[發明專利]用于檢查制造集成電路器件中使用的掩模的設備和方法

無效

• 申請號: 200710100999.7
• 申請日: 2007-05-08
• 公開（公告）號: CN101071262A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 金度映;鄭東訓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;H01L21/66
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 林宇清;謝麗娜

與相關申請的交叉引用

本申請要求2006年5月8日在韓國知識產權局申請的韓國專利申請號10-2006-0041069的優先權，在此將其公開內容全部引入作為參考。

技術領域

本發明涉及一種用于檢查在制造集成電路(IC)器件中使用的掩模的設備和方法，該掩模具有半導體圖形，更具體，涉及一種使用第二級非線性光學系統探測在制造IC器件中使用的掩模上的半導體圖形中的缺陷的設備和方法。

背景技術

制造集成電路(IC)器件的方法涉及諸如在硅晶片上重復地執行各個半導體工序，包括淀積、光處理、光刻、離子注入和散射。以此方式，在單晶片上分批制造大量IC器件。

光工序包括在晶片上形成光刻膠層和構圖該光刻膠層，以在晶片上形成半導體圖形。這涉及在晶片之上對準具有半導體圖形的掩模并在該光刻膠層上照射光，以將半導體圖形轉移到晶片的曝光步驟。

隨著IC器件越來越小和功能越來越多的需求增加，在掩模上形成的半導體圖形尺寸被減小。這又增加探測半導體圖形上的缺陷的困難。

圖1圖示了制造IC器件中使用的具有半導體圖形的掩模105的布置和用于檢查該半導體圖形的常規掩模檢查設備101的視圖。參考圖1，常規掩模檢查設備101包括光學系統111和檢查工具121。

掩模105被設置在晶片上(未示出)，以及在該掩模上形成用于在晶片上形成半導體器件的半導體圖形。

光學系統111包括用于傳輸掩模105的圖像P1的透鏡。檢查工具(inspector)121檢查通過光學系統111的圖像P1′，以決定在半導體圖形中是否存在或不存在缺陷。

用于檢查掩模105的方法包括照射光PP到掩模105上和檢查圖像P1穿過光學系統111之后獲得的圖像P1′的波形。該照射光PP通常可以具有大的光斑尺寸，以便整個掩模105被同時照射，或可以通過照射光PP(即，掃描)，移動掩模105的各個部分，以便掩模105的所有區域被輪流照射，且因此被檢查。當圖像P1′的波形扭曲時，掩模上的半導體圖形可以被確定為具有缺陷。

圖2A是波形圖的例子，圖示了圖1所示的掩模105的圖像P1的強度。圖2B是波形圖，圖示了穿過圖1所示的光學系統111之后的圖像P1′的強度。

圖2A和2B示出了圖像P1的強度等于圖像P1′的強度。亦即，當掩模105的圖像P1穿過光學系統111時，它沒有被放大。

圖3A是波形圖的例子，圖示了當掩模105上的半導體圖形具有缺陷時，掩模105的圖像P1的強度。參考圖3A，當半導體圖形有缺陷時，表示掩模105的圖像P1的強度的部分波形311以某種方式被扭曲。在該例子中，該強度在特定的位置被降低，因為這里的缺陷阻擋部分透射光。

圖3B是波形圖，圖示了在圖像P1穿過光學系統111之后獲得的圖像P1′的強度。參考圖3B，圖像P1′的強度等于圖像P1的強度，圖像P1具有圖3A所示的扭曲部分311。圖3A所示的圖像P1的扭曲部分311也具有與穿過光學系統111的圖像P1′的扭曲部分311′相同的尺寸。

當掩模105具有缺陷時，表示圖像P1′的強度異常的波形寬度如此小，以致它可能非常難以被探測。因此，掩模105上的半導體圖形中的缺陷不可以被容易地檢測到。亦即，因為掩模105上的半導體圖形是非常精細的，表示圖像P1′的強度的波形如此窄，以致如果半導體圖形具有缺陷，該圖像P1′僅僅略微地出現扭曲。這使之很難將該扭曲的圖像(圖3B的P1′)與普通圖像(圖2B的P1′)相區分。

由此，因為使用常規掩模檢查設備101很難發現掩模105上的半導體圖形中的缺陷，希望一種改進的設備和方法。

發明內容

本發明的某些實施例提供一種用于檢查制造集成電路(1C)器件中使用的掩模的設備，該設備可以容易地探測掩模上的精細半導體圖形中的缺陷。

本發明的實施例也提供一種用于檢查制造IC器件中使用的掩模的方法，該方法允許容易地探測掩模上的精細半導體圖形中的缺陷。