[發明專利]用于檢查制造集成電路器件中使用的掩模的設備和方法

無效

• 申請號: 200710100999.7
• 申請日: 2007-05-08
• 公開（公告）號: CN101071262A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 金度映;鄭東訓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;H01L21/66
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 林宇清;謝麗娜

1.一種用于探測在制造IC(集成電路)器件中使用的掩模上的半導體圖形中的缺陷的掩模檢查設備，該設備包括：

圖像合成儀，該圖像合成儀用于接收在該掩模上入射的光束所產生的掩模圖像和用于接收基準光束、將該掩模圖像與該基準光束結合以形成合成圖像、以及沿相同的路徑引導該合成圖像，其中該掩模圖像包括對掩模上的半導體圖形敏感的波形；

用于接收來自該圖像合成儀的合成圖像以及用于增加掩模圖像和基準光束之一的強度的第二級非線性光學系統，該合成圖像包括掩模圖像和基準光束；以及

檢查單元，用于通過檢查對合成圖像敏感、退出第二級非線性光學系統的圖像，確定在半導體圖形中是否存在缺陷。

2.如權利要求1的設備，其中在該掩模上入射的光束通過掩模傳輸到圖像合成儀。

3.如權利要求1的設備，其中在該掩模上入射的光束從該掩模反射到圖像合成儀。

4.如權利要求1的設備，其中該基準光束具有掩模圖像的兩倍波長。

5.如權利要求1的設備，其中該基準光束的強度具有DC(直流)電平。

6.如權利要求1的設備，其中該圖像合成儀是反射基準光束時用于傳輸掩模圖像的分色濾光器。

7.如權利要求1的設備，其中該第二級非線性光學系統包括選自由LBO(Li₂B₄O₇)、BBO(β-硼酸鋇)、KH₂PO₄(KDP)、KTiPO₄(KTP)、KNBO₃和PPLN(周期性極化LiNbO₃)構成的組的一種。

8.如權利要求1的設備，還包括用于根據波長，將退出第二級非線性光學系統的圖像分開和用于在該檢查單元上投影該分開圖像的圖像分離器。

9.如權利要求8的設備，其中該圖像分離器包括分色濾光器。

10.如權利要求8的設備，其中該檢查單元包括多個檢查工具，每個檢查工具用于從圖像分離器接收多個圖像之一，還用于通過檢查分別接收的圖像，確定在該掩模上的半導體圖形中是否存在缺陷。

11.如權利要求1的設備，其中該光束是激光。

12.如權利要求1的設備，其中該第二級非線性光學系統增加掩模圖像的對比度。

13.如權利要求1的設備，其中該退出第二級非線性光學系統的圖像包括第一圖像和第二圖像，該第一圖像具有與掩模圖像相同的波長和與掩模圖像相同但是加強的波形，該第二圖像具有與掩模圖像相同的波形但是掩模圖像兩倍的波長。

14.如權利要求1的設備，其中從第二級非線性光學系統退出的圖像包括第一圖像和第二圖像，該第一圖像具有與掩模圖像相同但是加強的波形和掩模圖像的兩倍波長，該第二圖像具有與掩模圖像相同的波長和波形。

15.一種用于探測在制造IC(集成電路)器件中使用的掩模上的半導體圖形中的缺陷的掩模檢查方法，該方法包括：

照射光到掩模上；

將離開掩模的掩模圖像與基準光束結合；

當該合成圖像穿過第二級非線性光學系統時增加該合成圖像的強度；

根據波長將退出第二級非線性光學系統的圖像分開；以及

檢查該分開圖像。

16.如權利要求15的方法，其中檢查該分開圖像包括：

選擇與該掩模圖像相比被加強的一個分開圖像；以及

檢查所選的圖像，以確定在掩模上的半導體圖形中是否存在缺陷。

17.如權利要求15的方法，還包括通過使該掩模圖像穿過第二級非線性光學系統，增加該掩模圖像的對比度。

18.如權利要求15的方法，還包括使照射光穿過掩模或從掩模反射，以產生掩模圖像，該掩模圖像包括對該掩模上的半導體圖形敏感的波形。