[發(fā)明專利]蝕刻裝置、浸潤(rùn)槽及蝕刻方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710100965.8 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101136309A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳立銳;傅中其;張慶裕;梁輔杰;許林弘;陳俊光;高蔡勝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 邢雪紅 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蝕刻 裝置 浸潤(rùn) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造相關(guān)技術(shù),尤其與一種蝕刻裝置及其潔凈方法有關(guān)。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體制造繼續(xù)往如65納米、45納米或更小的尺寸微縮時(shí),將改采用浸潤(rùn)式蝕刻方法(immersion?lithography?methods)以解決所遭遇的制造問題。然而,在施行浸潤(rùn)式蝕刻系統(tǒng)(immersion?lithography?system)進(jìn)行曝光程序時(shí),于不同位置處所產(chǎn)生的蒸發(fā)效應(yīng)(evaporation?effects)及其它關(guān)于浸潤(rùn)流體的其它效應(yīng)將于工藝中造成晶片的降溫。因此,便需要設(shè)置一加熱器于用于溫度補(bǔ)償用的一浸潤(rùn)槽(immersion?hood)內(nèi)并密封之。然而,浸潤(rùn)槽的密封開口(sealing?opening)直接接觸浸潤(rùn)流體。上述密封開口處的密封物(sealant)因而成為一微塵(particle)來源并進(jìn)而可能導(dǎo)致浸潤(rùn)流體(immersion?fluid)、浸潤(rùn)式蝕刻系統(tǒng)的污染,且可能污染了工藝過程中處理的晶片及/或造成在晶片上的蝕刻曝光缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種蝕刻裝置、浸論槽及蝕刻方法,以改進(jìn)前述的公知技術(shù)中存在的問題。
依據(jù)一實(shí)施例,本發(fā)明提供了一種蝕刻裝置,包括:
一成像鏡片模塊;位于該成像鏡片模塊下方的一基板平臺(tái),以握持一基板;用于限制流體于介于成像鏡片模塊與位于該基板平臺(tái)上的一基板間的一空間處的一流體保存模塊;以及整合于該流體儲(chǔ)存模塊內(nèi)且鄰近于上述空間處的一加熱元件。該加熱元件包括:一密封開口,該密封開口設(shè)置于該流體儲(chǔ)存模塊的一頂端部或一側(cè)壁部;以及一密封物,用于密封該密封開口,以密封該流體儲(chǔ)存模塊內(nèi)的該加熱元件,該密封物不溶于該流體;該加熱元件的多個(gè)部分,可局部地操作以控制溫度。
在上述實(shí)施例中,該密封物的材料可選擇自由合金、陶瓷、聚合物以及上述材料的組合所組成的群組群組。該密封開口可具有介于1~10厘米的尺寸。該加熱單元的加熱方式可選擇自由線圈加熱、流體加熱、燈泡加熱或上述方式的組合所組成群組。該加熱元件具有少于該流體保存模塊徑長(zhǎng)寬度1/15的一壁厚度。該加熱元件可包括位于該流體保存模塊內(nèi)的多個(gè)加熱部。該加熱元件的形狀可選擇自由圓形、彎曲形、直線形、弧形及上述形狀的組合所組成群組。該加熱元件可包括由位于該流體保存模塊中的兩個(gè)彎曲加熱部及四個(gè)彎曲加熱部所組成的一圓形型態(tài)。
依據(jù)另一實(shí)施例,本發(fā)明提供了一種浸潤(rùn)槽,適用于浸潤(rùn)式蝕刻裝置,包括:
一流體保存模塊,以供應(yīng)用于該浸潤(rùn)型蝕刻工藝的一流體;以及一加熱元件,整合于該流體保存模塊內(nèi)。該加熱元件包括:一密封開口,該密封開口設(shè)置于該流體儲(chǔ)存模塊的一頂端部或一側(cè)壁部;一密封物,用于密封該密封開口,以密封該流體儲(chǔ)存模塊內(nèi)的該加熱元件,該密封物不溶于該流體;以及一非均勻溫度補(bǔ)償裝置,整合于該加熱元件上。
在前述浸潤(rùn)槽中,該流體儲(chǔ)存模塊包括分別設(shè)置于該流體儲(chǔ)存模塊的一底部的一第一流體供應(yīng)單元以及一第二流體供應(yīng)單元,以分別供應(yīng)一第一流體與一第二流體。該第一流體包括一浸潤(rùn)流體。該第二流體包括空氣。該密封物的材料選擇自由合金、陶瓷、聚合物以及上述材料組合物所組成的群組。該加熱單元的加熱方式選擇自由線圈加熱、流體加熱、照射源加熱或上述加熱方式組合所組成的群組。該加熱元件包括多個(gè)加熱部,以非均勻地提供一非均勻溫度補(bǔ)償作用。
依據(jù)又一實(shí)施例,本發(fā)明提供一種蝕刻方法,包括下列步驟:
提供一蝕刻裝置,該蝕刻裝置包括整合在一起的一流體保存模塊與一加熱元件;通入一浸潤(rùn)流體至位于一成像鏡片模塊與欲圖案化的一基板間的一空間處;通過控制該加熱元件以加熱該浸潤(rùn)流體與該基板;以及對(duì)該基板施行一曝光程序并通過該浸潤(rùn)流體。
上述加熱元件選擇自下列群組之一:為不溶于該浸潤(rùn)流體的一密封物而密封于該流體保存模塊內(nèi)的該加熱元件;為設(shè)置于該流體保存模塊內(nèi)的一頂部及側(cè)部的一密封開口所密封的該加熱元件;以及具有多個(gè)用于局部溫度控制的加熱部的該加熱元件。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉一較佳實(shí)施例,并配合附圖,作詳細(xì)說明如下:
附圖說明
圖1a與圖1b為一系列剖面圖,分別顯示了依據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中的整合有加熱元件的一浸潤(rùn)式蝕刻系統(tǒng);
圖2顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的整合有加熱元件的浸潤(rùn)式蝕刻系統(tǒng)的俯視情形;
圖3a-3e為一系列俯視圖,分別顯示了依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例中的整合有加熱元件的一浸潤(rùn)式蝕刻系統(tǒng);
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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