，但是所述第二犧牲區域的一部分仍保留在所述第二半導體區域的頂上。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第一和第二半導體區域包括硅。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述絕緣區域包括氮化物材料。

17.根據權利要求14所述的方法，其中所述第一和第二犧牲區域包括二氧化硅。